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公开(公告)号：CN119902389A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202510320435.2
申请日：2025-03-18
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种低成本、易成型的硅基外延磁光薄膜及制备方法和应用，其采用原位共生技术将具强磁光效应但极易团聚的ZnFe2O4纳米粒子均匀分散于有固定孔隙的ZIF‑8中，并用PgC5Cu作为桥联剂对ZIF‑8表面进行修饰，之后将其均匀分散于紫外光胶中制成胶液，再将所得胶液均匀涂覆在硅基上，经紫外固化成功构建出具有优异磁光特性的硅基外延薄膜材料。本发明制备方法相对简便且可操作性强，所制得的薄膜材料在磁光性能方面表现突出，在磁光存储、磁光传感器以及光电集成、微纳光学器件等多种领域展现出良好的应用潜力，为磁光薄膜研究与器件开发提供了一种极具价值的新型材料。
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公开(公告)号：CN113862786B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202111095669.X
申请日：2021-09-18
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种可应用于可见‑近红外光区的钒铌酸铽钇磁光晶体及其制备方法。所述磁光晶体的化学式为Tb3‑xYxNb1‑yVyO7，其中x＝0.1～1.0，y＝0.10～0.25。该晶体属立方晶系，空间群为Fm‑3m。本发明制得的磁光晶体具有高对称性，光学、磁学性能优良，晶体场作用较强等优点，能产生较好的磁光性能。此外，该磁光晶体为一致熔融化合物，生长温度为1850～2000℃，可采用中频感应提拉法生长，工艺简单、周期短，能够实现大规模低成本的批量生产，应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN113862786A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111095669.X
申请日：2021-09-18
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种可应用于可见‑近红外光区的钒铌酸铽钇磁光晶体及其制备方法。所述磁光晶体的化学式为Tb3‑xYxNb1‑yVyO7，其中x＝0.1～1.0，y＝0.10～0.25。该晶体属立方晶系，空间群为Fm‑3m。本发明制得的磁光晶体具有高对称性，光学、磁学性能优良，晶体场作用较强等优点，能产生较好的磁光性能。此外，该磁光晶体为一致熔融化合物，生长温度为1850～2000℃，可采用中频感应提拉法生长，工艺简单、周期短，能够实现大规模低成本的批量生产，应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN110172734A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910462762.6
申请日：2019-05-30
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提供一种立方相掺杂铁酸铈磁光材料及其制备方法和应用。所述的磁光材料的化学式为Ce1-xSrxFe1-xVxO3，x=0.3~0.7。该材料属立方晶系，空间群为。该材料具有结构新颖，光学、磁学性能优良，磁光效应显著的优点，而且该化合物晶格常数与硅相匹配，有望在硅基集成光隔离器等领域获得应用。该材料采用射频磁控溅射法制备，因此还具有工艺简单、周期短、重现性好的优点。
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公开(公告)号：CN102616770B
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201210084629.X
申请日：2012-03-28
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种水蒸气刻蚀碳纳米管制备石墨烯纳米带的方法。该方法将多壁碳纳米管放入聚四氟乙烯内衬中，并加入一定量的蒸馏水，振荡使碳纳米管分散均匀，然后将聚四氟乙烯内衬放入反应釜中，加热到150-225℃，恒温5h-20h，使多壁碳纳米管从纵向裂解开，形成高质量的石墨烯纳米带。采用本发明制备的石墨烯纳米带具有褶皱少、不易团聚、层数可控、产率高等优点，同时制备过程简单易操作，可以一步完成，无须采用表面活性剂进行分散，过程无污染，绿色环保。本发明克服了其他方法制备石墨烯的中存在的过程繁琐、污染严重、产率低等缺点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101792926A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010154255.5
申请日：2010-04-24
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种导模提拉法生长铽铝石榴石晶体的方法，该方法将内部带有纵向缝隙的导模模具放入坩埚中，再向坩埚中加入多晶原料，加热坩埚使多晶原料熔化，并使多晶原料的熔融体没过导模模具下部的缝隙，以使多晶原料的熔融体在毛细管效应的作用下沿着导模模具内的纵向缝隙上升到导模模具的上表面，然后下籽晶并提拉成与导模模具形状一致的单晶。本发明能够制备大尺寸铽铝石榴石单晶晶体，同时能够简化晶体的后加工工序，降低制备晶体的成本，且晶体生长速率快，制备的晶体光学均匀性好，解决了提拉法难以制备大尺寸体单晶的问题。
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公开(公告)号：CN117488403A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311175462.2
申请日：2023-09-13
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿型立方相掺杂铁酸钕(Nd1‑x‑zCezBaxFe1‑yTiyO3)磁光晶体材料及其制备方法和应用。本发明采用提拉法体中适量掺杂，通过在NdFeOBa2+3晶和Ti4+，使晶体结构从正交相向立方相转变，消除了NdFeO3晶体的双折射效应并增强了晶体磁性和磁光性能，同时通过引入Ce3+使晶体的磁光效应进一步明显提高，从而制得了厘米级以上高质量单晶。本发明具有晶体生长速度快、成本低，所得晶体与硅晶格匹配度高、矫顽力大等的优点，有望在磁光隔离器、磁光环形器、磁光调制器等器件的制备中获得实际应用。
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公开(公告)号：CN106633089B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201610836914.0
申请日：2016-09-21
Applicant: 福州大学
CPC classification number: Y02B20/181
Abstract: 本发明提供了一种Tb3+/Eu3+掺杂稀土配位聚合物白光发光材料及其制备方法，属于发光与显示技术领域。采用2，5‑二羟基对苯二甲酸作为有机配体，利用简单的溶剂热合成法，通过掺杂两种不同比例稀土金属离子合成。本发明所制备的配合物在室温中370nm的紫外光激发下能够产生Eu3+离子的特征红光发射和配体的蓝光发射，通过调节配合物中Eu3+离子的含量可以调节红光发射和蓝光发射的相对强度，进而实现配合物的白光发射。本发明制备方法简单，原料易得，可作为一种新型的白光发光材料。
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公开(公告)号：CN108691012A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810647180.0
申请日：2018-06-22
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一类具有高光电响应效率、室温稳定的钙钛矿型CsPbBr3‑xIx晶体以及其制备方法和应用。制备方法为：以PbBr2、PbI2、CsBr、二甲基亚砜为原料，其中Pb2+和Cs+物质的量比为2:1，Br‑和I‑物质的量比为14:1~2:1，采用逆温蒸发结晶法进行生长，制得尺寸大、结晶质量高、Br‑和I‑分布均匀的钙钛矿晶体材料。该晶体材料不仅具有良好的稳定性，而且通过碘离子掺杂将新能级引入带隙，从而使该晶体的吸收边发生红移，拓宽了光吸收范围。并且适量碘掺杂降低了该晶体的暗电流密度、缩短了光响应时间、增大了光电流密度，从而提高了晶体作为光电探测器时的响应率、检测率和外量子效率。
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公开(公告)号：CN108546992A
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201810319170.4
申请日：2018-04-11
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种软铋矿型磁光晶体及其制备方法与应用，该磁光晶体的化学通式为Bi26-x-yCoxFeyO40（x=0-3.5，y=0-3.5，1
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