公开(公告)号：CN102916016A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201210272796.7

申请日：2012-08-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金度贤 ,  姜闰浩 ,  李东勋 ,  朴常镐 ,  柳世桓 ,  金澈圭 ,  李镕守 ,  赵圣行 ,  张宗燮 ,  金东朝 ,  李政奎

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1237 ,  H01L27/1262 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/45 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管阵列面板。根据本发明示例性实施方式的薄膜晶体管阵列面板包括：设置在基板上的栅极布线层；设置在栅极布线层上的氧化物半导体层；以及设置在氧化物半导体层上的数据布线层，其中数据布线层包括包含铜的主布线层和设置在主布线层上且包含铜合金的盖层。

公开(公告)号：CN102610618A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201210009563.8

申请日：2012-01-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 俞炯硕 ,  金周汉 ,  李制勋 ,  金圣训 ,  李政奎 ,  郑敞午

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/4908 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，包括：基板；定位在基板上的栅线；与栅线交叉的数据线；连接至栅线和数据线的薄膜晶体管；在薄膜晶体管的栅电极与薄膜晶体管的半导体之间的栅绝缘层；连接至薄膜晶体管的像素电极；以及定位在像素电极与薄膜晶体管之间的钝化层，其中，栅绝缘层和钝化层中的至少一个包括氮化硅层，并且氮化硅层包括小于2×1022原子数/cm3或4原子％的氢含量。