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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115274601A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210770218.X
申请日：2022-06-30
Applicant: 深南电路股份有限公司
IPC: H01L23/492 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种封装体及其制作方法，所述封装体包括：导电层，所述导电层一侧的表面为粗糙面；芯片，所述芯片通过贴附层贴装在所述导电层的粗糙面上；导电组件，所述导电组件设置于所述导电层的粗糙面一侧，其中，所述导电组件使所述芯片的焊盘与所述导电层导通。通过上述方式，本发明的芯片通过贴附层贴装在导电层的粗糙面上，使得在贴附层固化过程中，粗糙面和贴附层可以形成咬合结构以提升结合力。
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公开(公告)号：CN218938553U
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202222760950.7
申请日：2022-10-19
Applicant: 深南电路股份有限公司
IPC: G02B6/12 , G02B6/122 , G02B6/42 , H01L25/16 , H01L23/482
Abstract: 本实用新型公开了一种光电共封装结构，光电共封装结构包括：电路板、再布线层、多个光电集成芯片。再布线层与电路板电连接，多个光电集成芯片均设于再布线层远离电路板的一侧，每个光电集成芯片包括光电集成芯片本体、电子芯片区和至少一个光子芯片区，光子芯片区和电子芯片区均设于光电集成芯片本体，电子芯片区与再布线层电连接，两个光电集成芯片的光子芯片区通过光波导线路通讯。由此，提高光电共封装结构内部的信号传输速率，可以有效降低光电共封装结构的设计成本和研发周期以及光电集成芯片之间信号传输的损耗，且可以根据实际使用的场景确定光电共封装结构的尺寸，具有良好得到通用性，实现光电集成芯片的高密度封装。
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公开(公告)号：CN219627984U
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202320575949.9
申请日：2023-03-15
Applicant: 深南电路股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种陶瓷基埋入式印制电路板结构、集成电路模块及电子设备，涉及电路板制作技术领域，该印制电路板结构包括：绝缘基板和陶瓷基，所述陶瓷基设置于所述绝缘基板的预设槽内，且所述陶瓷基与所述预设槽的内表面之间设置有绝缘介质；所述陶瓷基的上表面金属层用于贴装集成芯片，所述陶瓷基的下表面金属层连接设置在所述绝缘基板的下表面外部的导热金属层，以通过所述导热金属层进行导热；本实用新型的陶瓷基埋入式印制电路板结构，陶瓷基的上表面金属层表面的集成芯片产生的热量通过陶瓷基及导热金属层传导出去，利用陶瓷基的高导热性和高绝缘性，在满足集成芯片高效散热的同时还可以保证电路板的绝缘性能。
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公开(公告)号：CN216288317U
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202121921866.8
申请日：2021-08-16
Applicant: 深南电路股份有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L21/48 , H01L23/31 , H01L23/495
Abstract: 本申请公开了一种封装机构，包括：导电线路；第一阻焊层，与导电线路的一侧贴合设置，并填充满导电线路之间的空隙，且第一阻焊层上设置有至少一个孔；芯片，设置于第一阻焊层远离导电线路的一侧，且芯片穿设孔与导电线路电连接；绝缘层，盖设在芯片上，并填充满芯片与第一阻焊层之间的空隙；第二阻焊层，设置于导电线路远离第一阻焊层的一侧。通过上述结构，本申请能够获得厚度更薄，封装体积更小，结构更加轻便的封装机构。
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公开(公告)号：CN222507615U
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202421277939.8
申请日：2024-06-05
Applicant: 深南电路股份有限公司
Abstract: 本实用新型涉及芯片封装技术领域，尤其涉及一种功率芯片封装结构及印制电路板组件，本实用新型的功率芯片封装结构，包括功率芯片和绝缘框架，在绝缘框架中嵌入功率芯片，并在绝缘框架的另一侧设置用于绝缘的第一介质层，利用绝缘框架和第一介质层形成良好的绝缘，同时将功率芯片的单电极侧的电极引至双电极侧与功率芯片封装结构的电极连接，无需额外引入引线对芯片进行键合，降低封装的寄生电感的同时，极大的减小了功率芯片封装结构的体积，同时，整个封装结构简单，降低了工艺制作难度。
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