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公开(公告)号：CN103255374A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201210346970.8
申请日：2012-09-19
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种制备有序一维有机纳米线阵列的方法，包括以下步骤：采用电子束沉积工艺在洁净的硅或氧化硅衬底上蒸镀金纳米颗粒薄膜，利用修饰金纳米颗粒的衬底为生长基底，采用物理气相沉积法制备有机单晶纳米线阵列。采用本发明技术方案，操作简单，并实现了在镀金衬底上一步制备大面积一维有机半导体纳米材料阵列。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102505144B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201110342746.7
申请日：2011-11-03
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明揭示了一种有机微纳结构定向生长的制备方法，利用物理气相沉积法，基于具有表面周期光栅结构的衬底定向地制备有机微纳米线，通过控制气压、气流、温度、保温时间及沉积区位置等生长条件，实现有机微纳米线生长的尺寸与生长密度的高度可控，是超长有机微纳米线在二维平面高度准直定向生长的一种简单有效的制备方法。本发明的方法简单易行，灵活且具有很大可扩展性，适用于各种有机化合物微纳米线的定向生长，制得的微纳米线长度可从数十微米至毫米量级，对于制备基于有机微纳结构的纳米器件，并进一步实现纳米器件集成具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN103258970A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201210346968.0
申请日：2012-09-19
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L51/56
Abstract: 本发明公开了一种核壳型有机硫化镉半导体纳米线异质结及硫化镉纳米管的制备方法，利用物理气相沉积法生长单晶有机纳米线阵列，并以此高密度的有机纳米线阵列为模板，运用原子层沉积(ALD)技术在纳米线表层包裹生长硫化镉（CdS）壳层；通过控制有机纳米线类型和原子层沉积的工艺条件，可方便实现不同种类核壳型有机或无机异质结纳米结构阵列的可控制备；同时通过加热将核壳内有机纳米线蒸发能得到相应的中空无机纳米管阵列。本发明操作简单工艺简单，产物均匀，可控性高，可在原子层级别上控制异质结的形成；该方法制备得到的异质结纳米线以及纳米管阵列在太阳能电池、光开关和传感器等纳米电子、光电子领域具有着广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN102544379A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210041992.3
申请日：2012-02-23
Applicant: 苏州大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了方酸单根纳米线和N型硅异质结光电探测器及其制备方法，所述探测器自上而下依次由方酸单根纳米线、金电极、绝缘衬底、N型硅迭置而成，当在两电极之间搭上方酸的单根纳米线时，则构筑出异质结器件，其中N型硅既为电极又为异质结中的N型材料；该器件在暗场、亮场、控温、真空环境下均显示出明显的整流信号，然而当以一定波长范围的单色光照射且施以负压时，出现反向电导增强的现象，原因是光照使得SQ的载流子浓度升高，p-n结变薄，当施加反向偏压的时候，载流子更容易隧穿过结区，出现反向电导升高的现象。本发明结构简单，灵敏度高，成本低，易于实现。
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公开(公告)号：CN102505144A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110342746.7
申请日：2011-11-03
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明揭示了一种有机微纳结构定向生长的制备方法，利用物理气相沉积法，基于具有表面周期光栅结构的衬底定向地制备有机微纳米线，通过控制气压、气流、温度、保温时间及沉积区位置等生长条件，实现有机微纳米线生长的尺寸与生长密度的高度可控，是超长有机微纳米线在二维平面高度准直定向生长的一种简单有效的制备方法。本发明的方法简单易行，灵活且具有很大可扩展性，适用于各种有机化合物微纳米线的定向生长，制得的微纳米线长度可从数十微米至毫米量级，对于制备基于有机微纳结构的纳米器件，并进一步实现纳米器件集成具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN102544379B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201210041992.3
申请日：2012-02-23
Applicant: 苏州大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了方酸单根纳米线和N型硅异质结光电探测器及其制备方法，所述探测器自上而下依次由方酸单根纳米线、金电极、绝缘衬底、N型硅迭置而成，当在两电极之间搭上方酸的单根纳米线时，则构筑出异质结器件，其中N型硅既为电极又为异质结中的N型材料；该器件在暗场、亮场、控温、真空环境下均显示出明显的整流信号，然而当以一定波长范围的单色光照射且施以负压时，出现反向电导增强的现象，原因是光照使得SQ的载流子浓度升高，p-n结变薄，当施加反向偏压的时候，载流子更容易隧穿过结区，出现反向电导升高的现象。本发明结构简单，灵敏度高，成本低，易于实现。
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