公开(公告)号：CN204332968U

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201420770646.3

申请日：2014-12-09

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 曹高奇 ,  唐恒敬 ,  王云姬 ,  李雪 ,  邵秀梅 ,  程吉凤 ,  龚海梅

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/18 ,  H01L31/101

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本专利公开了一种改善表面钝化的平面型铟镓砷光敏芯片，平面型铟镓砷光敏芯片的结构为：在半绝缘InP衬底上，依次生长N型InP层，铟镓砷本征吸收层，N型InP帽层，氮化硅(SiNx)钝化层，P电极及加厚电极(8)。制备工艺在原有工艺基础之上改进得到，包括扩散掩膜的去除、硫化和感应耦合等离子体化学气相淀积(ICPCVD)技术生长氮化硅钝化膜。本专利的优点在于：芯片的钝化层结构比较均匀；有效减少器件的表面态密度，且表面形成的硫化膜能够避免表面再次被氧化；工艺对材料表面损伤小，薄膜致密、与衬底之间应力匹配，元素成键状态好，钝化效果优。

公开(公告)号：CN201004463Y

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN200620048154.9

申请日：2006-11-24

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 吴小利 ,  吕衍秋 ,  韩冰 ,  唐恒敬 ,  王妮丽 ,  储开慧 ,  龚海梅

IPC: H01L27/144

Abstract: 本实用新型涉及铟镓砷线列红外焦平面探测器，该器件包括半绝缘InP衬底，在半绝缘InP衬底上依次排列生长有N型InP层、InxGa1－xAs吸收层和P型InP层。其特征在于：在P型InP层上有线列光敏元，光敏元的侧面周围为H离子辐照形成的隔离区。本实用新型的优点是：相对于传统的平面结构探测器，光电流的收集结是外延生长的，缺陷较少；相对于台面器件，它基本上保留了InP层晶格的完整性，并且在器件的侧面引入隔离，降低了光生载流子在侧面的产生复合。离子辐照可以精确的定义光敏元的面积。离子注入还具有工艺简单、重复性好以及可控性高等特点。