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公开(公告)号：CN116686397A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202180089798.X
申请日：2021-06-17
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H05K3/46
Abstract: 本发明涉及一种用于通过如下操作在印刷电路板中制作集成冷却液腔的方法和装置：将功率半导体管芯插入介电材料中；在所述介电材料的每一侧上用介电材料和薄导电层层压所述介电材料；钻出穿过层压的铜和介电层的过孔；将所述过孔金属化以形成第一印刷电路板；将介电材料、具有预定形式的可溶性材料和导电层层压在所述第一印刷电路板上；将溶剂注入所述可溶性材料中以溶解所述可溶性材料并显露腔；将冷却液注入所述显露的腔中。
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公开(公告)号：CN111373526B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN201880072356.2
申请日：2018-10-31
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及一种用于允许恢复电源模块的管芯的互连部的系统，互连部的第一端子固定在管芯上并且互连部的第二端子连接到电路。系统包括：位于互连部的第一端子附近的至少一种材料，该材料具有预定熔化温度，用于在预定时间段期间将管芯的温度控制在所述预定熔化温度的装置。本发明还涉及方法。
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公开(公告)号：CN114829956A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202080086872.8
申请日：2020-10-23
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本公开涉及一种用于估计电力半导体元件的结的参数的方法，其包括：*‑通过对半导体模块(1)的Von、Ion、Tc的测量值(2,3,4)检测至少一个稳定在线操作条件，其中，Ion是半导体的通态电压Von对温度敏感的电流，并且Tc是所述半导体元件的外壳的温度；*‑测量并存储所述至少一个稳定操作条件的至少一个参数集合Von、Ion、Tc；*‑在计算单元(52)中，提供用于最小化包括第一未知参数集θelec的电气模型Tj＝F(Von,Ion,θelec)的结温估计Tj与包括第二未知参数集θmod的损耗/热模型Tj＝(Ion,Tc,θmod)的另一个结温估计Tjmod之间的误差的计算，并且获得至少一个参数集θelec和至少一个参数集θmod以提供所述误差的最小化；*‑为所计算的Tj的值提供所计算的参数集θlec和/或θmod中以及所测量的Von、Ion、Tc中的至少一个；*‑存储至少一个参数集θelec和/或θmod和/或Tj。
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公开(公告)号：CN107710085B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201680036925.9
申请日：2016-06-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G05B19/4065 , G05B23/02
Abstract: 本发明涉及一种用于估计电装置的损坏程度的方法。该方法包括以下步骤：‑形成与被执行损坏程度估计的电装置有关的工作周期的直方图；‑将所形成的直方图与直方图集的直方图或与所述直方图集的直方图组合进行比较，以确定与所形成的直方图最接近的所述直方图集的直方图或直方图组合，该直方图集的各直方图与损坏程度关联；以及‑根据最接近的直方图的损坏程度或根据最接近的直方图组合的直方图的损坏程度确定该电装置的损坏程度的估计。
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公开(公告)号：CN113474982A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN201980090977.8
申请日：2019-11-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02M1/32 , H02M1/38 , H03K17/082 , H02M1/00 , H03K17/06
Abstract: 本发明涉及一种用于保护半桥转换器的至少两个功率半导体的系统，第一功率半导体的漏极连接到正电源，第一功率半导体的源极连接到负载和第二功率半导体的漏极，第二功率半导体的源极连接到负电源。根据本发明，由第一电流微分感测装置和第二电流微分感测装置感测经过第一功率半导体的电流，由第三电流微分感测装置和第四电流微分感测装置感测经过第二半导体的电流，当经过第一功率半导体的电流增加时第一电流微分装置提供正电压并且第二电流微分装置提供相反的负电压，当经过第二功率半导体的电流增加时第三电流微分装置提供正电压并且第四电流微分装置提供相反的电压，并且该系统在第一电流微分装置和第三电流微分装置提供相同符号的电压的情况下降低第一功率半导体的栅极上的电压，并且在第二电流微分装置和第三电流微分装置提供相同符号的电压的情况下降低第二功率半导体的栅极上的电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113474667A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202080015436.1
申请日：2020-01-16
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及用于监测功率半导体(SI)的栅极信号的方法及装置，功率半导体(SI)的栅极信号由栅极驱动器(12)提供，生成与在栅极驱动器(12)和/或功率半导体(SI)和/或联接至功率半导体(SI)的负载不存在劣化时由栅极驱动器(12)输出的信号相对应的预期信号(VGexp)；比较预期信号(VGexp)和由栅极驱动器(12)输出的信号(VGmeas)；使用预期信号(VGexp)与由栅极驱动器(12)输出的信号(VGmeas)的比较结果，来确定栅极驱动器(12)和/或功率半导体(SI)和/或联接至功率半导体(SI)的负载是否存在劣化。
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公开(公告)号：CN108885231B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201780017064.4
申请日：2017-02-15
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及一种用于估计功率半导体模块(10)的损坏程度或寿命预期的方法，该功率半导体模块(10)包括在机械和电气上附接到陶瓷基板(104)的至少一个芯片(100a、100b)。陶瓷基板(104)具有压电特性，并且方法包括以下步骤：控制至少一个功率芯片(100a、100b)，对至少一个功率芯片(100a、100b)的控制在陶瓷基板(104)上阐述电位的变化；获得表示陶瓷基板(104)的机械变形的信息；根据所获得的信息和基准信息确定是否需要执行指示损坏程度或寿命预期的通知；以及如果确定步骤确定需要执行通知，则通知损坏程度或寿命预期。
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公开(公告)号：CN111937308A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201980020758.2
申请日：2019-03-06
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03K17/042 , H03K17/16
Abstract: 本发明涉及用于控制向负载提供电流的半导体功率开关的从导通状态到非导通状态或从非导通状态到导通状态的切换的装置及方法，该装置接收旨在驱动半导体功率开关的输入信号。本发明：‑感测流过半导体功率开关的漏‑源电流的微分值以便获得表示感测到的漏‑源电流的微分值的电压，‑放大表示感测到的漏‑源电流的微分值的电压，‑在给定时间段期间将放大后的表示感测到的漏‑源电流的微分值的电压与输入信号相加。
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公开(公告)号：CN111373526A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201880072356.2
申请日：2018-10-31
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及一种用于允许恢复电源模块的管芯的互连部的系统，互连部的第一端子固定在管芯上并且互连部的第二端子连接到电路。系统包括：位于互连部的第一端子附近的至少一种材料，该材料具有预定熔化温度，用于在预定时间段期间将管芯的温度控制在所述预定熔化温度的装置。本发明还涉及方法。
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公开(公告)号：CN110663112A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201880031155.8
申请日：2018-05-01
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L25/07 , H01L23/427 , H01L21/48
Abstract: 本发明涉及包括第一和第二部分(100a、100b)的功率模块，第一部分包括导体层和绝缘层，其中，第一导体层位于第一部分的底部，第二部分包括至少一个第二导体层，第一导体层和/或第二导体层包括当第一导体层和第二导体层接触时形成管道(300a、300b)的空腔，并且第一导体层和第二导体层通过管道壁的金属镀覆(400a、400g)接合在一起。
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