公开(公告)号：CN113862774B

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202111148753.3

申请日：2021-09-29

Applicant: 福州大学

Inventor： 陈新 ,  陈霞 ,  戴礼 ,  郑安琪 ,  胡晓琳 ,  庄乃锋

IPC: C30B15/00 ,  C30B15/20 ,  C30B29/22 ,  C30B33/02 ,  C09K11/78

Abstract: 本发明公开了一种可应用于可见‑近红外光区的铌钪酸镨锂磁光晶体及其制备方法。所述磁光晶体的化学式为Li(5+2x)Pr3Nb(2‑x)ScxO12，其中x＝0.5～1.0。该晶体属立方晶系，空间群为#imgabs0#。本发明制得的磁光晶体具有立方高对称性，可有效消除双折射效应对磁光应用的限制。同时，该晶体还具有磁性稀土离子含量高，电子交换作用大，晶体场作用强，磁性稀土离子在晶体中的电子有效跃迁波长较大等结构特点，有利于产生较强的磁光效应。此外，本发明磁光晶体为一致熔融化合物，生长温度为1300～1550℃，可采用中频感应提拉法生长，其生长工艺简单、周期短，晶体完整性高，能够实现大规模低成本的批量生产。

公开(公告)号：CN113862774A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202111148753.3

申请日：2021-09-29

Applicant: 福州大学

Inventor： 陈新 ,  陈霞 ,  戴礼 ,  郑安琪 ,  胡晓琳 ,  庄乃锋

IPC: C30B15/00 ,  C30B15/20 ,  C30B29/22 ,  C30B33/02 ,  C09K11/78

Abstract: 本发明公开了一种可应用于可见‑近红外光区的铌钪酸镨锂磁光晶体及其制备方法。所述磁光晶体的化学式为Li(5+2x)Pr3Nb(2‑x)ScxO12，其中x＝0.5～1.0。该晶体属立方晶系，空间群为。本发明制得的磁光晶体具有立方高对称性，可有效消除双折射效应对磁光应用的限制。同时，该晶体还具有磁性稀土离子含量高，电子交换作用大，晶体场作用强，磁性稀土离子在晶体中的电子有效跃迁波长较大等结构特点，有利于产生较强的磁光效应。此外，本发明磁光晶体为一致熔融化合物，生长温度为1300～1550℃，可采用中频感应提拉法生长，其生长工艺简单、周期短，晶体完整性高，能够实现大规模低成本的批量生产。