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公开(公告)号：CN101671001A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200910308291.X
申请日：2009-10-15
Applicant: 上海交通大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体性单壁碳纳米管的制备方法，以过渡金属为催化剂，将催化剂、硫粉和纯度为99.99％的石墨粉按比例充分混合后制得阳极石墨棒，将制得的阳极石墨棒放在冲有缓冲气体的电弧室内与石墨阴极正对。通过控制阴阳两极间的放电电压和放电电流，使电弧室的阴阳两极发生电弧放电，即可制得半导体性单壁碳纳米管。本发明采用电弧法通过掺杂硫粉直接制备半导体性单壁碳纳米管，工艺简单、产率高，制备的半导体性单壁碳纳米管结构缺陷少，提高了CNT基晶体管的电子迁移率。
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公开(公告)号：CN117383545A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202210779583.7
申请日：2022-07-04
Applicant: 上海交通大学
IPC: C01B32/17 , C01B32/159
Abstract: 本发明提供了一种碳纳米管物理提纯富集方法，所述方法为：将碳纳米管初始粉体分散在含有表面活性剂的水溶液中形成均匀分散液；利用离心处理方式去除杂质后，添加溶剂至离心后的上清液中溶解碳纳米管上和水中的表面活性剂；最后通过离心处理方式获得提纯后的碳纳米管。本发明可解决碳纳米管从溶液中高效分离难题。与现有技术相比，本发明提纯收集效率高，表面活性剂含量极低，且不产生废液，有利于降低成本，适用于高纯碳纳米管的大规模提纯生产。
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公开(公告)号：CN112331774B
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202011218194.4
申请日：2020-11-04
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种砷化镓/碳纳米管异质结超薄太阳能电池结构及其制备，其结构为由背反射层、N型砷化镓、P型单壁碳纳米管，图形化金电极、减反射层等组成。电池由以下步骤制备：(1)在超薄外延生长N型砷化镓表面利用光刻技术制备由图形化镍锗金电极与介电层阵列组成的背反射层；(2)采用剥离工艺将沉积有背反射层的超薄N型砷化镓从基底表面剥离，并将其朝上放置；(3)旋涂制备P型单壁碳纳米管薄膜，并依次沉积图形化金电极和减反射层。本发明中砷化镓与单壁碳纳米管同时贡献光电流，利用两者之间超薄耗尽层缩短光生载流子的输运距离。同时，本发明通过图形化背电极和介电材料阵列来增加光子吸收长度，提高光电转换效率。
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公开(公告)号：CN111579594A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010463963.0
申请日：2020-05-27
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01N27/00
Abstract: 本发明公开了一种室温气体传感器在神经毒剂检测中的应用，属于气体检测技术领域。室温气体传感器主要包括铜底座，叉指电极，叉指电极固定并连接在铜底座上，叉指电极表面覆盖有传感材料薄膜，传感材料薄膜由二维过渡金属硫族化合物制得，二维过渡金属硫族化合物采用液相剥离法制备。本发明提供的基于二维过渡金属硫族化合物的室温气体传感器在室温下能够实现神经毒剂的高灵敏度和高选择性检测，且具有响应时间短，重复性好和稳定性强的特点。本发明首次提出将二维过渡金属硫族化合物材料应用于神经毒剂检测，这种方法对于神经毒剂检测提供了一种新的方向和策略，从而实现神经毒剂高性能检测的目的。
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公开(公告)号：CN111175349A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN202010005390.7
申请日：2020-01-03
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及一种可控构筑高性能气敏/湿敏传感器的方法，该方法为：以磁性亚微米材料为支撑体，将功能化的敏感纳米材料包覆在所述磁性亚微米材料的表面，之后分散于溶剂中制得敏感纳米材料溶液。构筑气敏或湿敏传感器过程中，利用磁场操控所述敏感材料在插指电极之间定向排列，待溶剂蒸发后，得到气敏或湿敏传感器。本发明利用气敏/湿敏材料与磁性支撑材料的有效组合，并在磁场操控下，使气敏/湿敏纳米材料可控地排布在插指电极间形成导电通道，显著提高了气敏/湿敏器件响应灵敏度，而且均匀排布的多导电通道可实现同批次器件性能均一的效果，本发明方法可作为提升气体/湿度传感器性能的一种通用策略。
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公开(公告)号：CN109920809A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910192143.X
申请日：2019-03-14
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L27/146 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供了一种X射线平板探测器及其制作方法。X射线平板探测器包括TFT背板、传感光电二极管矩阵面板、栅驱动信号电路系统、传感信号读取电路系统、图像信号处理电路系统以及其他的外围功能电路等部分。其中TFT背板是整个系统的重要部分，TFT可实现开关信号通道的功能。本发明的特别之处在于，在TFT背板中引入了多晶硅TFT技术，由于多晶硅TFT的沟道材料具有较大的电子迁移率，可有效提高TFT的开关速率，进而提高X射线平板探测器的数据读取速率，使平板探测器更加适合高速连续拍照的应用场合，有效提高了X射线平板探测器的性能，减少了鬼影和拖尾的现象。
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公开(公告)号：CN108767049A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810502999.8
申请日：2018-05-23
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/108 , H01L31/028 , H01L31/0352
Abstract: 本发明涉及一种基于碳纳米管/石墨烯肖特基结的高性能光电器件，包括：绝缘性基底，设置在绝缘性基底上表面两侧的电极对，位于电极对之间的碳纳米管网络，位于碳纳米管网络内的呈岛状的石墨烯。与现有技术相比，本发明采用岛状石墨烯与碳纳米管网络形成肖特基结构使得碳纳米管中的光生空穴转移并被限制于岛状石墨烯，大幅度降低了光生载流子复合几率，同时大幅降低由连续石墨烯作为导电沟道导致的暗电流，进而提高器件的光电性能。
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公开(公告)号：CN108362741A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810162282.3
申请日：2018-02-27
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明提供一种基于金属酞菁的气体传感器的制备方法及其使用方法，所述制备方法将金属酞菁溶于N,N-二甲基甲酰胺和水的混合溶液中，滴于电极上，干燥后形成覆盖于电极上的金属酞菁薄膜，所述电极为叉指电极。本发明还提供一种基于金属酞菁的气体传感器的使用方法，所述使用方法将传感器置于密闭腔体内，于所述密闭腔体内充入预设浓度的检测气体并维持预设浓度气体氛围，恢复时则于所述密闭腔体内充入干燥空气或氮气，并使用激光照射传感器，使检测气体脱附，该方法可有效解决现有技术中的金属酞菁气体传感器响应和恢复速度慢及无法常温检测的问题。
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公开(公告)号：CN105084416B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201510570019.4
申请日：2015-09-09
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及三维蜂窝状CuInS2纳米线阵列太阳能吸收材料制备方法，利用气固反应法制备的硫化亚铜纳米线阵列为自牺牲模板，以铟源、硫源为前驱体，通过控制溶剂热反应温度和反应时间即可制备出CuInS2三维蜂窝状纳米线阵列。与现有技术相比，本发明过程简单，安全可靠，成本低廉，能满足工业化要求；生产得到的三维蜂窝状CuInS2纳米线阵列薄膜有极大的比表面积、低反射率、极好的光捕获能力且带隙调整得到改善，在太阳能光伏电池及光催化领域有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN106024267A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610523055.X
申请日：2016-07-05
Applicant: 上海交通大学
CPC classification number: H01F10/14 , C23C18/1657 , C23C18/34 , H01F10/007 , H01F41/301
Abstract: 本发明提供了一种超薄磁性带刺镍箔的制备方法，包含以下步骤：步骤S1：制备含Ni2+前驱体液，具体为将氢氧化钠乙二醇的水溶液与Ni2+乙二醇的水溶液混合，搅拌后得到淡绿色的溶液；滴加水合肼并不断搅拌，得到蓝色的溶液；步骤S2：将含Ni2+前驱体液装入反应器中，于50℃～90℃下反应0.5～2.0h；步骤S3：取出生长于反应器壁上的镍箔，分离后洗涤数次后，进行干燥处理。本发明制备过程简单、无毒无污染、且成本较低，能满足大规模生产的需求。本发明生产得到的超薄磁性带刺镍箔为无支撑的，其厚度可薄到0.5～3.0μm，尺寸可达到几百平方厘米，且具有较好的机械性能。
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