公开(公告)号：CN104889879A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201510095290.7

申请日：2015-03-04

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 小林洋一 ,  八木圭太

IPC: B24B37/04 ,  B24B37/005 ,  B24B49/00 ,  B24B49/12

CPC classification number: H01L22/26 ,  B24B37/005 ,  B24B49/105 ,  B24B49/12 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/67063 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/12

Abstract: 本发明的目的在于，提供能够与工艺特性的变化无关地实现良好的残存膜厚分布控制的研磨装置以及研磨方法。研磨装置具备支持研磨垫(2)用的研磨台(3)、对基板的背面的多个区域分别施加压力，将基板的表面按压在研磨垫(2)上的顶环(1)、取得膜厚信号的膜厚传感器(7)、以及对压力进行操纵的研磨控制部(9)。研磨控制部(9)在基板的研磨过程中计算出基板表面的多个区域内的残存膜厚的指数，为了根据指数对残存膜厚分布进行控制，对压力进行操纵，利用在基板研磨过程中得到的研磨数据对控制参数中的至少一个进行更新。

公开(公告)号：CN102490112B

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201110416880.7

申请日：2007-10-05

Applicant: 株式会社荏原制作所 ,  株式会社东芝

Inventor： 清水展 ,  大田真朗 ,  丸山浩二 ,  小林洋一 ,  三谷隆一郎 ,  中井俊辅 ,  重田厚

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/013 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B49/04 ,  B24B37/013 ,  B24B49/12 ,  B24B49/16 ,  B24D7/12 ,  G01B11/0675 ,  G01N21/55 ,  G01N21/9501 ,  G05B19/406 ,  G05B19/4065 ,  H01L22/26 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及计算基板等加工对象物的被加工面的特性值，并检测加工终点(研磨停止、研磨条件的变更等)的定时的方法。该方法通过使用基准被加工物、或模拟计算，生成表示加工终点上的反射强度与波长的关系的分光波形；基于上述分光波形，选择反射强度成为极大值及极小值的波长；根据上述选择的波长上的反射强度，计算对于被加工面的特性值；将加工终点上的特性值的时间变化的特征点设定为加工终点；在加工对象物的加工中检测上述特征点从而检测被加工物的加工终点。

公开(公告)号：CN101511539B

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN200780033624.1

申请日：2007-09-06

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 小林洋一 ,  广尾康正 ,  大桥刚

IPC: B24B37/005 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/04 ,  B24B37/013

Abstract: 本发明涉及研磨半导体晶片等的基板并进行平坦化的研磨装置及研磨方法。本发明涉及的研磨装置具备：研磨台(10)，具有研磨面；顶环(14)，对于基板上的第一多个区域独立地施加按压力，从而将基板按压在研磨台上；传感器(50)，检测多个计测点上的上述膜的状态；监控装置(53)，根据传感器的输出信号，对于基板上的第二多个区域的各个区域生成监控信号；存储部，存放多个基准信号，该多个基准信号表示监控信号的基准值与研磨时间的关系；控制部，操作对第一多个区域的按压力，以使与第二多个区域的各个区域对应的监控信号收敛至多个基准信号的某一个。

公开(公告)号：CN102194690A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110049961.8

申请日：2011-03-02

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 小林洋一

IPC: H01L21/321 ,  B24B37/00 ,  B24B49/04 ,  B24B49/12

CPC classification number: G01N21/9501 ,  B24B37/013 ,  B24B49/12 ,  G01B11/06 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种能够正确地监视研磨的进展、还能够检测正确的研磨终点的方法。本方法在基板的研磨中对基板照射光，受光来自基板的反射光，对各波长测量反射光的强度，由强度的测量值生成表示强度与波长之间的关系的波谱，计算出每规定时间的波谱的变化量，将波谱的变化量沿着研磨时间累积而计算出波谱累积变化量，基于波谱累积变化量监视基板的研磨的进展。

公开(公告)号：CN1791490B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200480013400.0

申请日：2004-05-13

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 广川一人 ,  中井俊辅 ,  大田真朗 ,  和田雄高 ,  小林洋一

IPC: B24B49/12 ,  B24B37/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/205 ,  B24B37/013 ,  B24B49/12 ,  H01L21/30625

Abstract: 一种衬底抛光设备，其将诸如半导体晶片的衬底表面抛光至平坦镜面光洁度。根据本发明的衬底抛光设备包括：可旋转工作台(12)，其具有用于抛光半导体衬底(18)的抛光垫；光发射和接收装置(80，82)，其用于发射测量光，以使之穿过设置在抛光垫(16)上的通孔到达半导体衬底(18)，并且接收来自半导体衬底(18)的反射光，以便测量该半导体衬底(18)上的薄膜；以及供给通道(44)，其用于向测量光的通道供应流体。该供给通道(44)具有设置在通孔(84)中的出口部分。

公开(公告)号：CN101523565A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200780037289.2

申请日：2007-10-05

Applicant: 株式会社荏原制作所 ,  株式会社东芝

Inventor： 清水展 ,  大田真朗 ,  丸山浩二 ,  小林洋一 ,  三谷隆一郎 ,  中井俊辅 ,  重田厚

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/04

CPC classification number: B24B49/04 ,  B24B37/013 ,  B24B49/12 ,  B24B49/16 ,  B24D7/12 ,  G01B11/0675 ,  G01N21/55 ,  G01N21/9501 ,  G05B19/406 ,  G05B19/4065 ,  H01L22/26 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及计算基板等加工对象物的被加工面的特性值，并检测加工终点(研磨停止、研磨条件的变更等)的定时的方法。该方法通过使用基准被加工物、或模拟计算，生成表示加工终点上的反射强度与波长的关系的分光波形；基于上述分光波形，选择反射强度成为极大值及极小值的波长；根据上述选择的波长上的反射强度，计算对于被加工面的特性值；将加工终点上的特性值的时间变化的特征点设定为加工终点；在加工对象物的加工中检测上述特征点从而检测被加工物的加工终点。

公开(公告)号：CN101511539A

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200780033624.1

申请日：2007-09-06

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 小林洋一 ,  广尾康正 ,  大桥刚

IPC: B24B37/04 ,  B24B37/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/04 ,  B24B37/013

Abstract: 本发明涉及研磨半导体晶片等的基板并进行平坦化的研磨装置及研磨方法。本发明涉及的研磨装置具备：研磨台(10)，具有研磨面；顶环(14)，对于基板上的第一多个区域独立地施加按压力，从而将基板按压在研磨台上；传感器(50)，检测多个计测点上的上述膜的状态；监控装置(53)，根据传感器的输出信号，对于基板上的第二多个区域的各个区域生成监控信号；存储部，存放多个基准信号，该多个基准信号表示监控信号的基准值与研磨时间的关系；控制部，操作对第一多个区域的按压力，以使与第二多个区域的各个区域对应的监控信号收敛至多个基准信号的某一个。