公开(公告)号：CN114503260A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202080066128.1

申请日：2020-04-17

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 芦峰智行 ,  入江祐二 ,  村濑康裕

IPC: H01L27/04 ,  H01G4/33 ,  H01G17/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种可靠性更高的半导体装置。本发明的半导体装置具备：半导体基板，具有相互对置的第1主面和第2主面；电介质层，层叠于半导体基板的第1主面上；第1电极层，层叠于电介质层上；保护层，至少包覆电介质层和第1电极层的外周端部，并且被设置为使所述半导体基板的所述第1主面的外周端部露出，半导体基板具有至少位于所述保护层的外周端部的正下方的高电阻区域。

公开(公告)号：CN103098199A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201180043631.6

申请日：2011-09-06

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 中矶俊幸 ,  竹岛裕 ,  石浦丰 ,  入江祐二 ,  谷晋辅 ,  高木纯

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/82 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01G4/33 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5252 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53257 ,  H01L23/53261 ,  H01L27/016 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种耐湿性高的电介质薄膜元件。电介质薄膜元件(10)具备：具有电介质层(22)和形成于电介质层(22)的上下表面的一对电极层(21、23)的电容部(20)；以覆盖电容部(20)的方式形成的保护层(30)；被引出至保护层(30)的上表面的一对配线层(41、42)；表面金属层；以与配线层(41、42)电连接的方式形成的外部电极(47、48)。并且，表面金属层具有第一表面金属层(43、44)和第二表面金属层(45、46)，第一表面金属层(43、44)通过镀敷法以覆盖配线层(41、42)的沿着开口部(33、34)的内表面的部分的方式形成，第二表面金属层(45、46)通过真空薄膜法形成，第一表面金属层(43、44)的端部与第二表面金属层(45、46)的端部相接。

公开(公告)号：CN103098199B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201180043631.6

申请日：2011-09-06

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 中矶俊幸 ,  竹岛裕 ,  石浦丰 ,  入江祐二 ,  谷晋辅 ,  高木纯

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/82 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01G4/33 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5252 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53257 ,  H01L23/53261 ,  H01L27/016 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种耐湿性高的电介质薄膜元件。电介质薄膜元件(10)具备：具有电介质层(22)和形成于电介质层(22)的上下表面的一对电极层(21、23)的电容部(20)；以覆盖电容部(20)的方式形成的保护层(30)；被引出至保护层(30)的上表面的一对配线层(41、42)；表面金属层；以与配线层(41、42)电连接的方式形成的外部电极(47、48)。并且，表面金属层具有第一表面金属层(43、44)和第二表面金属层(45、46)，第一表面金属层(43、44)通过镀敷法以覆盖配线层(41、42)的沿着开口部(33、34)的内表面的部分的方式形成，第二表面金属层(45、46)通过真空薄膜法形成，第一表面金属层(43、44)的端部与第二表面金属层(45、46)的端部相接。

公开(公告)号：CN1179410C

公开(公告)日：2004-12-08

申请号：CN01124976.5

申请日：2001-08-09

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 入江祐二

IPC: H01L23/02 ,  H03H9/25

CPC classification number: H03H9/1071 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/00014

Abstract: 金属化电极设置于封装主体的固定位置，从而使其位于信号电极之上并且不与信号电极和绝缘粘合材料接触，而且金属化电极与接地电极导通。

公开(公告)号：CN1338819A

公开(公告)日：2002-03-06

申请号：CN01124976.5

申请日：2001-08-09

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 入江祐二

IPC: H03H9/10 ,  H03H9/25

CPC classification number: H03H9/1071 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/00014

Abstract: 金属化电极设置于封装主体的固定位置,从而使其位于信号电极之上并且不与信号电极和绝缘粘合材料接触,而且金属化电极与接地电极导通。