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公开(公告)号：CN108700613A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201780011530.8
申请日：2017-01-10
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 谷晋辅
IPC: G01P15/09 , G01P15/00 , G01P15/08 , H01L41/047 , H01L41/113 , H01L41/187
Abstract: 压电器件(101)具备：铁电体层(1)，具有第1面(41)以及第2面(42)；第1电极(21)，覆盖第1面(41)的一部分且由烧结金属形成；第2电极(22)，从第1电极(21)分离并且覆盖第1面(41)的未被第1电极(21)覆盖的区域中的一部分，且由烧结金属形成；第3电极(23)，覆盖第2面(42)的一部分使得包含第2面(42)中的与第1电极(21)对置的区域，且由烧结金属形成；以及第4电极(24)，从第3电极(23)分离并且覆盖第2面(42)的未被第3电极(23)覆盖的区域中的一部分，第4电极(24)相对于第2电极(22)的至少一部分隔着铁电体层(1)而对置。
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公开(公告)号：CN101341558B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200780000848.2
申请日：2007-05-31
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01G4/1227 , B32B18/00 , B82Y30/00 , C04B35/47 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3241 , C04B2235/3251 , C04B2235/3258 , C04B2235/326 , C04B2235/3262 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3418 , C04B2235/36 , C04B2235/441 , C04B2235/5409 , C04B2235/5454 , C04B2235/6025 , C04B2235/6582 , C04B2235/663 , C04B2235/785 , C04B2235/786 , C04B2235/79 , C04B2235/85 , H01C7/115 , H01C7/18 , H01G4/1281 , H01G4/30 , Y10T29/435
Abstract: 本发明提供一种带可变阻功能的层叠型半导体陶瓷电容器，对于形成半导体陶瓷层(1a～1g)的半导体陶瓷而言，Sr位点与Ti位点的配合摩尔比m满足1.000＜m≤1.020，在结晶粒子中固溶有La或Sm等施主元素，并且，在晶界层中存在相对于所述Ti元素100摩尔在0.5摩尔以下(优选为0.3～0.5摩尔)的范围的Mn、Co、Ni、Cr等受主元素，且结晶粒子的平均粒径为1.0μm以下(优选为0.5～0.8μm)。由此，可实现具有良好电气特性、比电阻与电气耐压良好、可靠性也出色且能够薄层化和小型化的带可变阻功能的层叠型半导体陶瓷电容器。
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公开(公告)号：CN112384141B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202080003919.X
申请日：2020-03-12
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明的伸缩性安装基板具备：伸缩性基材；伸缩性布线，配置在上述伸缩性基材的一个主面上；安装电极部，与上述伸缩性布线连接且含有铋及锡；焊料，与上述安装电极部连接且含有铋及锡；以及电子部件，经由上述焊料与上述安装电极部连接，上述安装电极部具有上述伸缩性布线侧的第一电极层和上述焊料侧的第二电极层，上述第一电极层中的铋的浓度比上述第二电极层中的铋的浓度低，并且沿着厚度方向为恒定。
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公开(公告)号：CN108352439B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN201680062849.9
申请日：2016-10-12
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 谷晋辅
IPC: H01L41/053 , H01L41/083 , H01L41/23 , H02N2/00
Abstract: 本发明具有烧结体(4)，所述烧结体(4)在优选厚度为90μm以下的形成得极薄的压电陶瓷基体(1)的两主面形成有第一导体部(2)以及第二导体部(3)，并且第一导体部(2)包含具有给定图案的多个导电膜(2a、2b)。在形成了导电膜(2a、2b)的压电陶瓷基体(1)的主面上形成有绝缘膜(5)，使得导电膜(2a、2b)的一部分露出。绝缘膜(5)的延展性与导电膜(2a、2b)相等或大于导电膜(2a、2b)。由此，即使被施加外力，也能够抑制裂缝、层间剥离等结构缺陷的产生，在不导致功能下降的情况下实现具有良好的机械强度且加工性良好的压电器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN102473676A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080031303.X
申请日：2010-07-22
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/82
CPC classification number: H01L23/5252 , H01L25/167 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种基于动作电压的施加而发生短路时，不会产生开路不良的反熔丝元件。本发明的反熔丝元件(10)具有：绝缘层(22)；形成于绝缘层(22)的上下面的一对电极层(21)、(23)；和以与电极层(23)的同绝缘层(22)形成静电电容的部分接触的方式形成的引出电极(42)。并且，被构成为产生构造变化部(29)，该构造变化部(29)具有：在施加了绝缘层(22)的绝缘破坏电压以上的电压时，一对电极层(21)、(23)相互熔融以将绝缘层(22)卷入的形态而短路的短路部(27)；和通过绝缘层(22)被卷入而使一对电极层(21)、(23)和绝缘层(22)消失的消失部(28)。并且，引出电极(42)的与电极层(23)接触的部分的最大直径大于构造变化部(29)的最大直径。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102473674A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080028169.8
申请日：2010-07-08
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/82 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L33/00
CPC classification number: H01L23/5252 , H01L23/62 , H01L25/167 , H01L27/0248 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种难以产生因静电放电导致的绝缘破坏的反熔丝元件。本发明的反熔丝元件(10)的特征在于，具备电容部(20)，该电容部(20)具有绝缘层(22)和在所述绝缘层的上下面形成的至少一对电极层(21)、(23)，电容部(20)具有对静电放电的保护功能。在本发明中，电容部具有对静电放电的保护功能，因此能够提供难以产生例如因部件安装时的静电放电导致的绝缘破坏的反熔丝元件。
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公开(公告)号：CN112384141A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202080003919.X
申请日：2020-03-12
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明的伸缩性安装基板具备：伸缩性基材；伸缩性布线，配置在上述伸缩性基材的一个主面上；安装电极部，与上述伸缩性布线连接且含有铋及锡；焊料，与上述安装电极部连接且含有铋及锡；以及电子部件，经由上述焊料与上述安装电极部连接，上述安装电极部具有上述伸缩性布线侧的第一电极层和上述焊料侧的第二电极层，上述第一电极层中的铋的浓度比上述第二电极层中的铋的浓度低，并且沿着厚度方向为恒定。
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公开(公告)号：CN102473676B
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201080031303.X
申请日：2010-07-22
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/82
CPC classification number: H01L23/5252 , H01L25/167 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种基于动作电压的施加而发生短路时，不会产生开路不良的反熔丝元件。本发明的反熔丝元件(10)具有：绝缘层(22)；形成于绝缘层(22)的上下面的一对电极层(21)、(23)；和以与电极层(23)的同绝缘层(22)形成静电电容的部分接触的方式形成的引出电极(42)。并且，被构成为产生构造变化部(29)，该构造变化部(29)具有：在施加了绝缘层(22)的绝缘破坏电压以上的电压时，一对电极层(21)、(23)相互熔融以将绝缘层(22)卷入的形态而短路的短路部(27)；和通过绝缘层(22)被卷入而使一对电极层(21)、(23)和绝缘层(22)消失的消失部(28)。并且，引出电极(42)的与电极层(23)接触的部分的最大直径大于构造变化部(29)的最大直径。
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公开(公告)号：CN103098199A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201180043631.6
申请日：2011-09-06
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/822 , H01L21/82 , H01L27/04
CPC classification number: H01G4/33 , H01L23/5223 , H01L23/5252 , H01L23/528 , H01L23/53257 , H01L23/53261 , H01L27/016 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种耐湿性高的电介质薄膜元件。电介质薄膜元件(10)具备：具有电介质层(22)和形成于电介质层(22)的上下表面的一对电极层(21、23)的电容部(20)；以覆盖电容部(20)的方式形成的保护层(30)；被引出至保护层(30)的上表面的一对配线层(41、42)；表面金属层；以与配线层(41、42)电连接的方式形成的外部电极(47、48)。并且，表面金属层具有第一表面金属层(43、44)和第二表面金属层(45、46)，第一表面金属层(43、44)通过镀敷法以覆盖配线层(41、42)的沿着开口部(33、34)的内表面的部分的方式形成，第二表面金属层(45、46)通过真空薄膜法形成，第一表面金属层(43、44)的端部与第二表面金属层(45、46)的端部相接。
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公开(公告)号：CN101341558A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200780000848.2
申请日：2007-05-31
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01G4/1227 , B32B18/00 , B82Y30/00 , C04B35/47 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3241 , C04B2235/3251 , C04B2235/3258 , C04B2235/326 , C04B2235/3262 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3418 , C04B2235/36 , C04B2235/441 , C04B2235/5409 , C04B2235/5454 , C04B2235/6025 , C04B2235/6582 , C04B2235/663 , C04B2235/785 , C04B2235/786 , C04B2235/79 , C04B2235/85 , H01C7/115 , H01C7/18 , H01G4/1281 , H01G4/30 , Y10T29/435
Abstract: 本发明提供一种带可变阻功能的层叠型半导体陶瓷电容器，对于形成半导体陶瓷层(1a～1g)的半导体陶瓷而言，Sr位点与Ti位点的配合摩尔比m满足1.000＜m≤1.020，在结晶粒子中固溶有La或Sm等施主元素，并且，在晶界层中存在相对于所述Ti元素100摩尔在0.5摩尔以下(优选为0.3～0.5摩尔)的范围的Mn、Co、Ni、Cr等受主元素，且结晶粒子的平均粒径为1.0μm以下(优选为0.5～0.8μm)。由此，可实现具有良好电气特性、比电阻与电气耐压良好、可靠性也出色且能够薄层化和小型化的带可变阻功能的层叠型半导体陶瓷电容器。
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