公开(公告)号：CN101671001B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200910308291.X

申请日：2009-10-15

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 张亚非 ,  苏言杰 ,  李子炯

IPC: B82B3/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体性单壁碳纳米管的制备方法，以过渡金属为催化剂，将催化剂、硫粉和纯度为99.99％的石墨粉按比例充分混合后制得阳极石墨棒，将制得的阳极石墨棒放在冲有缓冲气体的电弧室内与石墨阴极正对。通过控制阴阳两极间的放电电压和放电电流，使电弧室的阴阳两极发生电弧放电，即可制得半导体性单壁碳纳米管。本发明采用电弧法通过掺杂硫粉直接制备半导体性单壁碳纳米管，工艺简单、产率高，制备的半导体性单壁碳纳米管结构缺陷少，提高了CNT基晶体管的电子迁移率。

公开(公告)号：CN101671001A

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：CN200910308291.X

申请日：2009-10-15

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 张亚非 ,  苏言杰 ,  李子炯

IPC: B82B3/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体性单壁碳纳米管的制备方法，以过渡金属为催化剂，将催化剂、硫粉和纯度为99.99％的石墨粉按比例充分混合后制得阳极石墨棒，将制得的阳极石墨棒放在冲有缓冲气体的电弧室内与石墨阴极正对。通过控制阴阳两极间的放电电压和放电电流，使电弧室的阴阳两极发生电弧放电，即可制得半导体性单壁碳纳米管。本发明采用电弧法通过掺杂硫粉直接制备半导体性单壁碳纳米管，工艺简单、产率高，制备的半导体性单壁碳纳米管结构缺陷少，提高了CNT基晶体管的电子迁移率。