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公开(公告)号：CN100559618C
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200710047623.4
申请日：2007-10-31
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于微弱光探测的量子点共振隧穿二极管及探测方法，该量子点共振隧穿二极管，包括：响应可见光的GaAs或响应红外的InGaAs光子吸收区，自组装量子点、薄的AlAs双势垒层、GaAs势阱层。自组装量子点和薄的AlAs双势垒层、GaAs势阱层的组合可以让量子点直接参与共振隧穿过程，大大增强了共振隧穿过程对光生载流子的放大能力。该探测方法：利用在入射光探测前先对量子点进行载流子填充形成亚稳态，进一步增强器件的光响应能力。本发明的优点是：器件结构简单，量子点大小和密度均属常规生长范围，制备容易；器件在液氮温度下得到了超高灵敏度的光子探测能力。
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公开(公告)号：CN101494243A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200910046994.X
申请日：2009-03-04
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/036 , G02B6/12
Abstract: 本发明公开了一种光子晶体耦合窄带响应量子阱红外探测器。将光子晶体与量子阱红外探测单元相结合，光子晶体作为耦合单元直接嵌套在红外探测单元内。由于周期性的表面结构及光子晶体对光子态的调制，导致量子阱红外探测单元对特定波段的响应增强，而其它波段的响应受到抑制，达到窄波段探测的目的。与传统的量子阱探测器相比，这种探测器有如下优点：一、响应波段窄，可以通过光子晶体对光子态的调控以及量子阱本身结构控制，来调节响应峰值波长的位置。二、峰值波长探测效率高，由于实现了光子态的控制，探测效率得到了提高。三、便于用户导向型设计，光子态的调控提供了新的设计维度，更加有利于根据用户要求，优化产品响应波段匹配性能。
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公开(公告)号：CN101458293A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200810204665.9
申请日：2008-12-16
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01R31/265
Abstract: 本发明公开了一种检测碲镉汞红外探测器离子注入区的损伤程度的检测方法。它是基于在强激光辐照下，离子注入n区损伤引起光电流的原理，采用相敏检测技术(锁相放大器+机械斩波器)得到强激光辐照下的反常电流信号，并除去低激光强度下的常规的激光束诱导电流信号，剩下的即为离子注入n区损伤引起的光电流，可作为判断样品中损伤的标准。本发明的优点在于能通过与探测过程完全相同的光电过程，直接检测损伤对于光电响应的影响。
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公开(公告)号：CN100498362C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200610148065.6
申请日：2006-12-27
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01R31/26 , G01R31/265 , G01R31/28 , G01R31/00 , H01L21/66
Abstract: 一种长波碲镉汞光伏器件物理参数的检测方法，包括步骤：S1、测量碲隔汞光伏器件的I-V曲线；S2、利用关系式R＝dV/dI获得R-V曲线，S3、根据碲镉汞的暗电流模型拟合获得器件的物理参数，根据本发明将为碲镉汞长波器件分析提供新的途径。
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公开(公告)号：CN100479202C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200610148068.X
申请日：2006-12-27
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/111
Abstract: 本发明公开了一种共振隧穿增强铟镓砷/镓砷量子阱红外探测器，该探测器是在常规的多量子阱层的每个周期后端加入一个共振隧穿双势垒结构。这种结构的优点是：可对量子阱红外探测器的暗电流显著抑制而光电流显著增强，从而实现对探测器的探测率提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101377533A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200810200210.X
申请日：2008-09-22
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明公开了一种检测碲镉汞红外探测器深能级缺陷的检测方法，它是基于在激光辐照下，深能级被激活引起隧穿电流的原理，采用相敏检测技术(锁相放大器+机械斩波器)得到激光辐照下的反常电流信号，并除去常规的激光束诱导电流信号，剩下的即为深能级缺陷引起的陷阱辅助隧穿电流，可作为判断样品中深能级的标准，此电流值越大，样品中深能级缺陷数目越多。本发明的优点在于能独立表征对器件暗电流有贡献的深能级缺陷特性。
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公开(公告)号：CN101237003A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200710047623.4
申请日：2007-10-31
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于微弱光探测的量子点共振隧穿二极管及探测方法，该量子点共振隧穿二极管，包括：响应可见光的GaAs或响应红外的InGaAs光子吸收区，自组装量子点、薄的AlAs双势垒层、GaAs势阱层。自组装量子点和薄的AlAs双势垒层、GaAs势阱层的组合可以让量子点直接参与共振隧穿过程，大大增强了共振隧穿过程对光生载流子的放大能力。该探测方法：利用在入射光探测前先对量子点进行载流子填充形成亚稳态，进一步增强器件的光响应能力。本发明的优点是：器件结构简单，量子点大小和密度均属常规生长范围，制备容易；器件在液氮温度下得到了超高灵敏度的光子探测能力。
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公开(公告)号：CN1996622A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200610148069.4
申请日：2006-12-27
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/111
Abstract: 本发明公开了一种镓砷/铝镓砷甚长波量子阱红外探测器，该探测器与传统甚长波量子阱红外探测器的区别在于它是由低掺杂的电极层和高掺杂的量子阱层构成。在深低温器件工作温度下，量子阱层掺杂的适度提高不会使整个器件的暗电流明显变化，此时量子阱器件电极层的掺杂浓度的降低，使整个器件暗电流和噪声显著下降；高掺杂的量子阱层使整个器件的光吸收系数显著增强；相比传统的镓砷/铝镓砷甚长波量子阱红外探测器，本发明的甚长波量子阱红外探测器的探测率得到显著提升。
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公开(公告)号：CN119374867B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202411906797.1
申请日：2024-12-24
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本申请公开了一种探测器截面光响应分布检测方法及系统，涉及探测器的量测领域，该方法包括：采用解离工艺制备探测器的解离面；采用光诱导电流技术检测所述探测器的解离面的光生电流分布特征，以确定探测器截面的光响应分布。本申请在对探测器解离后未引入额外的漏电通道，将探测器的功能结构完全暴露的同时，保证探测器能正常工作，进而能够在探测器工作状态下提取其截面的光生电流分布特征。
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公开(公告)号：CN119901695A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202510059349.0
申请日：2025-01-15
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明涉及材料电学信号检测技术领域，特别是一种光谱分辨的光激发扫描探针电信号提取装置，包含光源单元、光路单元、测量单元和管理控制单元。光源单元和测量单元均电气连接到管理控制单元。管理控制单元配置光源单元的工作参数。在管理控制单元的控制下，光源单元发出的光束通过光路单元被引导照射在样品的表面。控制管理单元还控制测量单元采集样品被光束照射处的电气信息，传输到管理控制单元进一步处理保存。本发明还包含方法。本发明可以精确地获取不同波长光激发下材料的电学响应，有助于深入研究材料的光电特性和微观物理机制。本发明为新型材料的研发、半导体器件性能优化等提供了更精准有效的检测手段，有利于推动技术进步和创新发展。
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