公开(公告)号：CN104059091B

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201410283879.5

申请日：2014-06-24

Applicant: 福州大学

Inventor： 吴舒婷 ,  蔡振文 ,  叶巧燕 ,  翁陈浩 ,  黄细河 ,  胡晓琳 ,  庄乃锋

IPC: C07F1/08

Abstract: 本发明提供了一种铜基手性配位聚合物的光诱导对映选择性合成的方法，具体为：先合成铜基手性配位聚合物所需的反应液，然后将铜基手性配位聚合物的反应液置于光辐照装置中，光辐照3-5天，实现铜基手性配位聚合物的对映选择性合成。光辐照装置包括半导体激光器、偏振片、四分之一波片；通过调整偏振片与四分之一波片之间的夹角，能将出射光调整为左旋或右旋圆偏振光。圆偏振光辐照实验能有效的使本发明所尝试的手性配位聚合物结晶产物去消旋化，并实现对映选择性。本发明通过光诱导实现了手性配位聚合物的对映选择性合成。该方法具有良好的重现性，实验装置简单，可多次重复利用，合成过程清洁无污染。

公开(公告)号：CN104059091A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201410283879.5

申请日：2014-06-24

Applicant: 福州大学

Inventor： 吴舒婷 ,  蔡振文 ,  叶巧燕 ,  翁陈浩 ,  黄细河 ,  胡晓琳 ,  庄乃锋

IPC: C07F1/08

Abstract: 本发明提供了一种铜基手性配位聚合物的光诱导对映选择性合成的方法，具体为：先合成铜基手性配位聚合物所需的反应液，然后将铜基手性配位聚合物的反应液置于光辐照装置中，光辐照3-5天，实现铜基手性配位聚合物的对映选择性合成。光辐照装置包括半导体激光器、偏振片、四分之一波片；通过调整偏振片与四分之一波片之间的夹角，能将出射光调整为左旋或右旋圆偏振光。圆偏振光辐照实验能有效的使本发明所尝试的手性配位聚合物结晶产物去消旋化，并实现对映选择性。本发明通过光诱导实现了手性配位聚合物的对映选择性合成。该方法具有良好的重现性，实验装置简单，可多次重复利用，合成过程清洁无污染。