公开(公告)号：CN110140196B

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN201780078862.8

申请日：2017-12-26

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 守田菊惠 ,  高中亚铃治 ,  大和田拓央

IPC: H01L21/304 ,  C11D7/32 ,  C11D7/36 ,  C11D17/08 ,  C23G1/20

Abstract: 本发明提供在半导体元件等电子器件的制造工序中的实施了化学机械研磨(CMP)处理等的基板等的清洗中有用的清洗液组合物。本发明的清洗液组合物是一种用于清洗具有Cu布线的基板的清洗液组合物，其中，包含1种或2种以上的碱性化合物以及1种或2种以上的含氮杂环式单环芳香族化合物，所述含氮杂环式单环芳香族化合物具有1个以上的羧基或酯基，而具有1个以上的氨基的情况下仅具有与含氮杂环直接结合的氨基。所述清洗液组合物中氢离子浓度(pH)为8～12。

公开(公告)号：CN113544822A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202080019469.3

申请日：2020-03-06

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 大和田拓央 ,  持田耕平 ,  吉田勇喜

IPC: H01L21/306 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11582 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明以提供在3D非易失性存储器单元的制造中，以相对于SiO2的实用性的蚀刻选择比对Si3N4进行选择性蚀刻后，可抑制SiO2再生长，且能够抑制SiO2膜的图案坍塌的氮化硅蚀刻液组合物为课题。一种用于制造3D非易失性存储器单元的氮化硅蚀刻液组合物，其中，包含磷酸、1种或2种以上的硅烷偶联剂和水，不含铵离子。

公开(公告)号：CN105122429B

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201480021935.6

申请日：2014-04-07

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 守田菊惠 ,  堀家千代子 ,  深谷启介 ,  大和田拓央

IPC: H01L21/304 ,  C11D3/28 ,  C11D3/30 ,  C11D7/32 ,  C11D7/36 ,  C11D17/08

Abstract: 本发明的目的是提供半导体元件等电子器件的制造工序中，对实施了化学机械研磨(CMP)处理等的基板等的清洗有用的清洗液组合物。本发明涉及用于清洗具有Cu布线的基板的清洗液组合物，其中，包含1种或2种以上的碱性化合物以及1种或2种以上的含氮原子的杂环式单环芳香族化合物，氢离子浓度(pH)为8～11。

公开(公告)号：CN110140196A

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201780078862.8

申请日：2017-12-26

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 守田菊惠 ,  高中亚铃治 ,  大和田拓央

IPC: H01L21/304 ,  C11D7/32 ,  C11D7/36 ,  C11D17/08 ,  C23G1/20

Abstract: 本发明提供在半导体元件等电子器件的制造工序中的实施了化学机械研磨(CMP)处理等的基板等的清洗中有用的清洗液组合物。本发明的清洗液组合物是一种用于清洗具有Cu布线的基板的清洗液组合物，其中，包含1种或2种以上的碱性化合物以及1种或2种以上的含氮杂环式单环芳香族化合物，所述含氮杂环式单环芳香族化合物具有1个以上的羧基或酯基，而具有1个以上的氨基的情况下仅具有与含氮杂环直接结合的氨基。所述清洗液组合物中氢离子浓度(pH)为8～12。

公开(公告)号：CN107085351A

公开(公告)日：2017-08-22

申请号：CN201710080816.3

申请日：2017-02-15

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 大和田拓央 ,  石川直树

IPC: G03F1/80

CPC classification number: G03F1/80

Abstract: 本发明提供在光刻法用光掩模的制造中考精致地控制光掩模具有的半透光部的透光率的蚀刻液、使用该蚀刻液的制造灰度掩模的方法及通过该方法制造的灰度掩模。包含硝酸二铵铈(IV)或硫酸四铈(IV)铵的蚀刻液。

公开(公告)号：CN105122429A

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201480021935.6

申请日：2014-04-07

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 守田菊惠 ,  堀家千代子 ,  深谷启介 ,  大和田拓央

IPC: H01L21/304 ,  C11D3/28 ,  C11D3/30 ,  C11D7/32 ,  C11D7/36 ,  C11D17/08

Abstract: 本发明的目的是提供半导体元件等电子器件的制造工序中，对实施了化学机械研磨(CMP)处理等的基板等的清洗有用的清洗液组合物。本发明涉及用于清洗具有Cu布线的基板的清洗液组合物，其中，包含1种或2种以上的碱性化合物以及1种或2种以上的含氮原子的杂环式单环芳香族化合物，氢离子浓度(pH)为8～11。

公开(公告)号：CN1920671A

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN200510092787.X

申请日：2005-08-25

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 秦贵乡 ,  大和田拓央

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/027 ,  H01L21/308

CPC classification number: H01L21/02071 ,  G03F7/426

Abstract: 本发明提供一种除去具有由铝或铝合金形成的金属布线的半导体基板在干蚀刻后和灰化后残留的光致抗蚀剂残渣和聚合物残渣的组合物，以及使用该组合物的残渣除去方法。所述光致抗蚀剂残渣和聚合物残渣除去组合物含有至少1种除氢氟酸以外的氟化合物、至少1种磺酸类和水，所述光致抗蚀剂残渣和聚合物残渣的除去方法包括，其使用含有至少1种除氢氟酸以外的氟化合物、至少1种磺酸类和水的组合物。

公开(公告)号：CN1300641C

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN03108247.5

申请日：2003-03-21

Applicant: 关东化学株式会社 ,  恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 大和田拓央 ,  石川典夫 ,  青木秀充 ,  中别府健一 ,  笠间佳子

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/027 ,  H05K3/06

CPC classification number: H01L21/02063 ,  G03F7/423

Abstract: 本发明提供一种光致抗蚀剂残渣除去液组合物，其在半导体电路元件的制造过程中，对干蚀刻后残留的光致抗蚀剂残渣的除去性优良，且可以不腐蚀配线材料和不对阻挡层金属、层间绝缘膜材料产生损伤地进行光致抗蚀剂残渣的除去。该光致抗蚀剂残渣除去液组合物含有：一种或两种以上氟化合物、和从乙醛酸、抗坏血酸、葡萄糖、果糖、乳糖和甘露糖组成的组中选择的一种或两种以上，但是该组合物不包括氟化铵、极性有机溶剂、水和抗坏血酸所组成的组合物。

公开(公告)号：CN1246739C

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN02155744.6

申请日：2002-12-04

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 石川典夫 ,  大和田拓央

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3213

CPC classification number: G03F7/422

Abstract: 一种光致抗蚀剂残渣除去液组合物，其特征在于，该组合物含有从脂肪族多元羧酸及其盐组成的组中选择的一种或两种以上，和从还原性化合物及其盐组成的组中选择的一种或两种以上。该组合物在半导体电路元件的制造步骤中，对干蚀刻后残留的光致抗蚀剂残渣的除去性优良，且可以不腐蚀配线材料和不对配线材料和层间绝缘膜材料产生化学浸蚀。

公开(公告)号：CN1458256A

公开(公告)日：2003-11-26

申请号：CN03131434.1

申请日：2003-05-16

Applicant: 关东化学株式会社 ,  恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 阿部优美子 ,  大和田拓央 ,  石川典夫 ,  青木秀充 ,  富盛浩昭

IPC: C11D3/20

CPC classification number: H01L21/02074 ,  C11D3/2075 ,  C11D7/26 ,  C11D11/0047

Abstract: 本发明提供一种对化学机械研磨后的半导体基板的表面上附着的微小粒子和金属杂质的除去性优良、且不腐蚀金属配线材料的洗涤液。该化学机械研磨后洗涤液组合物的特征在于，含有一种或两种以上脂肪族多元羧酸类和从乙醛酸、抗坏血酸、葡萄糖、果糖、乳糖和甘露糖组成的组中选择的一种或两种以上，且pH不满3.0。