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公开(公告)号：CN106255922A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201480078178.6
申请日：2014-08-26
Applicant: 上海微电子装备有限公司
Abstract: 一种EUV光刻装置及其曝光方法。所述装置的掩模台(300)承载多个反射式掩模(400a，400b)，处于曝光位的反射式掩模(400a)在曝光的同时，处于测量位的另一块反射式掩模(400b)可同时进行面型和位置测量。多批次硅片曝光时，能够节约面型和位置测量时间，提高产率。掩模台(300)也可承载多个相同的反射式掩模，通过切换掩模的方式交替使用进行硅片曝光，通过不断切换反射式掩模可避免在高真空环境中散热困难导致反射式掩模在一段时间曝光后的受热形变导致像质受损的情况发生。
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公开(公告)号：CN104020643B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201310064813.2
申请日：2013-03-01
Applicant: 上海微电子装备有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种用于光刻设备的大掩模板面型补偿装置，位于照明单元与掩模板之间，包括：设置有若干抽排孔的玻璃板、抽排控制单元；所述玻璃板位于掩模板上方，与掩模板平行设置；所述玻璃板相对物镜组固定设置，且至少覆盖掩模板当前曝光区域；所述抽排控制单元通过所述抽排孔对所述玻璃板与掩模板之间的间隙进行抽排，在掩模板上下表面间形成压力差，补偿所述掩模板的自重变形量。与现有技术相比，本发明在不改变现有硬件架构的条件下，解决步进扫描光刻机中，大掩模板自重变形补偿问题，使掩模板在整个扫描运动过程中，物方视场内的自重变形得到有效控制，无需通过物镜对物面进行调节。
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公开(公告)号：CN103901730B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201210586861.3
申请日：2012-12-28
Applicant: 上海微电子装备有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 这种曝光装置，用于对涂胶基底进行至少两次曝光，包括至少两个SLM、运动机构、投影物镜、工件台、涂胶基底以及控制单元，至少两个空间光调制器分别安装于运动机构上，SLM、所述运动机构以及工件台分别由控制单元控制，载有涂胶基底的工件台在控制单元的控制下运动到待曝光位置，运动机构在控制单元的控制下将至少两个SLM依次调整至投影物镜的物面进行曝光，每个空间光调制器在控制单元的控制下依次进行数据载入阶段、器件重置阶段和图形显示阶段，控制单元控制各空间调制器同时进行上述任一阶段，从而提高所有SLM整体的有效刷新率，提高无掩模光刻设备的产率，并减少了SLM图形的显示时间，可使用连续光源制作高分辨率图形的。
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公开(公告)号：CN103376663B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201210117916.6
申请日：2012-04-22
Applicant: 上海微电子装备有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种干涉曝光系统，用于对涂有光刻胶的基底曝光，入射光通过分束装置分成至少两束光束，对应形成至少两个干涉臂；每个干涉臂设置有快门，控制所在干涉臂是否参与曝光及曝光时间；至少一个干涉臂设置有相位补偿器，用于改变所在干涉臂的光束相位。一种干涉曝光方法，包括提供一基底，于基底表面涂覆光刻胶；提供入射光，将所述入射光分成两束光束，对应形成两个干涉臂；调节两个干涉臂中的一个干涉臂的光束相位，使所述干涉臂的光束相位改变180°╳N，N为整数；利用两个干涉臂对基底上的光刻胶进行多次曝光，并旋转基底，在基底光刻胶上形成多组干涉条纹相互叠加的干涉图案。本发明的优点在于能够在正负光刻胶上灵活形成孔和柱图形。
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公开(公告)号：CN105093836A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201410189147.X
申请日：2014-05-06
Applicant: 上海微电子装备有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提出了一种EUV光刻装置及其曝光方法，由于掩模台承载多个反射式掩模，处于曝光位的反射式掩模在曝光的同时，处于测量位的另一块反射式掩模可同时进行面型和位置测量，多批次硅片曝光时，能够节约面型和位置测量时间，利用已测得的反射式掩模的面型和位置数据进行掩模高度的前馈控制，在保证套刻精度的情况下，减少曝光反馈调整时间，所以可以提高产率；多掩模载台的反射式掩模可以通过切换掩模的方式，快速地在另一块同样的反射式掩模上继续进行硅片曝光，通过不断切换反射式掩模可避免在高真空环境中散热困难导致反射式掩模在一段时间曝光后的受热形变导致像质受损的情况发生。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104950587A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201410114813.3
申请日：2014-03-25
Applicant: 上海微电子装备有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提出了一种曝光装置与曝光方法，在曝光台上添加设有基板对准系统和调焦系统的测量主基板以及设有曝光系统驱动器、曝光系统组和光源的曝光主基板，基于脉冲光同步的虚拟掩模成像技术，解决了困扰无掩模光刻的分辨率与产率矛盾，在高分辨率的情况下实现高产能；将扫描与步进运动分离到不同的执行机构，节省了步进时间，使产率得到优化，同时节省了整机的空间尺寸；提出了流水线模式的光刻机架构，充分发挥无掩模光刻的灵活性，实现边测量边曝光，将调平、对准时间从光刻生产中分离出去，提高产能。
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公开(公告)号：CN102841506B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201110168714.X
申请日：2011-06-22
Applicant: 上海微电子装备有限公司
Abstract: 一种激光干涉仪测量系统及其测量方法，激光器发出激光；直角长条反射镜安装在载物台侧面，其两个反射面与载物台水平面成45°，激光沿水平方向入射直角长条反射镜，经过两个反射面反射后形成测量光；折射薄膜覆盖探测器，折射薄膜的上表面与水平面成45°，测量光的第一部分以45°入射角入射到折射薄膜表面形成第一相干光；测量光的第二部分通过镜组模块的至少一次反射后，以45°入射角入射到折射薄膜表面形成第二相干光，第一相干光与第二相干光在折射薄膜上位置相同，经过折射薄膜折射后发生干涉形成干涉条纹，被探测器探测；根据干涉条纹的频率计算载物台的垂向运动速率，获得垂向位移。本系统及方法布局简单，不挡住镜头的成像光线。
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公开(公告)号：CN103376663A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201210117916.6
申请日：2012-04-22
Applicant: 上海微电子装备有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种干涉曝光系统，用于对涂有光刻胶的基底曝光，入射光通过分束装置分成至少两束光束，对应形成至少两个干涉臂；每个干涉臂设置有快门，控制所在干涉臂是否参与曝光及曝光时间；至少一个干涉臂设置有相位补偿器，用于改变所在干涉臂的光束相位。一种干涉曝光方法，包括提供一基底，于基底表面涂覆光刻胶；提供入射光，将所述入射光分成两束光束，对应形成两个干涉臂；调节两个干涉臂中的一个干涉臂的光束相位，使所述干涉臂的光束相位改变180°╳N，N为整数；利用两个干涉臂对基底上的光刻胶进行多次曝光，并旋转基底，在基底光刻胶上形成多组干涉条纹相互叠加的干涉图案。本发明的优点在于能够在正负光刻胶上灵活形成孔和柱图形。
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公开(公告)号：CN205723481U
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201620387241.0
申请日：2016-04-29
Applicant: 上海微电子装备有限公司
IPC: H01L21/677
Abstract: 本实用新型提供了一种片盒运输装置，所述片盒运输装置包括智能小车、架设在所述智能小车上的底部扩展框架以及固定在所述底部扩展框架上的片盒承载框架，所述片盒承载框架被分隔为多层，每层设有多个片盒承载板；其中，所述片盒承载板表面设置有第一凹槽及设置于所述第一凹槽内的第二凹槽，所述第一凹槽用于承载第一规格的片盒，所述第二凹槽用于承载第二规格的片盒。通过第一凹槽和第二凹槽，实现同一片盒承载板承载两种不同规格的片盒，从而使得片盒运输装置适用两种不同规格的片盒的运输，提高了运输产率。此外，通过智能小车搬运，无需铺设系统轨道及人工参与运输，实现片盒的自动运输的同时降低了运输成本，省时省力。
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公开(公告)号：CN204980333U
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201520500093.4
申请日：2015-07-10
Applicant: 上海微电子装备有限公司
IPC: B65G47/90
Abstract: 本实用新型提供了一种片盒存取设备，所述片盒存取设备包括：第一支撑架，用于放置片盒；片盒进出口，设置存放或取出片盒的工作工位；缓存区，具有多个动态运行的工位，用于动态运输从所述片盒进出口处放置在缓存区中的片盒或者将缓存区的工位处的片盒动态运输至片盒进出口处；机械手，在缓存区及第一支撑架之间搬运片盒。本实用新型提供了一种片盒存取设备，通过在缓存区中设置动态运作的工位传输片盒，大大节省了用户的等待时间。
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