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公开(公告)号:CN105957890A
公开(公告)日:2016-09-21
申请号:CN201610427274.8
申请日:2016-06-15
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/10 , H01L29/205 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/1029 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/66462
Abstract: 本发明公开了一种新型增强型AlGaN/GaN半导体器件及其制备方法。在Si衬底之上从下至上依次涂覆有GaN层和AlGaN层,在GaN层和AlGaN层的一侧边缘刻蚀有沟槽,沟槽过刻至GaN层,在沟槽底GaN层上表面涂覆源极欧姆金属,在AlGaN层上表面另一侧边缘涂覆漏极欧姆金属,源漏欧姆金属之间涂覆有钝化层,位于垂直型沟道附近的钝化层上涂覆有用于控制垂直型沟道导电粒子浓度的肖特基金属。本发明的新型增强型AlGaN/GaN半导体器件可实现比传统沟槽增强型AlGaN/GaN的HEMTs更小的导通电阻。
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公开(公告)号:CN103887254A
公开(公告)日:2014-06-25
申请号:CN201210570384.1
申请日:2012-12-20
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L23/367 , H01L23/42
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置,主要是指电力电子功率模块。本发明公开了将高导热颗粒融入功率模块的填充物的实施方案,使得功率模块具有了双面散热的可能性。本发明提升了半导体功率模块的散热能力,实现了模块的双面散热。
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公开(公告)号:CN103887246A
公开(公告)日:2014-06-25
申请号:CN201210570362.5
申请日:2012-12-20
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L23/10 , H01L23/373
CPC classification number: H01L2224/32225
Abstract: 本发明涉及一种具有新型接合层的电力电子功率模块散热结构。本发明使用纳米级金属颗粒接合层替代传统电力电子功率散热结构中的焊锡层,作为DBC板上金属层与芯片之间的上接合层以及DBC板下金属层与散热基板之间的下接合层。具有新型接合层的电力电子功率模块散热结构,通过采用新型纳米级金属颗粒接合层代替焊锡作为上下接合层,有效地解决了传统焊锡材料与DBC板上下金属层之间的热膨胀系数差别较大的不足,既保证了接合层的导电性能,又明显降低了整体的热应力,同时大幅度提升了接合层的可靠工作温度,有效改善了DBC板与组件的使用寿命。
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公开(公告)号:CN103730489A
公开(公告)日:2014-04-16
申请号:CN201210390959.1
申请日:2012-10-16
Applicant: 浙江大学苏州工业技术研究院
IPC: H01L29/778 , H01L29/10 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/1029 , H01L29/42316 , H01L29/66462
Abstract: 本发明公开了一种具有桥墩式沟道结构的半导体装置,本发明的半导体装置为平面型结构器件;本发明的半导体装置具有采用深槽结构的栅极电极;本发明的半导体装置具有采用等间距间隔分布的桥墩式深槽结构;本发明的半导体装置具有栅极电极下方的绝缘层。在传统的凹槽型绝缘栅HEMT器件的基础上,通过将栅极电极下方的绝缘深槽进行等间距间隔分布,引入了额外的2DEG导电沟道,且该沟道不受到绝缘层侧壁工艺的影响,从而降低了导通电阻。
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公开(公告)号:CN101372452A
公开(公告)日:2009-02-25
申请号:CN200810063306.6
申请日:2008-08-01
Applicant: 浙江华联三鑫石化有限公司 , 浙江大学
Abstract: 本发明公开了采用加氢反应从有色对苯二甲酸残渣中回收对苯二甲酸的方法,该方法首先将有色对苯二甲酸固体残渣和水搅拌混合,升温溶解,然后进行催化加氢反应,闪蒸降温结晶,通过固液分离回收结晶析出的白色对苯二甲酸产品。该方法可有效去除对苯二甲酸残渣中的有色杂质,回收的对苯二甲酸产品具有较好的颜色品质。使用该方法可有效降低精对苯二甲酸生产过程中固体废弃物的排放,保护环境,还可以降低原料消耗和生产成本,提高经济效益。
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公开(公告)号:CN1208301C
公开(公告)日:2005-06-29
申请号:CN03142246.2
申请日:2003-08-08
Applicant: 中国纺织工业设计院 , 黑龙江龙涤集团有限公司 , 浙江大学
IPC: C07C51/265 , C07C63/26
Abstract: 本发明提供了一种生产对苯二甲酸用的气升式外循环鼓泡塔氧化装置,该装置包括带有顶部扩大段的筒式鼓泡塔,外循环管,气体分布器,回流液分布器和冷凝器,外循环管的上、下口分别与鼓泡塔反应段的上部和下部连通,利用外循环管将塔上部浆料通过气升作用引入下部区域,形成流体在全塔的循环,进行对二甲苯液相催化氧化。鼓泡塔采用较大的高径比来强化气液传质,采用气升式外循环管来改善塔内的温度与浓度分布。本发明塔内无运动部件,结构简单、造价和运行费用低廉,同时在反应、传质、混合、传热各方面均适用于对二甲苯空气液相催化氧化的各种反应条件,能够满足不同工艺制备对苯二甲酸的要求。
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公开(公告)号:CN1486968A
公开(公告)日:2004-04-07
申请号:CN03142246.2
申请日:2003-08-08
Applicant: 中国纺织工业设计院 , 黑龙江龙涤集团有限公司 , 浙江大学
IPC: C07C51/265 , C07C63/26
Abstract: 本发明提供了一种生产对苯二甲酸用的气升式外循环鼓泡塔氧化装置,该装置包括带有顶部扩大段的筒式鼓泡塔,外循环管,气体分布器,回流液分布器和冷凝器,外循环管的上、下口分别与鼓泡塔反应段的上部和下部连通,利用外循环管将塔上部浆料通过气升作用引入下部区域,形成流体在全塔的循环,进行对二甲苯液相催化氧化。鼓泡塔采用较大的高径比来强化气液传质,采用气升式外循环管来改善塔内的温度与浓度分布。本发明塔内无运动部件,结构简单、造价和运行费用低廉,同时在反应、传质、混合、传热各方面均适用于对二甲苯空气液相催化氧化的各种反应条件,能够满足不同工艺制备对苯二甲酸的要求。
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公开(公告)号:CN202917497U
公开(公告)日:2013-05-01
申请号:CN201220562067.0
申请日:2012-10-29
Applicant: 浙江大学苏州工业技术研究院
IPC: H01L29/778
Abstract: 一种带有漂移区电场成型技术的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件,包括衬底,依次沉积在衬底上的第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层,以及于上述半导体层接触的源极、漏极和栅极,电容性耦合沟槽矩形阵列,电容性耦合沟槽中垂直设置有多晶硅连接器,所述第一半导体层、所述第二半导体层与所述第三半导体层的材料均选自Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物,所述第三半导体层与所述第二半导体层之间形成二维电子气沟道,所述多晶硅连接器贯穿所述二维电子气沟道,并截止于第二半导体层中。多晶硅连接器长度短,不但工艺简单,而且还降低了制作成本,所述第一半导体层、所述第二半导体层与所述第三半导体层的材料均选自Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物,介质击穿电压高,使得电子器件能承受很高的电压。
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公开(公告)号:CN2654608Y
公开(公告)日:2004-11-10
申请号:CN200320108899.6
申请日:2003-10-12
Applicant: 浙江大学
IPC: C07C63/26 , C07C51/265
Abstract: 本实用新型公开的用于生产对苯二甲酸的鼓泡塔氧化反应装置包括一上下均匀的直筒式鼓泡塔,塔内自上而下依次为气体处理段,自由空间段和三相反应段,在气体处理段中安装有液体分布器、填料或持液塔板,在三相反应段的下部装有气体分布器,气体分布器上方位于反应段高度的1/4~1/2处设有原料进料管,塔底设有出料管,塔顶设有尾气管和冷凝液回流管,冷凝器的入口与尾气管相连,气体出口与后续的尾气处理单元相连,冷凝器的液体出口分别与原料进料管、冷凝液回流管和后续的脱水塔相连。该装置塔内无运动部件,结构简单、造价和运行费用低廉,同时在反应、传质、混合、传热各方面均满足对二甲苯空气液相催化氧化的要求,适用于高温氧化法制备对苯二甲酸的过程。
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公开(公告)号:CN2652929Y
公开(公告)日:2004-11-03
申请号:CN03209727.1
申请日:2003-08-08
Applicant: 中国纺织工业设计院 , 黑龙江龙涤集团有限公司 , 浙江大学
IPC: C07C63/26 , C07C51/265
Abstract: 本实用新型提供了一种用于生产对苯二甲酸的气升式外循环鼓泡塔氧化装置,该装置包括带有顶部扩大段的筒式鼓泡塔,外循环管,气体分布器,回流液分布器和冷凝器,外循环管的上、下口分别与鼓泡塔反应段的上部和下部连通,利用外循环管将塔上部浆料通过气升作用引入下部区域,形成流体在全塔的循环,进行对二甲苯液相催化氧化。鼓泡塔采用较大的高径比来强化气液传质,采用气升式外循环管来改善塔内的温度与浓度分布。本实用新型塔内无运动部件,结构简单、造价和运行费用低廉,同时在反应、传质、混合、传热各方面均适用于对二甲苯空气液相催化氧化的各种反应条件,能够满足不同工艺制备对苯二甲酸的要求。
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