公开(公告)号：CN109219859A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201780033770.8

申请日：2017-10-11

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 深堀奏子 ,  中矶俊幸 ,  滨田显德

IPC: H01F27/00 ,  H01F17/00 ,  H01F17/04 ,  H05K1/16 ,  H05K3/46

Abstract: 在使电感器和电容器一体地形成在一个坯体的结构中，实现优异的Q值的电感器。LC器件(10)具备坯体(20)、电感器(40)、电容器(50)、以及磁性体部(31)。坯体(20)为平板状，在至少一部分具备绝缘性的树脂层。电感器(40)具有环状的导体图案(401、402)，并形成在坯体(20)的内部。电容器(50)是安装型的元件，在环状的导体图案(401、402)的开口内，并以至少安装面与树脂层接触的状态配置在坯体(20)内。磁性体部(31)形成坯体(20)的一部分，遍及环状的导体图案(401、402)的大致全长地配置在导体图案(401、402)与电容器(50)之间。

公开(公告)号：CN103891047B

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201280052633.6

申请日：2012-10-24

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 池本伸郎 ,  中矶俊幸 ,  谷口胜己 ,  乡地直树 ,  池田直徒

IPC: H01Q1/22 ,  H01Q1/24 ,  H01Q7/00 ,  H04B5/00

CPC classification number: G06K7/10336 ,  G06K19/07 ,  G06K19/077 ,  G06K19/07779 ,  H01G7/00 ,  H01Q1/2225 ,  H01Q1/243 ,  H01Q5/10 ,  H01Q7/005 ,  H04B5/0062 ,  H04B5/0081 ,  H04B5/02

Abstract: 本发明的高频器件包括天线线圈、可变电容元件以及RFIC。可变电容元件由电容器电极(PT1、PT2)之间夹有强电介质膜(FS2)的电容器部构成，电容值根据施加在电容器电极之间的控制电压而变化。并且，在电容器部的上部层叠形成有由具有不同电阻值的多个电阻元件构成的控制电压施加电路(14R)、以及对可变电容元件施加控制电压的可变电容元件部的电阻元件(14B)。由此，构成一种带控制电压施加电路的可变电容元件及高频器件，能够消除有源元件所引起的失真、以及伴随电路结构的复杂化而产生的IC尺寸大型化的问题，并能确保对于下落等冲击的可靠性。

公开(公告)号：CN104704678B

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201380050610.6

申请日：2013-09-05

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 石塚健一 ,  中矶俊幸 ,  西田浩

IPC: H01Q1/50 ,  H01F27/42

CPC classification number: G06F17/5072 ,  G06F17/5063 ,  G06F17/5077 ,  G06F2217/12 ,  H01F19/04 ,  H01F2027/2809 ,  H01Q1/00 ,  H01Q5/50

Abstract: 阻抗转换电路按以下顺序来进行设计。[1]根据阻抗比来决定变压器电路所需要的变压比。[2]分别决定第一电感元件(环状导体(L1A、L1B))与第二电感元件(环状导体(L2A、L2B))之间的耦合系数、第一电感元件的电感以及第二电感元件的电感。[3]决定第二电感元件的形状。[4]决定第一电感元件的形状，使得至少用2层环形导体来构成第一电感元件，并确定各环形导体间的层间距离，使得第一电感元件的电感值成为所希望的值。

公开(公告)号：CN103098199B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201180043631.6

申请日：2011-09-06

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 中矶俊幸 ,  竹岛裕 ,  石浦丰 ,  入江祐二 ,  谷晋辅 ,  高木纯

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/82 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01G4/33 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5252 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53257 ,  H01L23/53261 ,  H01L27/016 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种耐湿性高的电介质薄膜元件。电介质薄膜元件(10)具备：具有电介质层(22)和形成于电介质层(22)的上下表面的一对电极层(21、23)的电容部(20)；以覆盖电容部(20)的方式形成的保护层(30)；被引出至保护层(30)的上表面的一对配线层(41、42)；表面金属层；以与配线层(41、42)电连接的方式形成的外部电极(47、48)。并且，表面金属层具有第一表面金属层(43、44)和第二表面金属层(45、46)，第一表面金属层(43、44)通过镀敷法以覆盖配线层(41、42)的沿着开口部(33、34)的内表面的部分的方式形成，第二表面金属层(45、46)通过真空薄膜法形成，第一表面金属层(43、44)的端部与第二表面金属层(45、46)的端部相接。

公开(公告)号：CN103891047A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201280052633.6

申请日：2012-10-24

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 池本伸郎 ,  中矶俊幸 ,  谷口胜己 ,  乡地直树 ,  池田直徒

IPC: H01Q7/00 ,  G06K19/07 ,  G06K19/077 ,  H01Q5/01 ,  H04B5/02

CPC classification number: G06K7/10336 ,  G06K19/07 ,  G06K19/077 ,  G06K19/07779 ,  H01G7/00 ,  H01Q1/2225 ,  H01Q1/243 ,  H01Q5/10 ,  H01Q7/005 ,  H04B5/0062 ,  H04B5/0081 ,  H04B5/02

Abstract: 本发明的高频器件包括天线线圈、可变电容元件以及RFIC。可变电容元件由电容器电极(PT1、PT2)之间夹有强电介质膜(FS2)的电容器部构成，电容值根据施加在电容器电极之间的控制电压而变化。并且，在电容器部的上部层叠形成有由具有不同电阻值的多个电阻元件构成的控制电压施加电路(14R)、以及对可变电容元件施加控制电压的可变电容元件部的电阻元件(14B)。由此，构成一种带控制电压施加电路的可变电容元件及高频器件，能够消除有源元件所引起的失真、以及伴随电路结构的复杂化而产生的IC尺寸大型化的问题，并能确保对于下落等冲击的可靠性。

公开(公告)号：CN103891046A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201280052613.9

申请日：2012-10-25

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 池田直徒 ,  池本伸郎 ,  乡地直树 ,  中矶俊幸 ,  谷口胜己

IPC: H01Q7/00 ,  G06K17/00 ,  G06K19/07 ,  H01Q9/14 ,  H04B1/59 ,  H04B5/02

CPC classification number: H04B5/0012 ,  G06K19/0726 ,  H01Q1/2225 ,  H01Q7/00 ,  H04B5/0031 ,  H04B5/0062 ,  H04B5/0081 ,  H04B5/02

Abstract: RFIC(11)包括IO端子(11P)。同样，控制IC(12)包括IO端子(12P)。可变电容元件(14)包括控制端子(14P)。该可变电容元件(14)包括根据控制电压来确定电容值的电容元件、以及对输入控制端子的电压进行分压来产生所述控制电压的电阻分压电路。RFIC(11)或控制IC(12)经由信号线(15A、15B)向可变电容元件(14)提供控制数据。可变电容元件(14)与天线线圈(13)一同构成LC并联谐振电路即天线电路，将天线电路的谐振频率定义为规定频率。

公开(公告)号：CN211181978U

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN201990000137.3

申请日：2019-02-25

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 中矶俊幸

IPC: H01G4/005 ,  H01G4/008 ,  H01G4/40

Abstract: 电容元件(101)具备：基板(1)；下部电极(10)，其形成于基板(1)；多个第1上部电极(41A、41B)，其与下部电极(10)对置配置；第2上部电极(42A、42B)，其与下部电极(10)对置配置；电介质层，其配置在下部电极(10)与第1上部电极(41A、41B)之间、以及下部电极(10)与第2上部电极(42A、42B)之间；第1布线导体(61)，其将第1上部电极(41A、41B)相互连接；以及第2布线导体(62)，其将第2上部电极(42A、42B)相互连接。而且，在沿着下部电极(10)的面方向上且在X轴方向上，第1上部电极(41A、41B)与第2上部电极(42A、42B)邻接，并且在沿着下部电极(10)的面方向上且在Y轴方向上，第1上部电极(41A、41B)与第2上部电极(42A、42B)邻接。

公开(公告)号：CN208189571U

公开(公告)日：2018-12-04

申请号：CN201790000362.8

申请日：2017-06-08

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 中矶俊幸

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/00 ,  H01L23/02 ,  H01L23/12 ,  H01L23/28 ,  H01L23/31 ,  H01L25/00 ,  H01L33/00 ,  H01L33/48

Abstract: 实现可靠性高的半导体部件。半导体部件(10)具备半导体基板(20)、半导体元件部(21)、再布线层(30)以及绝缘层(40)。半导体基板(20)具有相互对置的第一面(201)和第二面(202)、以及与第一面(201)和第二面(202)正交的侧面(210)。半导体元件部(21)形成在半导体基板(20)的第一面(201)侧的区域。再布线层(30)形成在半导体基板(20)的第一面(201)。绝缘层(40)遍及半导体基板(20)的侧面(210)和第二面(202)而相接触。并且，绝缘层(40)与再布线层(30)中的与和半导体基板(20)相接触的面相反侧的半导体部件(10)的背面(301)不相关。

公开(公告)号：CN206293439U

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201621195583.9

申请日：2016-10-28

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 石塚健一 ,  中矶俊幸 ,  小泽真大

IPC: H01L25/16

CPC classification number: H01L2224/16225 ,  H01L2224/73253

Abstract: 本实用新型涉及集成电路元件的安装构造，能够在集成电路元件与安装基板之间容易地配置具有电感器和电容器的薄膜元件且薄膜元件与安装基板之间的连接可靠性的高。集成电路元件的安装构造具备集成电路元件、安装基板以及薄膜元件，集成电路元件具有外部端子，安装基板具有安装端子，薄膜元件具有第一主面以及第二主面。薄膜元件具有绝缘性基板、通过薄膜工序形成于绝缘基板的薄膜电感器及薄膜电容器、形成于第一主面的第一连接端子、以及形成于第二主面的第二连接端子。第一连接端子以及第二连接端子与薄膜电感器及薄膜电容器的至少一方连接。第一连接端子与外部端子连接，第二连接端子与安装端子连接。

公开(公告)号：CN205508776U

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201490000444.9

申请日：2014-02-25

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 中矶俊幸 ,  加藤登

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/822 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L27/04 ,  H01L29/866

CPC classification number: H01L23/528 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0814 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本实用新型涉及半导体装置。ESD保护器件(1)具备Si基板(10)和再布线层(20)。再布线层(20)的Ti/Cu/Ti电极(23A、23B)经由接触孔(22A、22B)与形成在Si基板(10)的表面的具有Al电极膜(111～113、121、131)的ESD保护电路导通。Al电极膜(121)与Ti/Cu/Ti电极(23A)导通，Al电极膜(131)与Ti/Cu/Ti电极(23B)导通。在Al电极膜(111、121)间形成二极管形成区域(141)，在Al电极膜(112、131)间形成二极管形成区域(144)。Ti/Cu/Ti电极(24A)不与二极管形成区域(144)重叠，Ti/Cu/Ti电极(24B)不与二极管形成区域(141)重叠。由此，提供一种能够减少寄生电容的产生，并能够应用到更高频带的半导体装置。