公开(公告)号：CN110813891B

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN201911116905.4

申请日：2019-11-15

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 檀柏梅 ,  杨柳 ,  殷达 ,  何彦刚 ,  王如 ,  孙晓琴 ,  张师浩

IPC: B08B3/08 ,  C11D1/02 ,  C11D1/66 ,  C11D3/00 ,  C11D3/04

Abstract: 本发明为一种用于铜CMP后清洗磨料颗粒的清洗液及清洗方法。该清洗液的组成包括活性剂、螯合剂、pH调节剂和去离子水；所述各组成所占清洗液的质量百分比为：活性剂0.01‑0.5％，螯合剂0.01‑0.05％，余量为去离子水；清洗液的pH值为9‑12；所述活性剂为阴离子表面活性剂和非离子表面活性剂，二者质量比为阴离子表面活性剂和非离子表面活性剂＝1：1‑3；所述的阴离子表面活性剂具体为ADS；所述的非离子表面活性剂具体为AEO。本发明为实现铜CMP后复合活性剂的刷片机的高效率清洗、低成本清洗奠定了基础。

公开(公告)号：CN111020610A

公开(公告)日：2020-04-17

申请号：CN201911209700.0

申请日：2019-12-01

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 檀柏梅 ,  王淇 ,  王辰伟 ,  田思雨 ,  马腾达 ,  刘孟瑞 ,  张师浩

IPC: C23G1/20

Abstract: 本发明为一种用于Cu互连CMP后腐蚀抑制剂的清洗液及配制方法。该清洗液的组成包括螯合剂、络合剂、表面活性剂以及去离子水；清洗液的pH值为10~13；其中，各组分的质量百分配比为：螯合剂：0.0005~0.2wt%、络合剂：0.0005~0.1wt%、表面活性剂：0.001~0.5wt%，余量为去离子水。所述的清洗液还包括pH调节剂中的一种或多种。本发明低毒性，无有害物质的挥发，安全环保，可适用于大规模工业生产线，清洗效果优异。

公开(公告)号：CN118879420A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202410909851.1

申请日：2024-07-09

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 檀柏梅 ,  高宝红 ,  王方圆 ,  杜浩毓 ,  王如 ,  石芸慧 ,  张师浩

IPC: C11D1/83 ,  H01L21/02 ,  C11D3/33 ,  C11D3/20 ,  C11D3/30 ,  C11D3/37 ,  C11D3/60

Abstract: 本发明为一种抑制铜/钴电偶腐蚀的铜互连CMP后碱性清洗液。所述清洗液的原料包括下列质量分数的组分：0.01％～5％的络合剂、0.01％～10％的复配表面活性剂、余量为去离子水；pH值范围为10～12，所述的组分比例之和为100％。其中，复配表面活性剂的组成为阴离子表面活性剂和非离子表面活性剂，二者的质量比5:1～1:2。本发明能够实现有效抑制铜/钴电偶腐蚀、提高清洗液润湿性和清洗效率等多种效果，清洗后表面亲水无腐蚀，节省资源，绿色环保。

公开(公告)号：CN110813891A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201911116905.4

申请日：2019-11-15

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 檀柏梅 ,  杨柳 ,  殷达 ,  何彦刚 ,  王如 ,  孙晓琴 ,  张师浩

IPC: B08B3/08 ,  C11D1/02 ,  C11D1/66 ,  C11D3/00 ,  C11D3/04

Abstract: 本发明为一种用于铜CMP后清洗磨料颗粒的清洗液及清洗方法。该清洗液的组成包括活性剂、螯合剂、pH调节剂和去离子水；所述各组成所占清洗液的质量百分比为：活性剂0.01-0.5％，螯合剂0.01-0.05％，余量为去离子水；清洗液的pH值为9-12；所述活性剂为阴离子表面活性剂和非离子表面活性剂，二者质量比为阴离子表面活性剂和非离子表面活性剂＝1：1-3；所述的阴离子表面活性剂具体为ADS；所述的非离子表面活性剂具体为AEO。本发明为实现铜CMP后复合活性剂的刷片机的高效率清洗、低成本清洗奠定了基础。