公开(公告)号：CN107085351B

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN201710080816.3

申请日：2017-02-15

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 大和田拓央 ,  石川直树

IPC: G03F1/80

Abstract: 本发明提供在光刻法用光掩模的制造中考精致地控制光掩模具有的半透光部的透光率的蚀刻液、使用该蚀刻液的制造灰度掩模的方法及通过该方法制造的灰度掩模。包含硝酸二铵铈(IV)或硫酸四铈(IV)铵的蚀刻液。

公开(公告)号：CN107085351A

公开(公告)日：2017-08-22

申请号：CN201710080816.3

申请日：2017-02-15

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 大和田拓央 ,  石川直树

IPC: G03F1/80

CPC classification number: G03F1/80

Abstract: 本发明提供在光刻法用光掩模的制造中考精致地控制光掩模具有的半透光部的透光率的蚀刻液、使用该蚀刻液的制造灰度掩模的方法及通过该方法制造的灰度掩模。包含硝酸二铵铈(IV)或硫酸四铈(IV)铵的蚀刻液。