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公开(公告)号：CN111697134B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202010449299.4
申请日：2020-05-25
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种富勒烯单晶纳米线阵列的制备方法及有机场效应晶体管，制备方法包括以下步骤：提供一氧化硅片作为基底；在基底上设置绝缘层；在绝缘层上沉积光刻胶，并通过光刻技术在光刻胶上进行光刻，以在基底上构筑三维立体通道；配置C60溶液，将构筑有三维立体通道的基底浸没在C60溶液中，并通过提拉法将基底从C60溶液中匀速提拉出来，以在三维立体通道上自组装得到连续且表面光滑的富勒烯单晶纳米线阵列。本发明的制备方法，可以使C60分子在三维立体通道上自组装得到大面积、连续且表面光滑的富勒烯单晶纳米线阵列。该制备方法操作简单，有利于富勒烯单晶纳米线阵列的大面积生长，适合大面积推广应用。
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公开(公告)号：CN116709791A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310671443.2
申请日：2023-06-07
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种有机隧穿场效应晶体管及其制备方法，涉及有机隧穿场效应晶体管的技术领域。本发明在有机半导体单晶薄膜层和金属氧化物层之间插入了分子插入层，可以有效阻止金属氧化物层对有机半导体单晶薄膜层的渗透和破坏，避免第一电机层团簇扩散到有机半导体单晶薄膜层中导致大量的缺陷、应变和无序态，减弱有机半导体单晶薄膜层和金属氧化物层的费米能级钉扎效应并减小了隧穿势垒，提高了BTBT的传输概率，从而使得有机隧穿场效应晶体管的亚阈值摆幅明显小于60mV dec‑1，表明器件可以以极快的速度开启。
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公开(公告)号：CN111697134A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010449299.4
申请日：2020-05-25
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种富勒烯单晶纳米线阵列的制备方法及有机场效应晶体管，制备方法包括以下步骤：提供一氧化硅片作为基底；在基底上设置绝缘层；在绝缘层上沉积光刻胶，并通过光刻技术在光刻胶上进行光刻，以在基底上构筑三维立体通道；配置C60溶液，将构筑有三维立体通道的基底浸没在C60溶液中，并通过提拉法将基底从C60溶液中匀速提拉出来，以在三维立体通道上自组装得到连续且表面光滑的富勒烯单晶纳米线阵列。本发明的制备方法，可以使C60分子在三维立体通道上自组装得到大面积、连续且表面光滑的富勒烯单晶纳米线阵列。该制备方法操作简单，有利于富勒烯单晶纳米线阵列的大面积生长，适合大面积推广应用。
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