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公开(公告)号:CN103969956B
公开(公告)日:2017-02-08
申请号:CN201310029962.5
申请日:2013-01-25
Applicant: 上海微电子装备有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供一种曝光装置,其用于将电路图形投影于基底上,所述曝光装置包括照明模块,提供照明光;成像模块,包括至少一个第一光开关及至少两个成像单元,其中,所述第一光开关与所述成像单元的数量比为1:2,一个所述第一光开关与两个所述成像单元相对应,所述第一光开关能够在开启与关闭两个状态之间切换,所述第一光开关将所述照明光分别在所述第一光开启与关闭两个状态下输出,所述至少两个成像单元分别接收从所述第一光开关处输出的照明光,并将曝光图形成像于所述基底上;以及工件台,所述基底置于所述工件台上,本发明提供的曝光装置节省了现有技术的曝光装置所需损耗的能量,增加了其曝光的效率,并有效降低了其曝光图形的模糊度。
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公开(公告)号:CN103376663B
公开(公告)日:2016-08-24
申请号:CN201210117916.6
申请日:2012-04-22
Applicant: 上海微电子装备有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种干涉曝光系统,用于对涂有光刻胶的基底曝光,入射光通过分束装置分成至少两束光束,对应形成至少两个干涉臂;每个干涉臂设置有快门,控制所在干涉臂是否参与曝光及曝光时间;至少一个干涉臂设置有相位补偿器,用于改变所在干涉臂的光束相位。一种干涉曝光方法,包括提供一基底,于基底表面涂覆光刻胶;提供入射光,将所述入射光分成两束光束,对应形成两个干涉臂;调节两个干涉臂中的一个干涉臂的光束相位,使所述干涉臂的光束相位改变180°╳N,N为整数;利用两个干涉臂对基底上的光刻胶进行多次曝光,并旋转基底,在基底光刻胶上形成多组干涉条纹相互叠加的干涉图案。本发明的优点在于能够在正负光刻胶上灵活形成孔和柱图形。
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公开(公告)号:CN103376663A
公开(公告)日:2013-10-30
申请号:CN201210117916.6
申请日:2012-04-22
Applicant: 上海微电子装备有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种干涉曝光系统,用于对涂有光刻胶的基底曝光,入射光通过分束装置分成至少两束光束,对应形成至少两个干涉臂;每个干涉臂设置有快门,控制所在干涉臂是否参与曝光及曝光时间;至少一个干涉臂设置有相位补偿器,用于改变所在干涉臂的光束相位。一种干涉曝光方法,包括提供一基底,于基底表面涂覆光刻胶;提供入射光,将所述入射光分成两束光束,对应形成两个干涉臂;调节两个干涉臂中的一个干涉臂的光束相位,使所述干涉臂的光束相位改变180°╳N,N为整数;利用两个干涉臂对基底上的光刻胶进行多次曝光,并旋转基底,在基底光刻胶上形成多组干涉条纹相互叠加的干涉图案。本发明的优点在于能够在正负光刻胶上灵活形成孔和柱图形。
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公开(公告)号:CN103969956A
公开(公告)日:2014-08-06
申请号:CN201310029962.5
申请日:2013-01-25
Applicant: 上海微电子装备有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供一种曝光装置,其用于将电路图形投影于基底上,所述曝光装置包括照明模块,提供照明光;成像模块,包括至少一个第一光开关及至少两个成像单元,其中,所述第一光开关与所述成像单元的数量比为1:2,一个所述第一光开关与两个所述成像单元相对应,所述第一光开关能够在开启与关闭两个状态之间切换,所述第一光开关将所述照明光分别在所述第一光开启与关闭两个状态下输出,所述至少两个成像单元分别接收从所述第一光开关处输出的照明光,并将曝光图形成像于所述基底上;以及工件台,所述基底置于所述工件台上,本发明提供的曝光装置节省了现有技术的曝光装置所需损耗的能量,增加了其曝光的效率,并有效降低了其曝光图形的模糊度。
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