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公开(公告)号：CN112331774B
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202011218194.4
申请日：2020-11-04
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种砷化镓/碳纳米管异质结超薄太阳能电池结构及其制备，其结构为由背反射层、N型砷化镓、P型单壁碳纳米管，图形化金电极、减反射层等组成。电池由以下步骤制备：(1)在超薄外延生长N型砷化镓表面利用光刻技术制备由图形化镍锗金电极与介电层阵列组成的背反射层；(2)采用剥离工艺将沉积有背反射层的超薄N型砷化镓从基底表面剥离，并将其朝上放置；(3)旋涂制备P型单壁碳纳米管薄膜，并依次沉积图形化金电极和减反射层。本发明中砷化镓与单壁碳纳米管同时贡献光电流，利用两者之间超薄耗尽层缩短光生载流子的输运距离。同时，本发明通过图形化背电极和介电材料阵列来增加光子吸收长度，提高光电转换效率。
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公开(公告)号：CN112331774A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011218194.4
申请日：2020-11-04
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种砷化镓/碳纳米管异质结超薄太阳能电池结构及其制备，其结构为由背反射层、N型砷化镓、P型单壁碳纳米管，图形化金电极、减反射层等组成。电池由以下步骤制备：(1)在超薄外延生长N型砷化镓表面利用光刻技术制备由图形化镍锗金电极与介电层阵列组成的背反射层；(2)采用剥离工艺将沉积有背反射层的超薄N型砷化镓从基底表面剥离，并将其朝上放置；(3)旋涂制备P型单壁碳纳米管薄膜，并依次沉积图形化金电极和减反射层。本发明中砷化镓与单壁碳纳米管同时贡献光电流，利用两者之间超薄耗尽层缩短光生载流子的输运距离。同时，本发明通过图形化背电极和介电材料阵列来增加光子吸收长度，提高光电转换效率。
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