一种基于碳纳米管/石墨烯肖特基结的高性能光电器件

    公开(公告)号:CN108767049B

    公开(公告)日:2020-03-10

    申请号:CN201810502999.8

    申请日:2018-05-23

    Abstract: 本发明涉及一种基于碳纳米管/石墨烯肖特基结的高性能光电器件,包括:绝缘性基底,设置在绝缘性基底上表面两侧的电极对,位于电极对之间的碳纳米管网络,位于碳纳米管网络内的呈岛状的石墨烯。与现有技术相比,本发明采用岛状石墨烯与碳纳米管网络形成肖特基结构使得碳纳米管中的光生空穴转移并被限制于岛状石墨烯,大幅度降低了光生载流子复合几率,同时大幅降低由连续石墨烯作为导电沟道导致的暗电流,进而提高器件的光电性能。

    一种纳米碳/磷化铟量子点异质结的制备方法

    公开(公告)号:CN106564879A

    公开(公告)日:2017-04-19

    申请号:CN201610913464.0

    申请日:2016-10-20

    Abstract: 本发明涉及一种纳米碳/磷化铟量子点异质结的制备方法,将纳米碳与油胺/异丙醇溶液混合超声处理至分散均匀,然后离心分离出功能化的纳米碳;将功能化的纳米碳与氯化铟、油胺加入到反应器中并在氮气保护条件下搅拌加热除水蒸气,待氯化铟完全溶解得到纳米碳‑氯化铟混合溶液,然后后升温至反应温度,再将三(二甲胺基)膦/油胺溶液注射到纳米碳‑氯化铟混合溶液中开始反应并控制反应时间,反应结束冷却至室温,对产物进行离心分离,并加乙醇/氯仿混合溶剂进行溶解、分离,得到纳米碳/磷化铟量子点异质结材料。与现有技术相比,本发明采用一步法合成制备纳米碳/InP量子点异质结材料,具有操作简单、反应条件温和、可控性强,结合强度高等优点。

    一种基于碳纳米管/石墨烯肖特基结的高性能光电器件

    公开(公告)号:CN108767049A

    公开(公告)日:2018-11-06

    申请号:CN201810502999.8

    申请日:2018-05-23

    Abstract: 本发明涉及一种基于碳纳米管/石墨烯肖特基结的高性能光电器件,包括:绝缘性基底,设置在绝缘性基底上表面两侧的电极对,位于电极对之间的碳纳米管网络,位于碳纳米管网络内的呈岛状的石墨烯。与现有技术相比,本发明采用岛状石墨烯与碳纳米管网络形成肖特基结构使得碳纳米管中的光生空穴转移并被限制于岛状石墨烯,大幅度降低了光生载流子复合几率,同时大幅降低由连续石墨烯作为导电沟道导致的暗电流,进而提高器件的光电性能。

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