公开(公告)号：CN105084416A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510570019.4

申请日：2015-09-09

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 苏言杰 ,  李明 ,  张亚非 ,  胡敬

IPC: C01G15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及三维蜂窝状CuInS2纳米线阵列太阳能吸收材料制备方法，利用气固反应法制备的硫化亚铜纳米线阵列为自牺牲模板，以铟源、硫源为前驱体，通过控制溶剂热反应温度和反应时间即可制备出CuInS2三维蜂窝状纳米线阵列。与现有技术相比，本发明过程简单，安全可靠，成本低廉，能满足工业化要求；生产得到的三维蜂窝状CuInS2纳米线阵列薄膜有极大的比表面积、低反射率、极好的光捕获能力且带隙调整得到改善，在太阳能光伏电池及光催化领域有很好的应用前景。

公开(公告)号：CN105084416B

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201510570019.4

申请日：2015-09-09

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 苏言杰 ,  李明 ,  张亚非 ,  胡敬

IPC: C01G15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及三维蜂窝状CuInS2纳米线阵列太阳能吸收材料制备方法，利用气固反应法制备的硫化亚铜纳米线阵列为自牺牲模板，以铟源、硫源为前驱体，通过控制溶剂热反应温度和反应时间即可制备出CuInS2三维蜂窝状纳米线阵列。与现有技术相比，本发明过程简单，安全可靠，成本低廉，能满足工业化要求；生产得到的三维蜂窝状CuInS2纳米线阵列薄膜有极大的比表面积、低反射率、极好的光捕获能力且带隙调整得到改善，在太阳能光伏电池及光催化领域有很好的应用前景。

公开(公告)号：CN106024267A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610523055.X

申请日：2016-07-05

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 张亚非 ,  胡敬 ,  苏言杰 ,  李明

IPC: H01F10/14 ,  H01F41/30 ,  C23C18/34

CPC classification number: H01F10/14 ,  C23C18/1657 ,  C23C18/34 ,  H01F10/007 ,  H01F41/301

Abstract: 本发明提供了一种超薄磁性带刺镍箔的制备方法，包含以下步骤：步骤S1：制备含Ni2+前驱体液，具体为将氢氧化钠乙二醇的水溶液与Ni2+乙二醇的水溶液混合，搅拌后得到淡绿色的溶液；滴加水合肼并不断搅拌，得到蓝色的溶液；步骤S2：将含Ni2+前驱体液装入反应器中，于50℃～90℃下反应0.5～2.0h；步骤S3：取出生长于反应器壁上的镍箔，分离后洗涤数次后，进行干燥处理。本发明制备过程简单、无毒无污染、且成本较低，能满足大规模生产的需求。本发明生产得到的超薄磁性带刺镍箔为无支撑的，其厚度可薄到0.5～3.0μm，尺寸可达到几百平方厘米，且具有较好的机械性能。