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公开(公告)号：CN1870227A
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200610014303.4
申请日：2006-06-09
Applicant: 河北工业大学
IPC: H01L21/30
Abstract: 本发明涉及一种提高硅单晶衬底片表面完美性的工艺控制方法，其实施步骤是：(1)在硅片抛光清洗后对其表面进行氧化处理，即在硅片抛光清洗后浸泡于含有双氧水或臭氧的纯水中，使硅片表面生成3－5nm的洁净氧化层，将硅片表面封闭，有效保护防沾污；(2)对划片区进行重掺杂，制作失配位错网络，释放器件区域应力，并吸除器件区域的金属杂质。本发明根据硅单晶衬底片加工的工艺特点，运用背封保护硅片、划片区进行重掺杂制作失配位错网络等工艺，获得制备器件区域表面完美性好的硅片。该方法操作简单，不需添加其它设备，成本低、效率高、无污染，可明显改善器件性能，提高成品率。
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公开(公告)号：CN1864926A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610014304.9
申请日：2006-06-09
Applicant: 河北工业大学
IPC: B24B29/02 , H01L21/304 , C09G1/02 , C09G1/04
Abstract: 本发明涉及一种硅单晶衬底材料表面粗糙度的控制方法，根据硅单晶衬底材料的化学性质，选用碱性介质，采用SiO2水溶胶作为磨料，用pH调节剂调整溶液的pH值为9－13.5，并加入FA/O等表面活性剂来制备抛光液。该方法采用不同抛光工艺条件下的粗抛、精抛两步抛光法进行抛光；用粗抛液在流量100－200ml/min，温度30－40℃，转速40－120rpm，压力0.10－0.20MPa的抛光工艺条件下，在抛光机上对硅单晶衬底材料进行抛光10－20min。用精抛液在流量800－1000ml/min，温度20－30℃，转速30－60rpm，压力0.05－0.10Mpa的抛光工艺条件下，在抛光机上对硅单晶衬底材料进行抛光4－7min。实现硅单晶衬底材料表面的低粗糙度，以满足工业上对硅单晶衬底片CMP精密加工的要求。
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公开(公告)号：CN1594080A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN200410019069.5
申请日：2004-07-03
Applicant: 河北工业大学
IPC: C01B33/148
Abstract: 本发明涉及一种大粒径硅溶胶的制备方法。本方法根据二氧化硅微粒的双电层理论，运用其Zata电位绝对值监控粒子生长，确定Zata电位绝对值为28－30mv为生长临界电位，确定Zata电位绝对值为50－70mv为成品长期稳定可靠电位。通过活性硅酸溶液浓、反应液pH值、反应液浓度和加热温度调整控制并保持相应工艺阶段的Zata电位绝对值，使制备粒径为100－130nm的大粒径硅溶胶成为可能，且分散度很小。使用本方法制备的大粒径硅溶胶制得的浆料能够满足超大规模集成电路多层布线应用CMP技术研磨抛光的需要。具有设备成本低、制备周期时间短，能耗低的突出优点。
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公开(公告)号：CN118879420A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410909851.1
申请日：2024-07-09
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种抑制铜/钴电偶腐蚀的铜互连CMP后碱性清洗液。所述清洗液的原料包括下列质量分数的组分：0.01％～5％的络合剂、0.01％～10％的复配表面活性剂、余量为去离子水；pH值范围为10～12，所述的组分比例之和为100％。其中，复配表面活性剂的组成为阴离子表面活性剂和非离子表面活性剂，二者的质量比5:1～1:2。本发明能够实现有效抑制铜/钴电偶腐蚀、提高清洗液润湿性和清洗效率等多种效果，清洗后表面亲水无腐蚀，节省资源，绿色环保。
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公开(公告)号：CN111004579B
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201911184055.1
申请日：2019-11-27
Applicant: 河北工业大学
IPC: H01L21/304 , C09G1/02
Abstract: 本发明属于抛光液领域，具体涉及一种用于降低多层铜互连阻挡层CMP缺陷的碱性抛光液及其制备方法。抛光液由下述组分组成，按质量份百分比计：硅溶胶5‑20％，螯合剂0.1‑5％，表面活性剂0.001‑5％，氧化剂0.001‑10％，去离子水余量；其中，所述的表面活性剂为非离子活性剂和阴离子活性剂进行复配获得。本发明抛光液呈碱性，pH为7.5‑11，不腐蚀设备，不污染环境。本发明使用纳米SiO2溶胶作为抛光液磨料，其浓度高，分散度好、硬度小。本发明由硅溶胶、螯合剂、表面活性剂、助溶剂、氧化剂和去离子水组成，成分简单，稳定性好，价格便宜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111004579A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201911184055.1
申请日：2019-11-27
Applicant: 河北工业大学
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明属于抛光液领域，具体涉及一种用于降低多层铜互连阻挡层CMP缺陷的碱性抛光液及其制备方法。抛光液由下述组分组成，按质量份百分比计：硅溶胶5-20％，螯合剂0.1-5％，表面活性剂0.001-5％，氧化剂0.001-10％，去离子水余量；其中，所述的表面活性剂为非离子活性剂和阴离子活性剂进行复配获得。本发明抛光液呈碱性，pH为7.5-11，不腐蚀设备，不污染环境。本发明使用纳米SiO2溶胶作为抛光液磨料，其浓度高，分散度好、硬度小。本发明由硅溶胶、螯合剂、表面活性剂、助溶剂、氧化剂和去离子水组成，成分简单，稳定性好，价格便宜。
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公开(公告)号：CN110813891A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911116905.4
申请日：2019-11-15
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种用于铜CMP后清洗磨料颗粒的清洗液及清洗方法。该清洗液的组成包括活性剂、螯合剂、pH调节剂和去离子水；所述各组成所占清洗液的质量百分比为：活性剂0.01-0.5％，螯合剂0.01-0.05％，余量为去离子水；清洗液的pH值为9-12；所述活性剂为阴离子表面活性剂和非离子表面活性剂，二者质量比为阴离子表面活性剂和非离子表面活性剂＝1：1-3；所述的阴离子表面活性剂具体为ADS；所述的非离子表面活性剂具体为AEO。本发明为实现铜CMP后复合活性剂的刷片机的高效率清洗、低成本清洗奠定了基础。
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公开(公告)号：CN110712119A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201911116899.2
申请日：2019-11-15
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种利用CMP设备进行硅片后清洗的方法。该方法包括如下步骤：在CMP设备上，将清洗液通入当化学机械抛光机完成常规硅片抛光工序的抛光工作后，更换抛光盘，打开清洗液管路，关闭抛光液管路，进入清洗工序；完成清洗工序后，关闭清洗液管路，打开去离子水管路，通入去离子水，进行去离子清洗；最后取出硅片，氮气吹干15-30s，完成抛光及清洗工序。本发明清洗方法工艺简单，无二次污染，实现了抛光与清洗一体化，减少专门清洗设备的投入，并提高了清洗效率。
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公开(公告)号：CN104449398B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201410682284.7
申请日：2014-11-25
Applicant: 河北工业大学
IPC: H01L21/302
Abstract: 本发明公开了一种适用于钴阻挡层的碱性化学机械抛光液。本发明抛光液包括研磨颗粒、络合剂、氧化剂、表面活性剂、腐蚀抑制剂、抑菌剂和水；络合剂含量为重量百分比0.01～10％；研磨颗粒含量为重量百分比1～40％；所述的氧化剂为过氧化氢，含量为重量百分比0.1～10％；表面活性剂含量为重量百分比0.01～5％；腐蚀抑制剂含量为重量百分比0.1～5％；抑菌剂含量为重量百分比0.001～1％，用水补充含量至100％。此抛光液适用于钴阻挡层的抛光，抛光液呈碱性，解决了钴在含有氧化剂的酸性抛光液中易于溶解的问题，同时提高了钴的抛光速率，降低了表面粗糙度。
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公开(公告)号：CN104449404B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201410781702.8
申请日：2014-12-16
Applicant: 河北工业大学
IPC: H01L21/312
Abstract: 本发明涉及一种锗晶体化学机械抛光的抛光液及使用方法，包括粗抛液和精抛液，所述粗抛液按重量％计主要由下列原料组成：磨料粒径15?110nm、浓度≥40wt％、硬度≤7 Mohs的SiO2水溶胶磨料10?50％、氧化剂0.2?1.5％、pH调节剂0.5?2％、螯合剂0.2?1.5％、表面活性剂0.1?1％；精抛液主要有表面活性剂0.1?0.5％，余量为去离子水。选择两步抛光法进行化学机械抛光，第一步选用粗抛液，第二步选用精抛液，两步抛光在同一台抛光机上完成。有益效果：可以解决锗晶体材料化学机械抛光过程中速率低、粗糙度高、金属离子及颗粒沾污等问题。
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