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公开(公告)号：CN115852489B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202211683494.9
申请日：2022-12-27
Abstract: 本发明提供一种高含铈立方相铈钪镓石榴石磁光晶体制备方法与应用。通过晶体结构设计并合成出化合物Ce3Sc2Ga3O12，采用提拉法生长了该化合物厘米级晶体。该材料属于立方相晶系，Ia#imgabs0#d空间群。晶体中稀土Ce3+离子含量高，且价态稳定，Ce3+体积浓度达到1.15×1022/cm3，使得晶体具有强磁光效应。鉴于Ce3Sc2Ga3O12晶体在磁光性能、透过波段和原料成本上具有一定的相对优势，该晶体有望在磁光隔离器、磁光环形器、磁光开关中获得实现应用。
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公开(公告)号：CN115852489A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211683494.9
申请日：2022-12-27
Abstract: 本发明提供一种高含铈立方相铈钪镓石榴石磁光晶体制备方法与应用。通过晶体结构设计并合成出化合物Ce3Sc2Ga3O12，采用提拉法生长了该化合物厘米级晶体。该材料属于立方相晶系，Iad空间群。晶体中稀土Ce3+离子含量高，且价态稳定，Ce3+体积浓度达到1.15×1022/cm3，使得晶体具有强磁光效应。鉴于Ce3Sc2Ga3O12晶体在磁光性能、透过波段和原料成本上具有一定的相对优势，该晶体有望在磁光隔离器、磁光环形器、磁光开关中获得实现应用。
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公开(公告)号：CN112095149B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202010953656.0
申请日：2020-09-11
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种高含铈掺钪钆铁石榴石磁光晶体及其制备方法和应用。采用导模提拉法生长了化学式为Gd3‑x‑yCexCaySczFe5‑z‑wVwO12,(x=0.33‑0.54,y=0.02‑0.06,z=0.45‑0.96,w=0.01)磁光晶体。该方法可简化晶体后加工工艺，降低晶体制备的成本，且晶体生长速率快，光学均匀性好，可制备厘米级尺寸单晶。通过适量掺杂Sc有助于稳定RIG石榴石结构，并使晶胞膨胀，利于提高Ce在晶体中的掺杂量，并且增强了晶体磁性，获得透过性能好、磁性强、磁光性能优异的高含铈掺钪钆铁石榴石磁光晶体。该晶体材料有望在磁光隔离器、磁光环形器、磁光调制器等器件中获得实际应用。
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公开(公告)号：CN112095149A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010953656.0
申请日：2020-09-11
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种高含铈掺钪钆铁石榴石磁光晶体及其制备方法和应用。采用导模提拉法生长了化学式为Gd3‑x‑yCexCaySczFe5‑z‑wVwO12,(x=0.33‑0.54,y=0.02‑0.06,z=0.45‑0.96,w=0.01)磁光晶体。该方法可简化晶体后加工工艺，降低晶体制备的成本，且晶体生长速率快，光学均匀性好，可制备厘米级尺寸单晶。通过适量掺杂Sc有助于稳定RIG石榴石结构，并使晶胞膨胀，利于提高Ce在晶体中的掺杂量，并且增强了晶体磁性，获得透过性能好、磁性强、磁光性能优异的高含铈掺钪钆铁石榴石磁光晶体。该晶体材料有望在磁光隔离器、磁光环形器、磁光调制器等器件中获得实际应用。
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