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公开(公告)号：CN101740662A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910198969.3
申请日：2009-11-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞(HgCdTe)红外焦平面芯片的碲化镉原位钝化方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用在由分子束外延生长碲镉汞红外探测材料的终点时，于碲镉汞薄膜表面先原位生长一层碲化镉薄膜，并在碲镉汞红外探测芯片制备过程中对需要钝化区域的碲化镉薄膜不予以破坏的碲化镉原位钝化的技术方案，有效解决了常规碲化镉钝化方法会造成碲镉汞红外焦平面探测芯片探测性能损失和工艺稳定性低的问题。本发明方法具有工艺简单、操作便捷、稳定性高和钝化效果好的特点。
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公开(公告)号：CN101740502A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910198967.4
申请日：2009-11-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞微台面红外探测芯片的光敏感元列阵成形方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用先于碲镉汞红外焦平面探测芯片表面制作用于形成深微台面列阵芯片隔离沟槽的光刻胶掩蔽膜图形，然后利用旋转涂敷的方法往光刻胶掩蔽膜构成的沟槽图形内填充一定数量的碲镉汞材料的溴与氢溴酸混合腐蚀液，并通过控制光刻胶掩蔽膜形成的隔离沟槽图形的深度和腐蚀时间来控制深微台面列阵芯片所需的隔离沟槽深度的技术方案，有效解决了常规光敏感元列阵成形方法存在工艺损伤和占空比低的问题。本发明方法具有与HgCdTe探测芯片常规工艺完全兼容、低成本、高可控性、高均匀性和无工艺诱导电学损伤等特点。
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公开(公告)号：CN101719505A
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200910198961.7
申请日：2009-11-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/144 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞(HgCdTe)红外焦平面列阵器件钝化界面的植氢优化方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用直接将生长完碲化镉/硫化锌(CdTe/ZnS)复合介质钝化膜后的HgCdTe红外焦平面探测器光敏感元芯片，放置在真空腔体内进行低能等离子体植氢处理的钝化界面优化的技术方案，有效解决了碲镉汞红外焦平面钝化界面存在过多的未饱和悬挂键、界面电荷的问题。本发明方法具有工艺简单、操作快捷、可控性好和稳定性高的特点。
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公开(公告)号：CN100443928C
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200610117105.0
申请日：2006-10-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种置于碲镉汞红外焦平面探测器芯片内部的微型滤光片，所述的探测器芯片由衬底、衬底上依次置有的缓冲层、响应红外目标辐射的光电二极管列阵组成。所述的微型滤光片是通过分子束外延原位生长在缓冲层和光电二极管列阵之间。本发明的微型滤光片的优点是：具有高均匀性、高可靠性和无信号损失的特点；滤光波段是通过严格控制作为原位滤光层的Hg1-xCdxTe的组分来实现的，从而具很高的控制精度；这种集成在红外焦平面探测器芯片内部的微型滤光片无需任何外光路部件，使用方便，且非常可靠和稳定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100433328C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200610118053.9
申请日：2006-11-08
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L25/18 , H01L27/144 , H01L21/822
Abstract: 本发明公开了一种带有增透会聚微镜的红外焦平面探测器及微镜制备方法，该探测器，包括：红外光敏元列阵芯片、读出电路、混成互连铟柱和增透会聚微镜列阵。所说的增透会聚微镜列阵是由红外光敏元列阵芯片的衬底背面生长一增透膜，通过常规的等离子体组合刻蚀形成的。微镜制备方法采用了记忆焦平面探测芯片正面图形的光刻方法，获得的背向集成微透镜列阵的各个光轴在空间上与其对应的光敏像元的光敏面中心法线重合。本发明的优点是：由于增透会聚微镜中心区域的增透效果，以及周边区域的会聚作用，既能提高新一代高密度像元红外焦平面探测器的光电流信号，又能减小相邻像元之间的空间串音。
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公开(公告)号：CN100365780C
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200510029961.6
申请日：2005-09-23
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L21/467 , H01L21/469 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种用于反应离子刻蚀碲镉汞微台面列阵的掩膜层及制备方法，掩膜层采用与反应离子束不会反应的无机二氧化硅(SiO2)材料。SiO2掩模层的制备方法是：先采用磁控溅射镀膜技术在HgCdTe材料表面生长SiO2薄膜，再利用光刻技术和湿化学腐蚀技术将光刻版掩模图形转移到SiO2薄膜上，从而在HgCdTe材料表面形成SiO2掩模层。本发明的最大优点是：掩膜层具有高的刻蚀选择比，能避免用光刻胶作掩膜层会导致大量聚合物沉积、刻蚀停滞现象和刻蚀线宽损失的不足，并在掩模层的制作过程中无需经受高温处理。
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公开(公告)号：CN1949508A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200610118053.9
申请日：2006-11-08
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L25/18 , H01L27/144 , H01L21/822
Abstract: 本发明公开了一种带有增透会聚微镜的红外焦平面探测器及微镜制备方法，该探测器，包括：红外光敏元列阵芯片、读出电路、混成互连铟柱和增透会聚微镜列阵。所说的增透会聚微镜列阵是由红外光敏元列阵芯片的衬底背面生长一增透膜，通过常规的等离子体组合刻蚀形成的。微镜制备方法采用了记忆焦平面探测芯片正面图形的光刻方法，获得的背向集成微透镜列阵的各个光轴在空间上与其对应的光敏像元的光敏面中心法线重合。本发明的优点是：由于增透会聚微镜中心区域的增透效果，以及周边区域的会聚作用，既能提高新一代高密度像元红外焦平面探测器的光电流信号，又能减小相邻像元之间的空间串音。
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公开(公告)号：CN1937190A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610117107.X
申请日：2006-10-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种红外焦平面列阵器件混成互连铟柱的微熔回流加固方法，该方法是在红外光敏感列阵芯片和读出电路在常规的冷压混成互连后，采用甲酸作为还原剂，在金属铟的熔点温度下进行混成互连铟柱的微熔回流加固，以增强混成互连铟柱之间及内部的键合力，以及混成互连铟柱与金属化电极层间的机械接触强度，从而确保红外光敏感列阵芯片与硅读出电路之间的电学连通，并提高红外焦平面混成互连的机械可靠性。本发明方法操作简单，便于在工艺上实现。
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公开(公告)号：CN1741259A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200510029961.6
申请日：2005-09-23
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L21/467 , H01L21/469 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种用于反应离子刻蚀碲镉汞微台面列阵的掩膜层及制备方法，掩膜层采用与反应离子束不会反应的无机二氧化硅(SiO2)材料。SiO2掩模层的制备方法是：先采用磁控溅射镀膜技术在HgCdTe材料表面生长SiO2薄膜，再利用光刻技术和湿化学腐蚀技术将光刻版掩模图形转移到SiO2薄膜上，从而在HgCdTe材料表面形成SiO2掩模层。本发明的最大优点是：掩膜层具有高的刻蚀选择比，能避免用光刻胶作掩膜层会导致大量聚合物沉积、刻蚀停滞现象和刻蚀线宽损失的不足，并在掩模层的制作过程中无需经受高温处理。
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