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公开(公告)号：CN112151409B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202010579435.1
申请日：2020-06-23
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，其利用超临界状态的处理流体处理基板的表面，保护基板不受由流路内的处理流体的局部气化引起的压力变动的影响。在利用超临界状态的处理流体处理基板(S)的表面的基板处理装置(1)中，包括：腔室框体(10)，在内部设置有能够收容基板的处理空间(SP)、以及从外部接受处理流体并将处理流体引导到处理空间的流路(17)；以及流体供给部(57)，将处理流体压送到流路中，且在流路中设置有多个使处理流体的流通方向变化的弯曲部。
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公开(公告)号：CN112151408B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202010579434.7
申请日：2020-06-23
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67
Abstract: 沿着处理对象的基板表面形成稳定的处理流体的层流，从而效率良好地处理基板。本发明是一种基板处理装置，利用处理流体处理基板的表面，其包括：支撑托盘，在平板的上表面设置有收容基板的凹部；收纳容器，形成有与支撑托盘的外形对应的形状且顶面为水平面的空洞，且能够将支撑托盘以水平姿势收纳于空洞内的内部空间；以及流体供给部，向空洞供给处理流体，收纳容器具有流路，所述流路接受从流体供给部供给的处理流体并从在空洞的侧壁面面向空洞而开口的排出口向空洞内沿水平方向排出处理流体，上下方向上的排出口的下端位置与收纳在空洞内的支撑托盘的上表面的位置相同或者比其更靠上方。
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公开(公告)号：CN117941035A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202280061924.5
申请日：2022-09-12
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/306 , H01L21/304
Abstract: 本发明的基板处理装置(100)具有：基板保持部(120)、处理液供给部(130)、成分存在量测定部(140)以及控制部(22)。控制部(22)包括：时间变化获取部(22b)，基于在从处理液供给部(130)开始向基板(W)供给处理液之后至结束之前的处理液供给期间内的特定期间，成分存在量测定部(140)测定到的基板(W)的特定成分的存在量，获取特定成分的存在量的时间变化；预测线制作部(22c)，基于时间变化获取部(22b)获取的特定成分的存在量的时间变化，制作预测处理液供给期间中的特定期间之后的基板(W)的特定成分的存在量的时间变化的预测线；以及处理条件变更部(22d)，基于预测线，在停止处理液的供给之前变更用于处理基板的基板处理条件。
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公开(公告)号：CN111886675A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201880091453.6
申请日：2018-11-22
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/304 , H01L21/306
Abstract: 基板处理装置在支承于升降部的基板W的下方与处理槽1的底面之间具有狭缝板(31)。21个狭缝(33)的与中央区域(ARC)的宽度(WD1)相比，第一外区域(AR1)以及第二外区域(AR2)中的宽度(WD2、WD3)被设为更大。因此，在从一对喷出管(7)供给的、在中央区域(ARC)沿基板(W)面上升的处理液的流动性强的液流从狭缝板(31)通过而向基板(W)侧上升时，其动量被削弱。因此，能够缓和基板(W)面附近的处理液的流动的差异，能够在基板(W)面内形成速度差很小的整流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113614887A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202080022944.2
申请日：2020-01-24
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/304 , H01L21/306
Abstract: 在基板处理方法中，对具有包含多个构造物(63)的图案PT的基板(W)进行处理。基板处理方法包括下述工序：针对多个构造物(63)执行使用非液体的规定处理，与执行规定处理前相比使多个构造物(63)各自的表面(62)的亲水性增大的工序(S1)；以及在使亲水性增大的工序(S1)后，向多个构造物(63)供给处理液的工序(S3)。
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公开(公告)号：CN117981058A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202280061923.0
申请日：2022-09-12
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/306 , H01L21/304
Abstract: 本发明的基板处理装置(100)具有基板保持部(120)、处理液供给部(130)、成分存在量测定部(140)以及控制部(22)。控制部(22)包括：时间变化获取部(22b)，基于在处理液供给部(130)向基板(W)供给处理液的期间由成分存在量测定部(140)测定出的基板(W)的特定成分的存在量，获取特定成分的存在量的时间变化；以及处理条件变更部(22c)，基于通过向学习完成模型(LM)输入表示时间变化获取部(22b)获取的特定成分的存在量的时间变化的输入信息而获得的输出信息，在停止供给处理液之前变更用于处理基板的基板处理条件，所述学习完成模型(LM)通过对将对于学习对象基板的处理条件以及处理结果建立关联的学习用数据进行机械学习而构建。
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公开(公告)号：CN111886675B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN201880091453.6
申请日：2018-11-22
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/304 , H01L21/306
Abstract: 基板处理装置在支承于升降部的基板W的下方与处理槽1的底面之间具有狭缝板(31)。21个狭缝(33)的与中央区域(ARC)的宽度(WD1)相比，第一外区域(AR1)以及第二外区域(AR2)中的宽度(WD2、WD3)被设为更大。因此，在从一对喷出管(7)供给的、在中央区域(ARC)沿基板(W)面上升的处理液的流动性强的液流从狭缝板(31)通过而向基板(W)侧上升时，其动量被削弱。因此，能够缓和基板(W)面附近的处理液的流动的差异，能够在基板(W)面内形成速度差很小的整流。
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公开(公告)号：CN112151409A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010579435.1
申请日：2020-06-23
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，其利用超临界状态的处理流体处理基板的表面，保护基板不受由流路内的处理流体的局部气化引起的压力变动的影响。在利用超临界状态的处理流体处理基板(S)的表面的基板处理装置(1)中，包括：腔室框体(10)，在内部设置有能够收容基板的处理空间(SP)、以及从外部接受处理流体并将处理流体引导到处理空间的流路(17)；以及流体供给部(57)，将处理流体压送到流路中，且在流路中设置有多个使处理流体的流通方向变化的弯曲部。
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公开(公告)号：CN112151408A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010579434.7
申请日：2020-06-23
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67
Abstract: 沿着处理对象的基板表面形成稳定的处理流体的层流，从而效率良好地处理基板。本发明是一种基板处理装置，利用处理流体处理基板的表面，其包括：支撑托盘，在平板的上表面设置有收容基板的凹部；收纳容器，形成有与支撑托盘的外形对应的形状且顶面为水平面的空洞，且能够将支撑托盘以水平姿势收纳于空洞内的内部空间；以及流体供给部，向空洞供给处理流体，收纳容器具有流路，所述流路接受从流体供给部供给的处理流体并从在空洞的侧壁面面向空洞而开口的排出口向空洞内沿水平方向排出处理流体，上下方向上的排出口的下端位置与收纳在空洞内的支撑托盘的上表面的位置相同或者比其更靠上方。
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