公开(公告)号：CN102217069A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN200980145870.5

申请日：2009-11-11

Applicant: 美商豪威科技股份有限公司

Inventor： D·毛 ,  V·韦内齐亚 ,  戴幸志 ,  钱胤 ,  H·E·罗兹

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L27/14605 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明公开一种具有改良的角度响应的背面照射式成像像素(400)，其包含具有前表面(207)及背表面(209)的半导体层。该成像像素还包含形成在该半导体层中的光电二极管区。该光电二极管区包含第一n-区(210)及第二n-区(215)。该第一n-区具有投射在该半导体层的前表面与背表面之间的中心线(213)。该第二n-区置于该第一n-区与该半导体层的背表面之间，以使该第二n-区自该第一n-区的中心线偏移。

公开(公告)号：CN102214610A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN201110096075.0

申请日：2011-04-01

Applicant: 美商豪威科技股份有限公司

Inventor： D·毛 ,  戴幸志 ,  V·韦内齐亚 ,  钱胤 ,  H·E·罗兹

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/266 ,  H01L27/144 ,  H01L29/36 ,  H04N5/374

CPC classification number: H01L27/14689 ,  H01L21/26586 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H04N5/378

Abstract: 本发明涉及一种具有渐变式光电检测器注入的高全阱容量像素，本发明提供一种用于通过掺杂剂注入而形成CMOS像素中的光电检测器区的工序实施例，该工序包含：掩模衬底表面的光电检测器区域以用于形成该光电检测器区；以多个扭转角定位该衬底；且在该多个扭转角中的每一角度下，以选定倾斜角将掺杂剂导向该光电检测器区。CMOS像素的实施例包含：光电检测器区，其形成在衬底中，该光电检测器区包含重迭的第一掺杂剂注入区及第二掺杂剂注入区，其中该重迭区具有不同于该第一注入区及该第二注入区的非重迭部分的掺杂剂浓度；浮动扩散体，其形成在该衬底中；以及传输栅，其形成在该衬底上在该光电检测器与该传输栅之间。揭示并要求保护其它实施例。

公开(公告)号：CN102148231A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN201110008440.8

申请日：2011-01-06

Applicant: 美商豪威科技股份有限公司

Inventor： 顾克强 ,  刘家颖 ,  戴幸志 ,  V·韦内齐亚 ,  钱胤 ,  D·毛

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/374

CPC classification number: H01L27/14607 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/1463

Abstract: 一种图像传感器像素包括经掺杂而具有第一导电型的衬底。第一外延层置于该衬底之上且经掺杂而亦具有该第一导电型。转移晶体管栅极形成于该第一外延层上。外延生长的光传感器区域置于该第一外延层中且具有第二导电型。该外延生长的光传感器区域包括在转移晶体管栅极的一部分下延伸的延伸区域。

公开(公告)号：CN102074567A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN201010564504.8

申请日：2010-11-16

Applicant: 美商豪威科技股份有限公司

Inventor： 戴幸志 ,  H·E·罗兹 ,  D·毛 ,  V·韦内齐亚 ,  钱胤

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/528 ,  H01L23/495 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14683 ,  H01L2224/02165 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327

Abstract: 一种具有强化垫结构的背面照明成像传感器包括器件层、金属叠层、开口及框架。该器件层具有形成于该器件层的正面中的成像阵列，且该成像阵列调适成从该器件层的背面接收光。该金属叠层耦合至该器件层的正面，其中该金属叠层包括具有金属垫的至少一个金属互连层。开口从器件层的背面延伸至金属垫以曝露金属垫来用于引线接合。框架置于开口内以在结构上强化金属垫。

公开(公告)号：CN101978498A

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN200880126436.8

申请日：2008-12-17

Applicant: 美商豪威科技股份有限公司

Inventor： V·韦内齐亚 ,  戴幸志 ,  D·毛 ,  真锅宗平 ,  H·E·罗兹 ,  钱卫东

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明提供一种像素阵列，其是使用基板形成的，该基板具有前侧及用于接收入射光的背侧。各个像素通常包含金属化层、感光区域及沟槽，这种金属化层被包含在该基板的前侧中，该感光区域是形成于该基板的后侧中，该沟槽围绕该基板的后侧中的感光区域而形成。该沟槽造成入射光被导引远离该沟槽并朝向该感光区域。