公开(公告)号：CN1970564A

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN200610071134.8

申请日：2006-02-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正贤 ,  姜闰浩

IPC: C07F7/10 ,  H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  C23C16/00

CPC classification number: C23C16/305 ,  C07F7/10 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616

Abstract: 一种包含Te、15族化合物(如N)和/或14族化合物(如Si)的Te前体，一种制备该Te前体的方法，一种包含所述Te前体的含Te的硫族化物薄层，一种制备该薄层的方法，及一种相变存储设备。所述Te前体可以在较低温度下沉积形成掺有15族化合物(如N)和/或14族化合物(如Si)的含Te的硫族化物薄层。举例来说，在较低沉积温度下，Te前体可以使用等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)或等离子体增强的原子层沉积(PEALD)。使用所述Te前体形成的掺有15族化合物(如N)和/或14族化合物(如Si)的GST相变层的重置电流可以降低，从而当使用包含它的存储设备时，其集成是可能的，并且更高容量和/或更快速度的操作也是可能的。

公开(公告)号：CN1935819A

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN200610107498.7

申请日：2006-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正贤 ,  徐范锡

IPC: C07F15/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/448

CPC classification number: C07F15/0053

Abstract: 本发明提供一种能够容易分解而不与氧化剂反应的有机－金属前体材料，及利用该有机－金属前体材料制备金属薄膜的方法。所述有机－金属前体材料为具有孤对电子的有机分子，并具有配位共价键的结构，所述具有孤对电子的有机分子选自醚、胺、四氢呋喃(THF)、膦和亚磷酸酯。

公开(公告)号：CN1909194A

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN200610105892.7

申请日：2006-07-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 具俊谟 ,  徐范锡 ,  朴永洙 ,  李正贤 ,  申尚旻 ,  金锡必

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/02 ,  H01L21/82 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L21/02197 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/65

Abstract: 本发明提供了能够增加贵金属层在铁电层上的沉积速率的制造材料层的方法、使用该材料层的铁电电容器的制造方法、通过该方法制造的铁电电容器、以及具有该铁电电容器的半导体存储器及其制造方法。根据制造材料层的方法，形成了铁电电容器。之后，将铁电层暴露于籽等离子体，包括籽等离子体的源材料的材料层形成在铁电层暴露于籽等离子体的区域上。

公开(公告)号：CN1783336A

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：CN200510116550.0

申请日：2005-08-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正贤 ,  朴永洙

IPC: G11C11/15 ,  H01L43/08 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L45/122 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明提供一种电阻多层器件和非易失性存储器。该电阻多层器件包括：含有第一材料的第一层，该第一材料是导电的；设置在该第一层上的第二层，其中该第二层含有第二材料，通过使电流流经该第二材料，该第二材料具有在反铁磁态和顺磁态之间可转换的态；设置在该第二层上的第三层；以及设置在该第一和第三层之间的第四层，其中该第四层含有电介质材料，其中该第三层含有导电的第三材料，该第二层在反铁磁态具有与其在顺磁态的电阻不同的电阻，在没有施加电力时，该第二材料的状态被保持。该电阻多层器件可以形成为非易失性存储器的存储单元的一部分，其中基于该第二材料的状态，信息被存储在该存储单元中。

公开(公告)号：CN1247813C

公开(公告)日：2006-03-29

申请号：CN02121850.1

申请日：2002-05-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正贤 ,  金大植 ,  闵约赛 ,  曹永真

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: C23C16/409 ,  C23C16/308 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45542

Abstract: 本发明提供一种包括多种组分的薄膜及形成该薄膜的方法。基底装入反应室中。单位材料层形成在基底上。该单位材料层为镶嵌的原子层(MAL)，由两种含有构成薄膜组分的前导粒子组成。清洗反应室的内部。通过化学方法改变MAL。

公开(公告)号：CN1737193A

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：CN200510096501.5

申请日：2005-08-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正贤 ,  相崔俊

IPC: C23C16/00 ,  C23C16/513 ,  C23C16/06 ,  C23C16/40

CPC classification number: C23C16/18 ,  H01L21/28562

Abstract: 本发明提供一种利用氧化还原反应沉积贵金属电极的方法。该方法包括向反应室中注入贵金属源气体、氧化气体和还原气体；及在该反应室中产生等离子体，以在底部结构上形成贵金属层或贵金属氧化物层。由此，该贵金属电极具有优异的层质量。

公开(公告)号：CN1694256A

公开(公告)日：2005-11-09

申请号：CN200510076258.0

申请日：2005-05-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴永洙 ,  李正贤 ,  赵重来 ,  具俊谟 ,  金锡必 ,  申尚旻

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L28/91 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65

Abstract: 提供了一种存储设备的电容器及其制造方法，用于实现高集成度的半导体存储设备并保持优良的疲劳特性。在具有晶体管结构的存储设备的电容器中，电容器包括形成在晶体管结构的掺杂区上的、包括金属电极和金属氧化物电极的下部电极，围绕下部电极的铁电层，和形成在铁电层上的上部电极。

公开(公告)号：CN1617337A

公开(公告)日：2005-05-18

申请号：CN200410090304.8

申请日：2004-08-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正贤 ,  徐范锡

IPC: H01L27/00 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L28/56 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31691

Abstract: 本发明提供了一种半导体设备的电容器以及包括同样电容器的存储器设备。电容器包括下部电极、具有多个带隙并且形成于下部电极上的介电层、以及上部电极。介电层包括具有第一带隙并且形成于下部电极上的第一介电层、具有第二带隙并且形成于第一介电层上的第二介电层、以及具有第三带隙并且形成于第二介电层上的第三介电层。

公开(公告)号：CN1495867A

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN03147080.7

申请日：2003-08-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹永真 ,  闵约赛 ,  朴永洙 ,  李正贤 ,  李俊冀 ,  李容均

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/28185 ,  C01G29/006 ,  C01P2002/36 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/77 ,  C01P2002/85 ,  C01P2002/89 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/80 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/16 ,  C04B35/475 ,  C04B35/6264 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/444 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/76 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/55 ,  H01L29/516 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明提供一种具有烧绿石相的铋钛硅氧化物，一种由铋钛硅氧化物形成的薄膜，以及制备这种铋钛硅氧化物薄膜的方法，用于半导体设备并包含这种铋钛硅氧化物薄膜的电容器和晶体管，采用了这种电容器和/或晶体管的电子设备。铋钛硅氧化物具有良好的介电性质，并且其是热稳定以及化学稳定的。铋钛硅氧化物薄膜可以有效的应用于半导体设备中作为电容器的介电薄膜或者晶体管的门极介电薄膜。应用具有铋钛硅氧化物薄膜的电容器和/或晶体管可以制备出具有良好的电特性的各式电子设备。

公开(公告)号：CN1469439A

公开(公告)日：2004-01-21

申请号：CN02150443.1

申请日：2002-11-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正贤 ,  闵约赛 ,  曹永真

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/70

CPC classification number: H01L21/28194 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31683 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/56 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: 提供了一种在基片上沉积介电层的方法。将用来防止下部电极的氧化和扩散的氧化隔离层插入基片和介电层之间以及介电层之间的界面中。由此，获得具有低漏电流和高电容的电容器。此外，通过调整晶格常数来控制介电常数，以便在大规模基片上形成具有高介电常数的多层结构。