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公开(公告)号：CN102544271A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210075703.1
申请日：2012-03-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法，该方法包括以下步骤：步骤1：采用MOCVD技术，对图形衬底进行高温处理后，降温；步骤2：在图形衬底上生长一氮化物成核层；步骤3：退火，实现成核层再结晶；步骤4：在结晶后的氮化物成核层上生长一氮化镓成核层；步骤5：第二次退火；步骤6：在氮化镓成核层上依次生长非故意掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、有源层和P型氮化镓层，得到完整外延结构。本发明能有效的提高器件的效率和使用寿命，同时该发明方法具有较大的工艺生长窗口。
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公开(公告)号：CN109216588B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201810999692.3
申请日：2018-08-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种倒装OLED器件及其制备方法，该倒装OLED器件包括蓝宝石衬底；隔离开的氧化铟锡电极层，沉积于衬底上；有机功能层，生长于正氧化铟锡电极层上；金属电极层，位于有机功能层上，一侧与负氧化铟锡电极层相连；保护层，位于OLED的功能层和金属电极层外侧；以及加厚电极，位于隔离开的氧化铟锡电极层的两端。本发明的倒装OLED器件制备工艺简单，解决了传统TFT驱动OLED显示屏的尺寸限制，可制备出大尺寸OLED显示屏；可通过倒装焊方式直接焊接到电路基板上，在大尺寸显示领域有明显的优势；倒装结构OLED芯片可与mini LED显示兼容。
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公开(公告)号：CN110875358A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201811011001.0
申请日：2018-08-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L27/32
Abstract: 本发明公开了一种LED与OLED串联的白光发光芯片，涉及照明技术领域。所述发光芯片包括：衬底；蓝光LED结构，形成在所述衬底上，包括N电极；OLED结构，形成在所述蓝光LED结构上，包括第二透明导电层；其中，所述蓝光LED结构的N电极与所述OLED结构的第二透明导电层电性互联。本发明通过将蓝光LED结构的N电极与所述OLED结构的第二透明导电层的电性互联，从而实现蓝光LED结构和OLED结构的串联，使得蓝光LED的高光效与黄光OLED的宽光谱且可调的优势相结合，以此获得高效率、高品质、长寿命、低成本的白光光源。
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公开(公告)号：CN108133992A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201711402665.5
申请日：2017-12-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种光泵谐振增强倒装红光LED器件及其制备方法，该器件包括：带谐振腔的红光LED量子阱结构；以及出射面键合于该红光LED量子阱结构入射面的倒装蓝光LED芯片；其中，该倒装蓝光LED芯片发出的蓝光光子激发该红光LED量子阱结构，使该红光LED量子阱结构发出红光光子。本发明中倒装红光LED器件是吸收蓝光LED芯片发出的光子光泵发光，而非传统的电注入发光，避免了传统倒装红光LED复杂的外延生长工艺和芯片制备工艺，降低工艺复杂度，提高器件可靠性，并缩短芯片制造流程。
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公开(公告)号：CN104465692B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201410736198.X
申请日：2014-12-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种LED全彩显示阵列及其制作方法，所述显示阵列包括：制作在透明面板上的导光层，所述导光层包括阵列图形和通道图形；蓝光LED超小芯片阵列，其粘接在所述透明面板上，且与所述导光层的通道图形连接；制作在透明面板上的第一反射镜，所述第一反射镜制作在透明面板上除导光层和蓝光LED超小芯片阵列之外的位置；第二反射镜，其制作在所述第一反射镜和导光层之上；其中，所述蓝光LED超小芯片阵列的光通过所述导光层上的通道图形导到所述导光层上的阵列图形而放大。本发明LED发光点间距可调，可以将点间距缩小到500um以下，极大地节约了LED全彩显示阵列的制作成本，同时简化了制作工艺。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104638097B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201510062353.9
申请日：2015-02-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种红光LED倒装芯片的制作方法，包括如下步骤：步骤1：采用激光钻孔工艺在基板上得到两个通孔；步骤2：在两个通孔的侧壁制备金属，形成导电通孔；步骤3：在两个通孔上下面的周围制作金属电极，使上下面的金属电极连通；步骤4：将一红光LED垂直结构芯片固晶在基板上的一通孔上，使红光LED垂直结构芯片与通孔上的金属电极连接；步骤5：在红光LED垂直结构芯片的周围及上面制备绝缘层，并暴露出红光LED垂直结构芯片上的P电极；步骤6：在红光LED垂直结构芯片上的P电极及基板上的另一通孔上的金属电极之间制备导电电极，形成基片；步骤7：将基片进行封胶，完成制备。
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公开(公告)号：CN103806095B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201410054225.5
申请日：2014-02-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C30B25/12 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供了一种行星式旋转托盘装置。该行星式旋转托盘装置包括：固定板，其中心位置设置通孔，其外侧具有环形凹入轨道，驱动轴由通孔伸入；中心齿轮，固定于固定板的正面，由驱动轴驱动绕固定板中心位置的通孔转动；卫星盘架组，包括位于同一径向位置的若干个卫星盘架，每一个卫星盘架的转轴的底部均卡入固定板外侧的环形凹入轨道中，并可沿该环形凹入轨道前后移动；其中，每一卫星盘架的上部均具有上齿轮，相邻卫星盘架的上齿轮相互啮合，至少一卫星盘架的下部具有与其上齿轮共用一转轴的下齿轮，该下齿轮与中心齿轮处于同一平面，两者相互啮合。本发明行星式旋转托盘装置可实现每一卫星盘架的自转与公转。
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公开(公告)号：CN103107250B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201310045572.7
申请日：2013-02-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种晶圆级发光二极管阵列结构的制备方法，包括以下步骤：步骤1：取一外延片；步骤2：在外延片上制备发光二极管单元模组，形成发光二极管阵列，该发光二极管单元模组包括多个发光二极管；步骤3：在发光二极管单元模组中的发光二极管上涂覆荧光粉，通过发光二极管激发荧光粉产生不同波长的光达到对该发光二极管的输出光色进行调整；步骤4：取一基板；步骤5：将制备有发光二极管阵列的外延片依次固定在基板上，并与基板形成电性连接，完成结构的制备。本方法可整合发光二极管的制备工艺和芯片封装工艺，具有简化工艺路径，降低工艺成本。可以通过工艺对发光二极管的尺寸和间距进行精确控制。
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公开(公告)号：CN104465692A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410736198.X
申请日：2014-12-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种LED全彩显示阵列及其制作方法，所述显示阵列包括：制作在透明面板上的导光层，所述导光层包括阵列图形和通道图形；蓝光LED超小芯片阵列，其粘接在所述透明面板上，且与所述导光层的通道图形连接；制作在透明面板上的第一反射镜，所述第一反射镜制作在透明面板上除导光层和蓝光LED超小芯片阵列之外的位置；第二反射镜，其制作在所述第一反射镜和导光层之上；其中，所述蓝光LED超小芯片阵列的光通过所述导光层上的通道图形导到所述导光层上的阵列图形而放大。本发明LED发光点间距可调，可以将点间距缩小到500um以下，极大地节约了LED全彩显示阵列的制作成本，同时简化了制作工艺。
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公开(公告)号：CN102969418B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201210506365.2
申请日：2012-11-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种氮化镓基3D垂直结构发光二极管的结构，包括：一衬底，该衬底的下面开有一沟槽，在沟槽的一侧开有一通孔；一N型掺杂层生长在衬底上，该N型掺杂层的宽度小于衬底的宽度，该N型掺杂层未覆盖衬底上的通孔；一多量子阱发光层生长在N型掺杂层上；一P型掺杂层生长在多量子阱发光层上；一ITO层生长在P型掺杂层上；一绝缘层制作在N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层的侧壁上，及衬底上的通孔的侧壁上；一导电层制作在绝缘层上，并覆盖部分ITO层的上表面；一P型电极制作在ITO层上表面的中心部位，并与导电层相连接；一金属电极制作在衬底下面沟槽的侧壁面上，并覆盖衬底的部分下表面。
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