公开(公告)号：CN1737193A

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：CN200510096501.5

申请日：2005-08-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正贤 ,  相崔俊

IPC: C23C16/00 ,  C23C16/513 ,  C23C16/06 ,  C23C16/40

CPC classification number: C23C16/18 ,  H01L21/28562

Abstract: 本发明提供一种利用氧化还原反应沉积贵金属电极的方法。该方法包括向反应室中注入贵金属源气体、氧化气体和还原气体；及在该反应室中产生等离子体，以在底部结构上形成贵金属层或贵金属氧化物层。由此，该贵金属电极具有优异的层质量。

公开(公告)号：CN1737193B

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200510096501.5

申请日：2005-08-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正贤 ,  相崔俊

IPC: C23C16/00 ,  C23C16/513 ,  C23C16/06 ,  C23C16/40

CPC classification number: C23C16/18 ,  H01L21/28562

Abstract: 本发明提供一种利用氧化还原反应沉积贵金属电极的方法。该方法包括向反应室中注入贵金属源气体、氧化气体和还原气体；及在该反应室中产生等离子体，以在底部结构上形成贵金属层或贵金属氧化物层。由此，该贵金属电极具有优异的层质量。