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公开(公告)号：CN107910151A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201711153313.0
申请日：2017-11-20
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提供一种非稀土磁致冷材料KBBFO及其制备方法和应用。所述的磁致冷材料KBBFO的化学式为KBa8Fe12(Bi6-xFex)O38，x=0~5。该材料属立方晶系，空间群为 。该材料具有晶体结构新颖、物化性能优良，在超低温段（2K）的磁化强度和磁热效应大等优点，有望在超低温磁致冷领域获得应用。该材料采用水热法制备，因此还具有工艺简单，周期短的优点。
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公开(公告)号：CN107416803A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710818726.X
申请日：2017-09-12
Applicant: 福州大学
IPC: C01B32/184 , H01M4/92 , H01M8/1011
Abstract: 本发明公开了一种高压蒸汽辅助稀酸刻蚀碳纳米管制备石墨烯纳米带的方法，其是将多壁碳纳米管置于聚四氟乙烯反应釜中，加入一定浓度的稀酸溶液后振荡使碳纳米管分散均匀，然后进行水热反应，利用反应釜中产生的高压蒸气的辅助刻蚀作用，使多壁碳纳米管沿纵向裂解，形成高质量的石墨烯纳米带。本发明制备过程简单易操作，可以一步完成，无须采用表面活性剂进行分散，过程污染小，克服了其他方法中存在的过程繁琐、污染严重、产率低等缺点，且制备的石墨烯纳米带具有褶皱少、不易团聚、层数少、产率高等优点，可用于制备乙醇燃料电池的阳极材料。
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公开(公告)号：CN104059091A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410283879.5
申请日：2014-06-24
Applicant: 福州大学
IPC: C07F1/08
Abstract: 本发明提供了一种铜基手性配位聚合物的光诱导对映选择性合成的方法，具体为：先合成铜基手性配位聚合物所需的反应液，然后将铜基手性配位聚合物的反应液置于光辐照装置中，光辐照3-5天，实现铜基手性配位聚合物的对映选择性合成。光辐照装置包括半导体激光器、偏振片、四分之一波片；通过调整偏振片与四分之一波片之间的夹角，能将出射光调整为左旋或右旋圆偏振光。圆偏振光辐照实验能有效的使本发明所尝试的手性配位聚合物结晶产物去消旋化，并实现对映选择性。本发明通过光诱导实现了手性配位聚合物的对映选择性合成。该方法具有良好的重现性，实验装置简单，可多次重复利用，合成过程清洁无污染。
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公开(公告)号：CN119433691A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411631370.5
申请日：2024-11-15
Applicant: 福州大学 , 福建致卓光电科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种采用导模提拉‑顶部籽晶法生长掺铋稀土铁石榴石BRIG晶体的方法和应用。为解决目前液相外延法生长BRIG晶体中存在的内应力大、缺陷多、单晶厚膜难制备；以及顶部籽晶法存在的生长周期长、籽晶难获取等问题，本发明将导模提拉法晶体的快速生长和顶部籽晶法的高品质单晶生长相结合，发明导模提拉‑顶部籽晶法以实现高品质BRIG单晶的快速生长。首先采用导模提拉法快速生长与BRIG晶格适配度高、成分较接近的大尺寸掺杂稀土铁石榴石晶体，将其切割成厘米级以上籽晶，采用TSSG法快速生长高品质BRIG块状单晶。该方法生长的晶体具有内应力小、开裂少、均匀性好、晶体生长快等优点，在高性能磁光隔离器中有明显优势。
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公开(公告)号：CN117127262A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311104215.3
申请日：2023-08-30
Applicant: 福州大学 , 福建致卓光电科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种具有高透过、低温度系数和低波长系数的镍掺杂铋稀土铁石榴石磁光晶体。晶体的分子式为Bi0.4Ho1.2Eu0.8Gd0.6Fe4.20Ni0.25Ga0.55O12，该材料属于立方相晶系，Iad空间群。采用顶部籽晶法，通过掺杂Ni2+，减少晶体中Fe2+、低价氧和氧空位缺陷以减少光吸收，降低插入损耗。Ni2+的引入增强了磁有序结构，从而降低晶体的温度系数和波长系数。该磁光晶体的透过率、温度系数和波长系数均优于商用Bi:(HoEu)IG和Bi:TIG，该晶体可用于新型高性能、宽带磁光隔离器中，有望在波分复用光纤通信领域实现运用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113862774B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202111148753.3
申请日：2021-09-29
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种可应用于可见‑近红外光区的铌钪酸镨锂磁光晶体及其制备方法。所述磁光晶体的化学式为Li(5+2x)Pr3Nb(2‑x)ScxO12，其中x＝0.5～1.0。该晶体属立方晶系，空间群为#imgabs0#。本发明制得的磁光晶体具有立方高对称性，可有效消除双折射效应对磁光应用的限制。同时，该晶体还具有磁性稀土离子含量高，电子交换作用大，晶体场作用强，磁性稀土离子在晶体中的电子有效跃迁波长较大等结构特点，有利于产生较强的磁光效应。此外，本发明磁光晶体为一致熔融化合物，生长温度为1300～1550℃，可采用中频感应提拉法生长，其生长工艺简单、周期短，晶体完整性高，能够实现大规模低成本的批量生产。
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公开(公告)号：CN112095149B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202010953656.0
申请日：2020-09-11
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种高含铈掺钪钆铁石榴石磁光晶体及其制备方法和应用。采用导模提拉法生长了化学式为Gd3‑x‑yCexCaySczFe5‑z‑wVwO12,(x=0.33‑0.54,y=0.02‑0.06,z=0.45‑0.96,w=0.01)磁光晶体。该方法可简化晶体后加工工艺，降低晶体制备的成本，且晶体生长速率快，光学均匀性好，可制备厘米级尺寸单晶。通过适量掺杂Sc有助于稳定RIG石榴石结构，并使晶胞膨胀，利于提高Ce在晶体中的掺杂量，并且增强了晶体磁性，获得透过性能好、磁性强、磁光性能优异的高含铈掺钪钆铁石榴石磁光晶体。该晶体材料有望在磁光隔离器、磁光环形器、磁光调制器等器件中获得实际应用。
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公开(公告)号：CN110172734B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201910462762.6
申请日：2019-05-30
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提供一种立方相掺杂铁酸铈磁光材料及其制备方法和应用。所述的磁光材料的化学式为Ce1‑xSrxFe1‑xVxO3，x=0.3~0.7。该材料属立方晶系，空间群为。该材料具有结构新颖，光学、磁学性能优良，磁光效应显著的优点，而且该化合物晶格常数与硅相匹配，有望在硅基集成光隔离器等领域获得应用。该材料采用射频磁控溅射法制备，因此还具有工艺简单、周期短、重现性好的优点。
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公开(公告)号：CN112095149A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010953656.0
申请日：2020-09-11
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种高含铈掺钪钆铁石榴石磁光晶体及其制备方法和应用。采用导模提拉法生长了化学式为Gd3‑x‑yCexCaySczFe5‑z‑wVwO12,(x=0.33‑0.54,y=0.02‑0.06,z=0.45‑0.96,w=0.01)磁光晶体。该方法可简化晶体后加工工艺，降低晶体制备的成本，且晶体生长速率快，光学均匀性好，可制备厘米级尺寸单晶。通过适量掺杂Sc有助于稳定RIG石榴石结构，并使晶胞膨胀，利于提高Ce在晶体中的掺杂量，并且增强了晶体磁性，获得透过性能好、磁性强、磁光性能优异的高含铈掺钪钆铁石榴石磁光晶体。该晶体材料有望在磁光隔离器、磁光环形器、磁光调制器等器件中获得实际应用。
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公开(公告)号：CN110750002A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201911040227.8
申请日：2019-10-29
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提供一种钙钛矿型立方相掺杂铁酸铋磁光材料及其制备方法和应用。所述磁光材料的化学式为Bi1-xSrxFe1-xTixO3，x=0.2~0.5，其属于立方晶系，空间群为 ，并可采用射频磁控溅射法制备，具有工艺简单，周期短，重现性好等优点。本发明所得磁光材料具有结构新颖、光学和磁学性能良好、磁光效应显著等优点，且其与硅的晶格相匹配，有望在硅基集成光隔离器等领域获得应用。
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