方酸单根纳米线和N型硅异质结光电探测器及制备方法

    公开(公告)号:CN102544379A

    公开(公告)日:2012-07-04

    申请号:CN201210041992.3

    申请日:2012-02-23

    Applicant: 苏州大学

    CPC classification number: Y02E10/549

    Abstract: 本发明公开了方酸单根纳米线和N型硅异质结光电探测器及其制备方法,所述探测器自上而下依次由方酸单根纳米线、金电极、绝缘衬底、N型硅迭置而成,当在两电极之间搭上方酸的单根纳米线时,则构筑出异质结器件,其中N型硅既为电极又为异质结中的N型材料;该器件在暗场、亮场、控温、真空环境下均显示出明显的整流信号,然而当以一定波长范围的单色光照射且施以负压时,出现反向电导增强的现象,原因是光照使得SQ的载流子浓度升高,p-n结变薄,当施加反向偏压的时候,载流子更容易隧穿过结区,出现反向电导升高的现象。本发明结构简单,灵敏度高,成本低,易于实现。

    有机无机纳米复合材料的可控制备

    公开(公告)号:CN102556961B

    公开(公告)日:2014-04-09

    申请号:CN201210031190.4

    申请日:2012-02-13

    Applicant: 苏州大学

    Inventor: 张秀娟 秦建丽

    Abstract: 本发明涉及了有机无机纳米复合材料的可控制备。具体而言,是有机小分子与金颗粒的纳米复合材料的可控制备。基于有机物本身与金之间的物理或化学作用,及调试的有机纳米材料的析晶环境如温度、所用良溶剂的种类、良溶剂的体积及表面活性剂的辅助,得到形貌尺寸可控的有机无机纳米复合材料。本发明的方法简单,操作方便,为有机无机纳米复合材料的可控制备提供了实验数据。为有机化合物光电性能的改善、等离子体共振、记忆存储等性能提供了可能性。

    有机无机纳米复合材料的可控制备

    公开(公告)号:CN102556961A

    公开(公告)日:2012-07-11

    申请号:CN201210031190.4

    申请日:2012-02-13

    Applicant: 苏州大学

    Inventor: 张秀娟 秦建丽

    Abstract: 本发明涉及了有机无机纳米复合材料的可控制备。具体而言,是有机小分子与金颗粒的纳米复合材料的可控制备。基于有机物本身与金之间的物理或化学作用,及调试的有机纳米材料的析晶环境如温度、所用良溶剂的种类、良溶剂的体积及表面活性剂的辅助,得到形貌尺寸可控的有机无机纳米复合材料。本发明的方法简单,操作方便,为有机无机纳米复合材料的可控制备提供了实验数据。为有机化合物光电性能的改善、等离子体共振、记忆存储等性能提供了可能性。

    方酸单根纳米线和N型硅异质结光电探测器及制备方法

    公开(公告)号:CN102544379B

    公开(公告)日:2014-11-05

    申请号:CN201210041992.3

    申请日:2012-02-23

    Applicant: 苏州大学

    CPC classification number: Y02E10/549

    Abstract: 本发明公开了方酸单根纳米线和N型硅异质结光电探测器及其制备方法,所述探测器自上而下依次由方酸单根纳米线、金电极、绝缘衬底、N型硅迭置而成,当在两电极之间搭上方酸的单根纳米线时,则构筑出异质结器件,其中N型硅既为电极又为异质结中的N型材料;该器件在暗场、亮场、控温、真空环境下均显示出明显的整流信号,然而当以一定波长范围的单色光照射且施以负压时,出现反向电导增强的现象,原因是光照使得SQ的载流子浓度升高,p-n结变薄,当施加反向偏压的时候,载流子更容易隧穿过结区,出现反向电导升高的现象。本发明结构简单,灵敏度高,成本低,易于实现。

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