公开(公告)号：CN102916016A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201210272796.7

申请日：2012-08-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金度贤 ,  姜闰浩 ,  李东勋 ,  朴常镐 ,  柳世桓 ,  金澈圭 ,  李镕守 ,  赵圣行 ,  张宗燮 ,  金东朝 ,  李政奎

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1237 ,  H01L27/1262 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/45 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管阵列面板。根据本发明示例性实施方式的薄膜晶体管阵列面板包括：设置在基板上的栅极布线层；设置在栅极布线层上的氧化物半导体层；以及设置在氧化物半导体层上的数据布线层，其中数据布线层包括包含铜的主布线层和设置在主布线层上且包含铜合金的盖层。

公开(公告)号：CN101447226B

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN200810110214.9

申请日：2008-06-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金澈圭 ,  姜闰浩 ,  金基俊

IPC: G11C11/56

CPC classification number: G11C11/5678 ,  G11C13/0004

Abstract: 提供了一种操作相变存储装置的方法，该相变存储装置包括相变层和向相变层施加电压的单元。所述方法包括：向相变层施加复位电压，其中，复位电压包括被连续施加的至少两个脉冲电压。

公开(公告)号：CN101447226A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200810110214.9

申请日：2008-06-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金澈圭 ,  姜闰浩 ,  金基俊

IPC: G11C11/56

CPC classification number: G11C11/5678 ,  G11C13/0004

Abstract: 提供了一种操作相变存储装置的方法，该相变存储装置包括相变层和向相变层施加电压的单元。所述方法包括：向相变层施加复位电压，其中，复位电压包括被连续施加的至少两个脉冲电压。