扫描装置
    47.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1964419A

    公开(公告)日:2007-05-16

    申请号:CN200610136250.3

    申请日:2006-10-19

    Abstract: 一种具有光源部件的扫描装置,该光源部件将扫描光束扫描到原始文档上,该扫描装置包括:具有光输入部分和光输出部分的框架;设置在框架中并将从光输入部分进入的扫描光束沿预定光路反射到光输出部分的反射镜;支撑在光输出部件上并接收被反射镜反射的扫描光束的光接收部件;和用于将光源部件支撑在框架上的光源支撑构件,从而被光源部件扫描并在原始文档上反射的光束经由光输入部件沿光路前行,多个不同的光源部件适于容纳在框架中。由此,本发明提供一种可适用具有不同光特性的不同光源部件的扫描装置。

    用于驱动聚合连锁反应芯片的温度控制方法和设备

    公开(公告)号:CN1509429A

    公开(公告)日:2004-06-30

    申请号:CN02810161.8

    申请日:2002-11-22

    Abstract: 公开了一种用于驱动聚合连锁反应(PCR)芯片的温度控制方法和设备。在用于聚合连锁反应芯片的温度控制设备中,PCR芯片从外部接收电力并产生热以保持预定的温度,并向外部输出实际的温度信息。电源单元根据输入控制信号向PCR芯片提供电力,控制器根据控制信息产生控制信号,以便将控制信号提供给电源单元,其中,该控制信息包括预定的控制温度和控制时间信息以及由PCR芯片提供的实际温度信息。在本发明中,由于温度控制设备同时控制几个DNA样品的温度,因而可以同时检查各种DNA的样品。

    MOS晶体管及其制造方法
    50.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1399319A

    公开(公告)日:2003-02-26

    申请号:CN02106771.6

    申请日:2002-03-07

    Inventor: 李东勋

    CPC classification number: H01L29/66477 H01L21/26506 H01L29/6656 H01L29/78

    Abstract: 一种MOS晶体管及其制造方法,该晶体管包括在半导体衬底的整个表面上被形成为具有不同厚度的栅极多晶氧化物层。在半导体衬底上形成栅极氧化物层构图和栅极导电层构图。掩蔽层构图形成在半导体衬底和栅极导电层构图上,使得栅极导电层构图被掩蔽层构图完全覆盖。利用掩蔽层构图将半导体衬底制成非晶的。除去掩蔽层构图,然后在半导体衬底的整个表面上沉积栅极多晶氧化物层。栅极间隔层沉积在栅极多晶氧化物层上,且通过各向异性蚀刻栅极间隔层和栅极多晶氧化物层而形成栅极间隔。在半导体衬底上形成源极/漏极区。因而,可以防止对半导体衬底的损伤,可以较薄地形成结区并提高MOS晶体管的性能。

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