公开(公告)号：CN105226127A

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201510654191.8

申请日：2015-10-12

Applicant: 南开大学

Inventor： 刘智波 ,  辛巍 ,  邢飞 ,  陈旭东 ,  田建国

IPC: H01L31/09 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/09 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/1876

Abstract: 本发明公开了一种基于全内反射结构的石墨烯光电探测及其制备方法，该探测器自上而下依次是表面电极、石墨烯层、玻璃片、折射率匹配液、棱镜，入射光通过棱镜在玻璃片与石墨烯层的界面发生全内反射。它的制备方法包括如下步骤：将石墨烯转移至洁净的玻璃上，再在石墨烯层上制作表面电极；通过折射率匹配液将覆盖有石墨烯的玻璃片贴附到棱镜上。本发明通过全内反射结构下的光与石墨烯相互作用，可以实现大面积石墨烯光电探测，在宽的光谱范围内增强石墨烯的光电响应，并保留了石墨烯快的光电响应速度，同时对不同偏振的入射其光电响应着明显的偏振依赖性。

公开(公告)号：CN105190260A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201480013024.9

申请日：2014-03-07

Applicant: ams有限公司

Inventor： 尤金·G·迪施克 ,  托德·毕晓普 ,  马里奥·曼宁格

IPC: G01J1/42

CPC classification number: G01J1/429 ,  G01J1/0437 ,  G01J1/4228 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/09 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/13024

Abstract: 光电二极管(2)和另一光电二极管(3)被布置在衬底(1)中在主表面(10)处或主表面(10)附近。以这样的方式来形成和布置光电二极管：使得在入射紫外辐射(26)的情况下，来自光电二极管(2)的电信号大于来自另一光电二极管(3)的另一电信号。特别地，第一光电二极管可以比另一光电二极管对紫外辐射更敏感。通过另一电信号来衰减来自该光电二极管的电信号，从而产生主要测量入射紫外辐射的电信号。可以通过内部地使用集成电路(25)或外部地使用单独装置来实现来自第一光电二极管的电信号的衰减。

公开(公告)号：CN105161508A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201510547799.0

申请日：2015-08-31

Applicant: 上海集成电路研发中心有限公司

Inventor： 康晓旭

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/09 ,  H01L31/0232 ,  B81B7/02 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L27/146 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14683 ,  H01L31/09

Abstract: 本发明提供了增强红外透过性的混合成像探测器像元结构及其制备方法，将可见光感应区域和红外感应区域集成在芯片中，通过在红外感应部件下方且在可见光感应部件上方的晶圆表面形成具有光滑凸起表面的红外增透材料，再加上晶圆本身对可见光的过滤，可以提高红外光进入微桥结构的比率，进而提高了红外感应部件的成像质量，而且使可见光红外混合成像微型化、芯片化成为可能。

公开(公告)号：CN105161507A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201510546375.2

申请日：2015-08-31

Applicant: 上海集成电路研发中心有限公司

Inventor： 康晓旭

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/09 ,  H01L31/02 ,  B81B7/02 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L27/146 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14683 ,  H01L31/09

Abstract: 本发明提供了双层可见光红外混合成像探测器像元结构及其制备方法，包括：衬底；位于衬底下表面的可见光感应区域、金属互连以及位于衬底上表面的红外感应区域；红外感应区域包括：第一、第二红外感应结构、接触沟槽结构、支撑部件、介质层；第一红外感应结构位于介质层上；第一红外感应结构与第二红外感应结构都与接触沟槽结构相连，接触沟槽结构与金属互连相连，通过接触沟槽结构将第一红外感应结构和第二红外感应结构所形成的电信号传输到金属互连；第一红外感应结构下方的衬底中具有第一空腔，第二红外感应结构与第一红外感应结构之间具有第二空腔；支撑部件与第二红外感应结构之间具有第三空腔；具有第四释放孔的介质层下方的衬底中具有第四空腔。

公开(公告)号：CN105047674A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201510477837.X

申请日：2015-08-06

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 孙建明 ,  牛犇

IPC: H01L27/12 ,  H01L31/101

CPC classification number: H01L27/1443 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1446 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/09 ,  H01L31/101

Abstract: 本发明公开了一种阵列基板及其制备方法和显示装置，该阵列基板包括：衬底基板和形成于衬底基板上的至少一个紫外检测结构，所述紫外检测结构包括：感光图形和形成于所述感光图形上的第一电极图形和第二电极图形。本发明的技术方案通过将紫外检测结构设置在阵列基板上，即直接将紫外检测结构制备于阵列基板上，因此无需进行将紫外检测结构与显示装置进行固定的工艺，从而不存在固定过程中对显示装置造成损坏的风险。

公开(公告)号：CN103094290B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201210207827.0

申请日：2012-06-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖志育 ,  杜友伦 ,  黄志辉 ,  吴政达 ,  蔡嘉雄 ,  陈昆仑

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/223 ,  H01L21/2255 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685 ,  H01L31/09

Abstract: 本发明提供了一种半导体图像传感器器件。该图像传感器器件包括衬底。该图像传感器器件包括设置在衬底中的第一像素和第二像素。第一和第二像素是相邻的像素。该图像传感器器件包括设置在衬底中以及第一和第二像素之间的隔离结构。该图像传感器器件包括设置在衬底中以及第一和第二像素之间的掺杂隔离器件。该掺杂隔离器件以共形方式围绕隔离结构。本发明还提供了一种采用共形掺杂的图像传感器沟槽隔离。

公开(公告)号：CN104810425A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201410035671.1

申请日：2014-01-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 冯飞 ,  林立伟 ,  杨晨 ,  王跃林

IPC: H01L31/09 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/09 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/1884

Abstract: 本发明提供一种紫外探测器及其制作方法，该探测器从下而上依次由绝缘衬底、下电极、紫外敏感薄膜、金属上电极和石墨烯透明电极构成。所述下电极分为两种：一种是由单金属或复合金属薄膜；另一种下电极由透明导电薄膜ITO和制作在该薄膜上环绕在紫外敏感薄膜周围的金属电极构成，环状金属电极与ITO薄膜之间为欧姆接触，环状金属电极由金或铂构成。紫外敏感薄膜可以是氮化镓、掺铝氮化镓、氧化锌、掺镁氧化锌、碳化硅和金刚石中的某一种材料。金属上电极由金或铂构成，可采用长条状或环状或网状结构。完整的石墨烯透明电极覆盖在紫外敏感薄膜和大部分金属上电极上方。本发明所涉及的紫外探测器具有紫外辐射透过率高、量子效率高的特点。

公开(公告)号：CN103180963B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201180048331.7

申请日：2011-07-05

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 濑户弘之 ,  中川原修 ,  下藤奏子

IPC: H01L31/0248

CPC classification number: H01L31/09 ,  H01L31/0224

Abstract: 本发明涉及光检测元件和该光检测元件的制造方法。该光检测元件中，由ZnO构成主成分的感应层1形成在基板3的表面，而且在该感应层1的表面隔着规定间隔t（例如，5～10μm）相对状地配置一对电极2a、2b，形成所谓平面型结构。另外，在感应层1露出表面的规定间隔部分5和电极2a、2b的端部形成由ZnO构成主成分的非感应层4，在该非感应层4的表面形成由SiO2等构成的绝缘保护膜6。由此，实现能够抑制暗电流、具有良好的过渡特性和下降特性，并且分光特性也优异的高性能的紫外线传感器等的光检测元件。在基板的表面形成电极和感应层，在感应层的表面依次形成非感应层和绝缘保护膜时也能够得到同样的效果。

公开(公告)号：CN104752534A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201510206393.6

申请日：2015-04-27

Applicant: 南京大学

Inventor： 康琳 ,  赵丽敏 ,  顾鹏 ,  吴培亨

IPC: H01L31/0304 ,  H01L31/18 ,  G01J1/42

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/09 ,  G01J1/42 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种超导纳米线单光子探测器，由N个串联的超导纳米线单元、N个不同阻值的并联电阻和光学谐振腔组成，所述N个不同阻值的电阻分别并联在N个超导纳米线单元的两端，所述光学谐振腔覆盖在N个串联的超导纳米线单元上层。本发明不仅能够实现光子数分辨，同时还具备了空间分辨的能力。本发明还公开了一种制备如上所述的超导纳米线单光子探测器的方法，整个工艺流程只需要进行一次纳米线图形的电子束曝光，有效降低了器件的制备成本。

公开(公告)号：CN102290480B

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201110151861.6

申请日：2007-06-19

Applicant: PI公司

Inventor： 迈克尔·S·马佐拉

IPC: H01L31/09 ,  H01L31/11 ,  H01L31/0312 ,  H03K17/78

CPC classification number: H01L31/028 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/09 ,  H01L31/1105 ,  H03K17/78 ,  Y10S438/917 ,  Y10S438/931

Abstract: 一种用于制造功率器件和电路的光活性材料，其与影响功率电子器件和电路的光学控制的传统方法相比具有显著的性能优势。碳化硅光活性材料通过与硼相关的D中心补偿浅施主而形成。由此产生的材料可为n型或p型，但其与其他材料的区别在于，当其被光子能量超过从D中心激发光电子至接近于导带边缘所允许的状态所需的阈值能量的电磁辐射照射时，可在其中导致持续的光电导性，其由多型变化为多型。