公开(公告)号：CN109841737B

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN201910147496.8

申请日：2019-02-27

Applicant: 苏州大学

Inventor： 揭建胜 ,  张秀娟 ,  赵万芹 ,  邓巍

IPC: H01L51/40

Abstract: 本发明提供了一种有机半导体阵列晶体的制备方法，包括如下步骤：在基底上施加聚合物绝缘层；在施加有所述聚合物绝缘层的所述基底上进行光刻，从而获得带有阵列式排布的周期性图形的基底；将光刻后的所述基底进行反应离子刻蚀并去胶，从而获得强极性表面与弱极性表面周期性排布的模板；将预先配置的有机小分子半导体溶液施加在所述模板上；将施加有所述有机小分子半导体溶液的所述模板放置在刮涂工具下，并按照预设速度进行刮涂，从而获得有机半导体阵列晶体。本发明采用了一种极性表面限制结晶的方法在交联的聚合物绝缘层上成功制备了单一结晶取向的有机小分子单晶阵列。

公开(公告)号：CN109841737A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201910147496.8

申请日：2019-02-27

Applicant: 苏州大学

Inventor： 揭建胜 ,  张秀娟 ,  赵万芹 ,  邓巍

IPC: H01L51/40

Abstract: 本发明提供了一种有机半导体阵列晶体的制备方法，包括如下步骤：在基底上施加聚合物绝缘层；在施加有所述聚合物绝缘层的所述基底上进行光刻，从而获得带有阵列式排布的周期性图形的基底；将光刻后的所述基底进行反应离子刻蚀并去胶，从而获得强极性表面与弱极性表面周期性排布的模板；将预先配置的有机小分子半导体溶液施加在所述模板上；将施加有所述有机小分子半导体溶液的所述模板放置在刮涂工具下，并按照预设速度进行刮涂，从而获得有机半导体阵列晶体。本发明采用了一种极性表面限制结晶的方法在交联的聚合物绝缘层上成功制备了单一结晶取向的有机小分子单晶阵列。