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公开(公告)号：CN113862774A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111148753.3
申请日：2021-09-29
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种可应用于可见‑近红外光区的铌钪酸镨锂磁光晶体及其制备方法。所述磁光晶体的化学式为Li(5+2x)Pr3Nb(2‑x)ScxO12，其中x＝0.5～1.0。该晶体属立方晶系，空间群为。本发明制得的磁光晶体具有立方高对称性，可有效消除双折射效应对磁光应用的限制。同时，该晶体还具有磁性稀土离子含量高，电子交换作用大，晶体场作用强，磁性稀土离子在晶体中的电子有效跃迁波长较大等结构特点，有利于产生较强的磁光效应。此外，本发明磁光晶体为一致熔融化合物，生长温度为1300～1550℃，可采用中频感应提拉法生长，其生长工艺简单、周期短，晶体完整性高，能够实现大规模低成本的批量生产。
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公开(公告)号：CN113862786B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202111095669.X
申请日：2021-09-18
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种可应用于可见‑近红外光区的钒铌酸铽钇磁光晶体及其制备方法。所述磁光晶体的化学式为Tb3‑xYxNb1‑yVyO7，其中x＝0.1～1.0，y＝0.10～0.25。该晶体属立方晶系，空间群为Fm‑3m。本发明制得的磁光晶体具有高对称性，光学、磁学性能优良，晶体场作用较强等优点，能产生较好的磁光性能。此外，该磁光晶体为一致熔融化合物，生长温度为1850～2000℃，可采用中频感应提拉法生长，工艺简单、周期短，能够实现大规模低成本的批量生产，应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN113862786A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111095669.X
申请日：2021-09-18
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种可应用于可见‑近红外光区的钒铌酸铽钇磁光晶体及其制备方法。所述磁光晶体的化学式为Tb3‑xYxNb1‑yVyO7，其中x＝0.1～1.0，y＝0.10～0.25。该晶体属立方晶系，空间群为Fm‑3m。本发明制得的磁光晶体具有高对称性，光学、磁学性能优良，晶体场作用较强等优点，能产生较好的磁光性能。此外，该磁光晶体为一致熔融化合物，生长温度为1850～2000℃，可采用中频感应提拉法生长，工艺简单、周期短，能够实现大规模低成本的批量生产，应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN113862774B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202111148753.3
申请日：2021-09-29
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种可应用于可见‑近红外光区的铌钪酸镨锂磁光晶体及其制备方法。所述磁光晶体的化学式为Li(5+2x)Pr3Nb(2‑x)ScxO12，其中x＝0.5～1.0。该晶体属立方晶系，空间群为#imgabs0#。本发明制得的磁光晶体具有立方高对称性，可有效消除双折射效应对磁光应用的限制。同时，该晶体还具有磁性稀土离子含量高，电子交换作用大，晶体场作用强，磁性稀土离子在晶体中的电子有效跃迁波长较大等结构特点，有利于产生较强的磁光效应。此外，本发明磁光晶体为一致熔融化合物，生长温度为1300～1550℃，可采用中频感应提拉法生长，其生长工艺简单、周期短，晶体完整性高，能够实现大规模低成本的批量生产。
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