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公开(公告)号：CN111819668B
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN201880090846.5
申请日：2018-11-22
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/308 , H01L21/304 , H01L21/306 , H10D30/01 , H10D30/68 , H10D30/69 , H10B41/27 , H10B43/27
Abstract: 通过将TMAH、过氧化氢与水混合，从而制备包含TMAH、过氧化氢和水、但不含氟化氢化合物的碱性蚀刻液。将制备的蚀刻液供给至露出了多晶硅膜和氧化硅膜的衬底，在抑制氧化硅膜的蚀刻的同时对多晶硅膜进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN113053728B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202011545248.8
申请日：2020-12-24
Applicant: 株式会社斯库林集团
Abstract: 基板处理方法及装置，方法包括：液膜形成工序，在基板的上表面形成处理液的液膜；液膜保温工序，将基板的整体加热至比处理液的沸点更低的温度以对液膜进行保温；气相层形成工序，一边执行液膜保温工序，一边从照射单元朝设定在基板的上表面中央部的照射区域照射光来对基板进行加热，由此使接触基板的上表面中央部的处理液蒸发，而在液膜的中央部形成保持处理液的气相层；开口形成工序，将由气相层保持的处理液排除以在液膜的中央部形成开口；基板旋转工序，使基板环绕旋转轴线进行旋转；及开口扩大工序，一边执行液膜保温工序及基板旋转工序，一边使照射区域朝基板的周缘部移动，由此一边维持在液膜的内周缘形成有气相层的状态，一边使开口扩大。
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公开(公告)号：CN112602179B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN201980055805.7
申请日：2019-07-04
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/308 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及一种衬底处理方法及衬底处理装置。本发明要制作包含季铵氢氧化物、水及阻碍由季铵氢氧化物产生的氢氧离子与蚀刻对象物P1～P3接触的阻碍物质的碱性蚀刻液。通过将所制作的蚀刻液供给至包含多晶硅的蚀刻对象物P1～P3及与蚀刻对象物P1～P3不同的非蚀刻对象物O1～O3露出的衬底，一边阻碍非蚀刻对象物O1～O3的蚀刻，一边对蚀刻对象物P1～P3进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN113614887A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202080022944.2
申请日：2020-01-24
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/304 , H01L21/306
Abstract: 在基板处理方法中，对具有包含多个构造物(63)的图案PT的基板(W)进行处理。基板处理方法包括下述工序：针对多个构造物(63)执行使用非液体的规定处理，与执行规定处理前相比使多个构造物(63)各自的表面(62)的亲水性增大的工序(S1)；以及在使亲水性增大的工序(S1)后，向多个构造物(63)供给处理液的工序(S3)。
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公开(公告)号：CN113314435A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202011373950.0
申请日：2020-11-30
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 本发明涉及一种衬底处理装置。所有处理单元中，处理室、药液配管空间及排气室沿着搬送空间排列配置，且从搬送空间侧观察时，在处理室的一侧配置着药液配管空间，并以隔着处理室与药液配管空间对向的方式配置着排气室。由于排气室隔着处理室与药液配管空间对向配置，因此能够防止排气管妨碍配管通过的通路，所述配管是用来向保持在保持旋转部上的衬底供给药液。另外，以往是由2种处理单元构成，而本发明中通过1种处理单元即可解决。因此，能够使零件在所有处理单元中共通化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113308249A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110220598.5
申请日：2021-02-26
IPC: C09K13/00 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及硅蚀刻液、使用该蚀刻液的硅器件的制造方法以及基板处理方法。提供一种硅蚀刻液，其能抑制硅的晶体取向的影响，能与多晶硅膜中的单晶粒的晶体取向无关地进行同样的蚀刻处理。一种各向同性硅蚀刻液，其特征在于，包含氢氧化季铵、水、以及选自由下述式(1)以及式(2)所示的化合物构成的组中的至少一种化合物，并且满足下述条件1和条件2。R1O－(CmH2mO)n－R2(1)HO－(C2H4O)p－H(2)条件1：0.2≤蚀刻速度比(R110/R100)≤1条件2：0.8≤蚀刻速度比(R110/R111)≤4(上述条件中，R100表示相对于单晶硅的100面的蚀刻速度，R110表示相对于单晶硅的110面的蚀刻速度，R111表示相对于单晶硅的111面的蚀刻速度)。
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公开(公告)号：CN112602179A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201980055805.7
申请日：2019-07-04
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/308 , H01L21/306
Abstract: 本发明要制作包含季铵氢氧化物、水及阻碍由季铵氢氧化物产生的氢氧离子与蚀刻对象物P1～P3接触的阻碍物质的碱性蚀刻液。通过将所制作的蚀刻液供给至包含多晶硅的蚀刻对象物P1～P3及与蚀刻对象物P1～P3不同的非蚀刻对象物O1～O3露出的衬底，一边阻碍非蚀刻对象物O1～O3的蚀刻，一边对蚀刻对象物P1～P3进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN111819668A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201880090846.5
申请日：2018-11-22
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/308 , H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/336 , H01L27/11556 , H01L27/11582 , H01L29/788 , H01L29/792
Abstract: 通过将TMAH、过氧化氢与水混合，从而制备包含TMAH、过氧化氢和水、但不含氟化氢化合物的碱性蚀刻液。将制备的蚀刻液供给至露出了多晶硅膜和氧化硅膜的衬底，在抑制氧化硅膜的蚀刻的同时对多晶硅膜进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN111602230A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201880085719.6
申请日：2018-11-19
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明提供能够改善图案倒塌及颗粒问题的衬底处理方法及衬底处理装置。衬底处理方法包括下述工序：表面改性工序，针对在表面具有氧化物的衬底的表面，实施将该表面的粗糙加以改善的改性；表面清洗工序，向上述衬底的经改性的上述表面供给处理液，通过该处理液对衬底的表面进行清洗；和疏水化工序，向上述衬底的经清洗的上述表面供给疏水化剂，将上述衬底的表面疏水化。
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公开(公告)号：CN110114859A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201780080649.0
申请日：2017-11-28
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/306 , H01L21/304
Abstract: 在供第一供给液及第二供给液分别流动的第一以及第二供给液管路(412、422)设置有第一以及第二浓度测定部(415、425)。第二供给液中的气体的溶解浓度比第一供给液低。第一以及第二分支管路(51、52)的一端分别连接于第一以及第二供给液管路中比浓度测定部更靠上游侧的位置。第一以及第二分支管路的另一端连接于混合部(57)，且混合第一以及供给液来生成处理液。基于第一以及第二浓度测定部的测定值来控制第一以及第二分支管路的流量调整部(58)，以使处理液中的气体的溶解浓度成为设定值。由此，能一边防止包含因浓度测定部所引起的颗粒等的供给液，包含在供给至基板的处理液中，一边能使处理液中的气体的溶解浓度高精度地调整至设定值。
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