-
公开(公告)号：CN105720097A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201610274590.6
申请日：2016-04-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/7786 , H01L29/66462
Abstract: 一种增强型高电子迁移率晶体管，包括栅极、源极、漏极、p型层、势垒层和设置在势垒层上的钝化层，钝化层上的部分区域设置有刻蚀至势垒层上表面形成的二次外延图形；势垒层还包括在所述图形的局部区域进一步向势垒层内刻蚀形成的凹槽；图形以及凹槽内有二次外延生长的p型层，其中，凹槽内的p型层与位于其上方的栅极金属接触，非凹槽内的p型层与位于其上方的漏极金属接触。以及晶体管的制备方法和包含该晶体管的半导体器件。所述晶体管通过槽栅结合选区二次外延p型层，增大器件阈值电压，而且由于只是部分刻蚀势垒层，器件饱和电流比槽栅型HEMT更大。另外，在漏极金属下也选区生长p型层，可以提高器件关断效果。
-
公开(公告)号：CN103943737A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410181967.4
申请日：2014-04-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L33/0066 , H01L33/007 , H01L33/145 , H01L33/20
Abstract: 本发明提供了一种紫外发光二极管器件的制备方法。该紫外发光二极管器件的制备方法通过AlGaN电子阻挡层205和p型AlGaN层206的总厚度小于该电极层最底层金属层的金属材料的等离激元耦合距离的方式有效精确控制有源区到金属等离激元的距离，消除了工艺工程中对有源区造成损伤的风险，提高了紫外发光二极管器件发光效率。
-
公开(公告)号：CN103701037A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310637212.6
申请日：2013-11-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓激光器腔面的制作方法，包括：在衬底上外延生长氮化镓激光器结构，得到外延片，氮化镓激光器结构从衬底一侧依次包括n型欧姆接触层、n型限制层、n型波导层、量子阱、电子阻挡层、p型波导层、p型限制层、p型欧姆接触层；在外延片的欧姆接触层上涂覆光刻胶；应用光刻版进行标准光刻；在外延层片上蒸镀金属；在外延层上制作金属掩膜；刻蚀到激光器的n型光限制层；采用腐蚀液腐蚀刻蚀得到的腔面的侧壁；去除外延层表面的金属掩膜。本发明通过感应等离子体刻蚀和碱性溶液腐蚀的方法得到表面平整光滑的腔面，从而了消除干法腐蚀工艺后离子轰击作用对腔面造成的损伤，修复了等离子体对腔面造成的损伤，提高腔面的发射率。
-
公开(公告)号：CN117673130A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202211067386.9
申请日：2022-09-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/737 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/20 , H01L21/331
Abstract: 一种氮化镓基异质结双极性晶体管结构及制作方法，所述氮化镓基异质结双极性晶体管外延结构包括：衬底；n型集电区，形成于所述衬底上；p型基区，形成于所述n型集电区上，所述p型基区为凹槽型结构；n型发射区，形成于所述p型基区凹槽处，所述n型发射区的侧面和底面与所述p型基区凹槽处接触。本发明通过特殊的凹槽基区设计以及选区外延的生长方法，两侧厚基区加强电流扩展，减小基区扩展电阻与基极接触下方的基区电阻；凹槽薄基区缩短电子渡越时间，提高器件整体性能。
-
公开(公告)号：CN112648548B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202011550185.5
申请日：2020-12-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种激光照明装置，包括：荧光材料层、激光光源、散热结构；其中，该激光光源，用于向荧光材料层发射激光；散热结构，包括导热单元和散热单元，其中，导热单元用于对荧光材料层进行导热，散热单元用于对导热单元进行散热。本发明提供的激光照明装置可以至少部分解决现有技术中荧光材料层由于散热不良导致的热淬灭的问题。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117012627A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202210472810.1
申请日：2022-04-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/027 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种基于电子束曝光的T型栅制备方法，包括：通过在基底上覆盖敏感度不同的两层光刻胶，曝光并显影，得到栅足光刻掩模结构；在具有栅足光刻掩模结构的基底上沉积金属；剥离由两层光刻胶掩模形成的栅足金属结构，获得附着于基底上的栅足；在具有栅足的基底上旋涂三层光刻胶；通过第二上层光刻胶和中层光刻胶形成用于形成栅帽的栅帽光刻掩模结构，通过第二下层光刻胶形成栅帽支撑层；在具有栅帽光刻掩模和栅帽支撑层掩模的的基底上沉积金属，获得栅帽金属结构；剥离栅帽金属结构，获得附着于基底上的完整T型栅。本发明减少了过程损伤，避免了制备T栅时足帽剂量互相影响的问题，有利于制备更短栅长的T型栅。
-
公开(公告)号：CN115808840A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202211497096.8
申请日：2022-11-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种半导体光源装置和电子光源设备。其中，该半导体光源装置包括出射部、转换部和扩散部。出射部用于出射激光光束形成光路；转换部沿光路设置在出射部前方，用于对部分的出射激光光束进行激发转换，形成转换光；扩散部沿光路设置在转换部前方，用于对转换光和未经激发转换的其他部分出射激光光束进行扩散形成白光。因此，如此便可以实现对该出射部的出射激光光束实现筛选，从而使得该半导体光源装置最终出射的光束能够筛除非必须甚至有害的激光光束，且能够有效避免对其整体光束质量产生影响，从而保证后续最终经扩散部出射光束的显示质量或照明质量。
-
公开(公告)号：CN113725294A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202111028226.9
申请日：2021-09-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供了一种氮化镓基绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，其中，该晶体管包括：n型集电区；p型基区，设置于n型集电区上，露出部分n型集电区；n型发射区，设置于p型基区上，露出部分p型基区；压控沟道层，设置于部分n型集电区上；接触层，设置于压控沟道层上；内电极金属层，设置于部分p型基区和部分接触层上。
-
公开(公告)号：CN111341893A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010145389.4
申请日：2020-03-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种AlGaN基二极管，包括：在衬底上依次外延生长的AlN层、有源层与P型层，其中，所述P型层的边缘区域经向下刻蚀直至AlN层内，形成第一台面，所述第一台面上外延生长有N型层。通过本公开提供的AlGaN基二极管，可以降低器件制备的难度。
-
公开(公告)号：CN109560785A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201710893348.1
申请日：2017-09-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种兰姆波谐振器及其制备方法，其中兰姆波谐振器包括衬底层和谐振器结构，谐振器结构自下而上包括底电极层、单晶氮化物薄膜层及叉指电极，其中：叉指电极位于单晶氮化物薄膜层的中心区域；谐振器结构倒置于衬底层上表面，且谐振器结构与衬底层之间设置有金属层，以使叉指电极与衬底层之间具有空隙。本发明结合焊接和腐蚀工艺，通过先在一基底材料上高温生长单晶氮化物薄膜层，再在单晶氮化物薄膜层上形成底电极层，避免了现有技术中，在底电极层上高温形成薄膜层带来的底电极层表面变粗糙和极易与氨气发生反应的问题，从而为研制单晶氮化物兰姆波谐振器奠定了基础。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
89
records
(took 0.033 seconds)
