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公开(公告)号：CN112713255A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202011602113.0
申请日：2020-12-29
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了单晶电致发光器件的制备方法。该制备方法包括如下步骤：提供一基底，基底的表面上覆盖有透明导电电极材料；对基底进行亲水修饰处理，并对处理后的基底进行图案化光刻，以获得图案化基底；在图案化基底上施加电致发光材料溶液，再在其上覆盖盖片，在预设温度下加热，以在图案化基底上生长析出单晶发光材料；向图案化基底的靠近单晶发光材料的边缘处施加高分子绝缘层材料溶液，并使高分子绝缘层材料溶液覆盖部分单晶发光材料的表面，从而在单晶发光材料和图案化基底之间形成高分子绝缘层；在单晶发光材料和高分子绝缘层上蒸镀功能层材料，以获得单晶电致发光器件。该方法可以与传统光刻相兼容，极大提高发光器件的分辨率。
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公开(公告)号：CN106854775A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201610991732.0
申请日：2016-11-11
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了利用水‑空气‑有机溶剂三相界面制备有机半导体小分子单晶薄膜的方法，该方法主要步骤为：1）对容器内壁的表面以及辅助片的表面均作表面疏水处理；2）然后向疏水的容器内注入适当第一溶液，第一溶液形成凸液面，凸液面弧形的边缘与容器内壁之间形成狭缝；将溶有有机小分子的有机溶液加入到狭缝中，将疏水的辅助片缓慢往复插入到第一溶液中，在第一溶液液面张力和辅助片的作用下，有机溶液在第一溶液液面定向铺展，随着机溶剂不断挥发，有机小分子在第一溶液表面沉积形成有机单晶薄膜。在水面张力和外力的作用下就得到大面积、均匀、超薄有机半导体小分子单晶薄膜。
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公开(公告)号：CN103413760B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201310381889.8
申请日：2013-08-28
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明公开了一种模板辅助挥发诱导自组装构筑有机微米线阵列的方法，包括以下步骤：（1）基底的清洗，基底用清洗液超声清洗，再浸入piranha溶液，并用氧等离子体处理，使基底表面具有强的浸润性；（2）在基底上构筑模板；（3）模板上微米线阵列的生长，将预处理好的模板插入有机溶液中生长，通过挥发诱导自组装，得到大面积、高度对齐有机微米线阵列。本发明对于制备基于有机光电材料的大面积高性能光电子微纳器件，并进一步实现微纳器件集成具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN102544379B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201210041992.3
申请日：2012-02-23
Applicant: 苏州大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了方酸单根纳米线和N型硅异质结光电探测器及其制备方法，所述探测器自上而下依次由方酸单根纳米线、金电极、绝缘衬底、N型硅迭置而成，当在两电极之间搭上方酸的单根纳米线时，则构筑出异质结器件，其中N型硅既为电极又为异质结中的N型材料；该器件在暗场、亮场、控温、真空环境下均显示出明显的整流信号，然而当以一定波长范围的单色光照射且施以负压时，出现反向电导增强的现象，原因是光照使得SQ的载流子浓度升高，p-n结变薄，当施加反向偏压的时候，载流子更容易隧穿过结区，出现反向电导升高的现象。本发明结构简单，灵敏度高，成本低，易于实现。
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公开(公告)号：CN116648120A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310436389.3
申请日：2023-04-21
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了二维晶态薄膜及其制备方法及有机场效应晶体管阵列，涉及有机场效应晶体管技术领域。本发明先将掩膜板覆盖在基底上，并进行显影处理后获得表面形成有图案的图案化基底，图案由多个呈阵列式布置的多个图形结构组成，每个图形结构的尾端呈尖角状，然后对图案化基底进行疏水化处理，之后去除掩膜板，以获得图案化润湿基底，最后将混合溶液按照预设刮涂方向刮涂在图案化润湿基底上，从而制备出二维晶态薄膜。上述技术方案中将图形结构尾端的尖角状，可以在由图形结构前端往尾端刮涂混合溶液时显著降低混合溶液拖尾现象中的液桥宽度，减少液体回流量，进而降低溶液返流对晶体稳定生长的影响，从而提高了晶体的形貌保真度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111697134B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202010449299.4
申请日：2020-05-25
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种富勒烯单晶纳米线阵列的制备方法及有机场效应晶体管，制备方法包括以下步骤：提供一氧化硅片作为基底；在基底上设置绝缘层；在绝缘层上沉积光刻胶，并通过光刻技术在光刻胶上进行光刻，以在基底上构筑三维立体通道；配置C60溶液，将构筑有三维立体通道的基底浸没在C60溶液中，并通过提拉法将基底从C60溶液中匀速提拉出来，以在三维立体通道上自组装得到连续且表面光滑的富勒烯单晶纳米线阵列。本发明的制备方法，可以使C60分子在三维立体通道上自组装得到大面积、连续且表面光滑的富勒烯单晶纳米线阵列。该制备方法操作简单，有利于富勒烯单晶纳米线阵列的大面积生长，适合大面积推广应用。
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公开(公告)号：CN112713255B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202011602113.0
申请日：2020-12-29
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了单晶电致发光器件的制备方法。该制备方法包括如下步骤：提供一基底，基底的表面上覆盖有透明导电电极材料；对基底进行亲水修饰处理，并对处理后的基底进行图案化光刻，以获得图案化基底；在图案化基底上施加电致发光材料溶液，再在其上覆盖盖片，在预设温度下加热，以在图案化基底上生长析出单晶发光材料；向图案化基底的靠近单晶发光材料的边缘处施加高分子绝缘层材料溶液，并使高分子绝缘层材料溶液覆盖部分单晶发光材料的表面，从而在单晶发光材料和图案化基底之间形成高分子绝缘层；在单晶发光材料和高分子绝缘层上蒸镀功能层材料，以获得单晶电致发光器件。该方法可以与传统光刻相兼容，极大提高发光器件的分辨率。
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公开(公告)号：CN109841737B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN201910147496.8
申请日：2019-02-27
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L51/40
Abstract: 本发明提供了一种有机半导体阵列晶体的制备方法，包括如下步骤：在基底上施加聚合物绝缘层；在施加有所述聚合物绝缘层的所述基底上进行光刻，从而获得带有阵列式排布的周期性图形的基底；将光刻后的所述基底进行反应离子刻蚀并去胶，从而获得强极性表面与弱极性表面周期性排布的模板；将预先配置的有机小分子半导体溶液施加在所述模板上；将施加有所述有机小分子半导体溶液的所述模板放置在刮涂工具下，并按照预设速度进行刮涂，从而获得有机半导体阵列晶体。本发明采用了一种极性表面限制结晶的方法在交联的聚合物绝缘层上成功制备了单一结晶取向的有机小分子单晶阵列。
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公开(公告)号：CN113764588A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110720722.4
申请日：2021-06-28
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种有机单晶光电晶体管及仿生光子器件。该有机单晶光电晶体管由下至上依次形成有栅极、第一绝缘层、光吸收层和第二绝缘层；所述光吸收层的材料选择为能够吸光且在光照条件下产生光生载流子，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层均选择为含活性官能团的聚合物绝缘材料，且所述第一绝缘层选择为其活性官能团能够在所述光照条件以及所述栅极被施加栅压时捕获所述光生载流子中的电子，所述第一绝缘层和所述光吸收层之间互不相溶，且所述第二绝缘层和所述光吸收层之间互不相溶。本发明的有机单晶光电晶体管提高了器件对弱光的探测能力。
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公开(公告)号：CN111554812A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010408931.0
申请日：2020-05-14
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种图案化有机晶体阵列的制备方法及有机场效应晶体管，该制备方法包括以下步骤：提供一氧化硅片作为基底，在基底上设置绝缘层，并在绝缘层上旋涂光刻胶，以通过光刻技术在基底上得到图案化阵列位点；配置液晶小分子溶液以作为墨水，将墨水打印至图案化阵列位点上，以得到具有液晶小分子的图案化基底；对图案化基底进行热处理，以使图案化阵列位点上的液晶小分子融化和铺展，且在液晶小分子融化后进行降温处理，以使融化后的液晶小分子重结晶，得到图案化有机晶体阵列。本发明的制备方法，利用喷墨打印技术并结合液晶小分子重熔再结晶的特性得到图案化有机晶体阵列，有效防止有机晶体阵列在图案化过程中产生咖啡环效应。
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