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公开(公告)号：CN110172734A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910462762.6
申请日：2019-05-30
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提供一种立方相掺杂铁酸铈磁光材料及其制备方法和应用。所述的磁光材料的化学式为Ce1-xSrxFe1-xVxO3，x=0.3~0.7。该材料属立方晶系，空间群为。该材料具有结构新颖，光学、磁学性能优良，磁光效应显著的优点，而且该化合物晶格常数与硅相匹配，有望在硅基集成光隔离器等领域获得应用。该材料采用射频磁控溅射法制备，因此还具有工艺简单、周期短、重现性好的优点。
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公开(公告)号：CN110750002B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN201911040227.8
申请日：2019-10-29
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提供一种钙钛矿型立方相掺杂铁酸铋磁光材料及其制备方法和应用。所述磁光材料的化学式为Bi1‑xSrxFe1‑xTixO3，x=0.2~0.5，其属于立方晶系，空间群为#imgabs0#，并可采用射频磁控溅射法制备，具有工艺简单，周期短，重现性好等优点。本发明所得磁光材料具有结构新颖、光学和磁学性能良好、磁光效应显著等优点，且其与硅的晶格相匹配，有望在硅基集成光隔离器等领域获得应用。
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公开(公告)号：CN110172734B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201910462762.6
申请日：2019-05-30
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提供一种立方相掺杂铁酸铈磁光材料及其制备方法和应用。所述的磁光材料的化学式为Ce1‑xSrxFe1‑xVxO3，x=0.3~0.7。该材料属立方晶系，空间群为。该材料具有结构新颖，光学、磁学性能优良，磁光效应显著的优点，而且该化合物晶格常数与硅相匹配，有望在硅基集成光隔离器等领域获得应用。该材料采用射频磁控溅射法制备，因此还具有工艺简单、周期短、重现性好的优点。
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公开(公告)号：CN110750002A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201911040227.8
申请日：2019-10-29
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提供一种钙钛矿型立方相掺杂铁酸铋磁光材料及其制备方法和应用。所述磁光材料的化学式为Bi1-xSrxFe1-xTixO3，x=0.2~0.5，其属于立方晶系，空间群为 ，并可采用射频磁控溅射法制备，具有工艺简单，周期短，重现性好等优点。本发明所得磁光材料具有结构新颖、光学和磁学性能良好、磁光效应显著等优点，且其与硅的晶格相匹配，有望在硅基集成光隔离器等领域获得应用。
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