公开(公告)号：CN103180963B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201180048331.7

申请日：2011-07-05

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 濑户弘之 ,  中川原修 ,  下藤奏子

IPC: H01L31/0248

CPC classification number: H01L31/09 ,  H01L31/0224

Abstract: 本发明涉及光检测元件和该光检测元件的制造方法。该光检测元件中，由ZnO构成主成分的感应层1形成在基板3的表面，而且在该感应层1的表面隔着规定间隔t（例如，5～10μm）相对状地配置一对电极2a、2b，形成所谓平面型结构。另外，在感应层1露出表面的规定间隔部分5和电极2a、2b的端部形成由ZnO构成主成分的非感应层4，在该非感应层4的表面形成由SiO2等构成的绝缘保护膜6。由此，实现能够抑制暗电流、具有良好的过渡特性和下降特性，并且分光特性也优异的高性能的紫外线传感器等的光检测元件。在基板的表面形成电极和感应层，在感应层的表面依次形成非感应层和绝缘保护膜时也能够得到同样的效果。

公开(公告)号：CN103180963A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201180048331.7

申请日：2011-07-05

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 濑户弘之 ,  中川原修 ,  下藤奏子

IPC: H01L31/0248

CPC classification number: H01L31/09 ,  H01L31/0224

Abstract: 本发明涉及光检测元件和该光检测元件的制造方法。该光检测元件中，由ZnO构成主成分的感应层1形成在基板3的表面，而且在该感应层1的表面隔着规定间隔t（例如，5～10μm）相对状地配置一对电极2a、2b，形成所谓平面型结构。另外，在感应层1露出表面的规定间隔部分5和电极2a、2b的端部形成由ZnO构成主成分的非感应层4，在该非感应层4的表面形成由SiO2等构成的绝缘保护膜6。由此，实现能够抑制暗电流、具有良好的过渡特性和下降特性，并且分光特性也优异的高性能的紫外线传感器等的光检测元件。在基板的表面形成电极和感应层，在感应层的表面依次形成非感应层和绝缘保护膜时也能够得到同样的效果。