公开(公告)号：CN211578790U

公开(公告)日：2020-09-25

申请号：CN202020691064.1

申请日：2020-04-29

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 林苡任 ,  陈道坤 ,  曾丹 ,  史波 ,  马颖江

IPC: H01L35/32 ,  H01L35/28

Abstract: 本实用新型提供了一种热电堆芯片。热电堆芯片包括衬底和设置在衬底上的绝缘层，热电堆芯片还包括热电偶组件，热电偶组件包括：多个热电偶对，各热电偶对均具有热结部，多个热电偶对沿预设方向分布，以使多个热电偶对的热结部沿预设方向间隔设置；预设方向为从衬底的中部至衬底的外周面的方向；其中，热电偶组件为多个，多个热电偶组件沿衬底的周向分布。本实用新型有效地解决了现有技术中热电堆芯片的红外吸收效率较低的问题。

公开(公告)号：CN214411204U

公开(公告)日：2021-10-15

申请号：CN202022807782.3

申请日：2020-11-27

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 林苡任 ,  史波 ,  陈道坤 ,  曾丹

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件，该半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底的一侧表面上生长有外延层；形成在所述外延层上的量子点传输层；形成在所述量子点传输层上的栅氧层。如此设置，本申请提供的半导体器件，其能够在保证栅极可靠性地基础上降低Vth。

公开(公告)号：CN213752715U

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN202022333807.0

申请日：2020-10-19

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 陈道坤 ,  史波 ,  林苡任 ,  曾丹

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本实用新型涉及一种碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管，该晶体管包括第一和第二元胞，它们共同包括漏极电极层、欧姆接触层、衬底层、外延层、层间介质层和源极电极层，第一元胞还包括第一深阱区、第二深阱区、第一浅阱区、第二浅阱区、第一源区、第二源区、第一栅氧化层和第一多晶硅栅极，第二元胞还包括第三深阱区、第四深阱区、第三浅阱区、第四浅阱区、第二栅氧化层、第三栅氧化层、第二多晶硅栅极和第三多晶硅栅极。该晶体管不但可以保证自身具有短路电流密度低、短路耐量高和短路时间长等优点，而且可以在降低体二极管正向压降的同时降低肖特基二极管的反向漏电流。

公开(公告)号：CN211957687U

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202020762459.6

申请日：2020-05-09

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 林苡任 ,  陈道坤 ,  曾丹 ,  史波 ,  马颖江

IPC: H01L35/28 ,  H01L35/30

Abstract: 涉及集成电路技术领域，本申请公开一种热电堆芯片，包括衬底、支撑层及位于所述支撑层的热电偶，支撑层设置有红外吸收层，所述衬底对应所述红外吸收层刻蚀有空穴，热电堆芯片还设置用作电极焊点的凹槽，凹槽从所述衬底延伸至所述支撑层，凹槽设置两个，且两个凹槽分别位于所述空穴的相对两侧，衬底厚度在20μm至30μm之间，所述支撑层包括氮化硅薄膜或氧化硅薄膜，氮化硅膜厚度5μm-10μm，所述红外吸收层为碳化的光刻胶层，热电偶中的一支半导体为多晶硅条，所述热电偶中的一支半导体为铝条，本方案提供一种贴片式的热电堆芯片，解决现有引脚式芯片中引脚分压影响传感器校准精度的技术问题，提高芯片的封装效率，扩大芯片的应用范围。

公开(公告)号：CN216928558U

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202220257944.7

申请日：2022-02-08

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 林苡任 ,  李春艳

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/498

Abstract: 本申请涉及一种散热电路板以及散热模块，涉及半导体技术领域。其中，散热模块包括散热电路板和功率芯片，散热电路板与功率芯片之间设置有焊料层，散热电路板包括沿远离功率芯片的方向依次层叠设置的第一散热基板、第二散热基板和第三散热基板，功率芯片通过焊料层与第一散热基板连接；第二散热基板的厚度大于散热电路板总厚度的1/7。本申请通过调整第二散热基板的厚度，提高了散热模块的散热效果，降低了各层材料发生松弛甚至裂纹的几率。

公开(公告)号：CN212625590U

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202021961880.6

申请日：2020-09-09

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 林苡任 ,  史波 ,  陈道坤 ,  曾丹

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L21/82

Abstract: 本实用新型涉及一种碳化硅肖特基半导体器件，其包括第一电子型半导体层、第二电子型半导体层、第一空穴型半导体层、第二空穴型半导体层、第一阳极结构、第二阳极结构和阴电极层。其中，第一阳极结构设置在第二电子型半导体上，第二阳极结构设置在第二空穴型半导体层上，第一电子型半导体层的掺杂浓度大于第二电子型半导体层的掺杂浓度，第一空穴型半导体层的掺杂浓度小于第二空穴型半导体层的掺杂浓度。该碳化硅肖特基半导体器件可以解决现有碳化硅肖特基半导体器件难以在降低正向工作电压的同时提高击穿电压的问题，进而降低碳化硅肖特基半导体器件正向导通的损耗，提高碳化硅肖特基半导体器件的工作效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利