公开(公告)号：CN1832169B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200610058896.4

申请日：2006-03-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 铃木幸惠 ,  荒井康行 ,  山崎舜平

IPC: H01L25/16 ,  H01L27/12 ,  G06K19/07 ,  G09F3/02

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L21/84 ,  H01L23/49855 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/13 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2924/0002 ,  H01Q1/22 ,  H01Q1/2283 ,  H01Q9/0407 ,  H01Q9/27 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种具有高机械强度的无线芯片。而且，本发明还提供了一种能够防止电波被阻挡的无线芯片。在本发明的无线芯片中，通过各向异性导电粘合剂将具有形成在绝缘衬底上的薄膜晶体管的层固定到天线，并将薄膜晶体管连接到天线。天线具有介电层、第一导电层、和第二导电层；第一导电层与第二导电层之间是介电层；第一导电层用作发射电极；第二电极用作接地体。

公开(公告)号：CN101136330A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200710147138.4

申请日：2007-08-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 荒井康行 ,  田中幸一郎 ,  铃木幸惠

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/768 ,  B23K26/36 ,  B41M5/24

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214

Abstract: 本发明提供一种不使用光掩模或抗蚀剂而利用简单工艺形成开口部的方法。此外，本发明提供一种以低成本制造半导体装置的方法。在衬底上形成多个光吸收层，在该多个光吸收层上形成层间绝缘层，从层间绝缘层侧将直线形或矩形激光束照射到多个光吸收层，至少去掉多个光吸收层上的层间绝缘膜来形成开口部，由此，去掉多个光吸收层以及形成在该多个光吸收层上的绝缘层，而可以形成多个开口部。

公开(公告)号：CN1658052A

公开(公告)日：2005-08-24

申请号：CN200510064080.8

申请日：2005-02-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  铃木幸惠

IPC: G02F1/136 ,  H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  H04N5/44

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L24/73 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78678 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明的目的是提供一种制备具有高驱动能力(即，大W/L)的半导体器件的方法，根据本方法，材料的使用效率，以及生产量和生产率都得到了提高。本发明提供一种制备半导体器件的方法，其步骤包括：形成与半导体区相连的第一导电层、通过液滴喷射或涂覆在第一导电层上形成绝缘层、用激光辐照部分绝缘层形成掩模图案和通过借助该掩模图案作为掩模蚀刻形成分开的第一导电层。

公开(公告)号：CN102270315B

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201110104531.1

申请日：2006-03-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 铃木幸惠 ,  荒井康行 ,  山崎舜平

IPC: G06K19/077 ,  H01Q1/22 ,  H01Q9/04 ,  H01Q23/00

CPC classification number: H01Q9/0407 ,  G06K19/07745 ,  G06K19/07749 ,  G06K19/07786 ,  H01L23/66 ,  H01L24/17 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L27/088 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16265 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32265 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/3011 ,  H01M10/0436 ,  H01M10/465 ,  H01M2220/30 ,  H01Q1/2208 ,  H01Q1/2283 ,  H01Q23/00 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

Abstract: 本发明涉及无线芯片以及具有无线芯片的电子设备。本发明提供一种能够增加机械强度的无线芯片，和一种具有高耐用性的无线芯片。无线芯片包括具有场效应晶体管的晶体管、包括夹在导电层之间的介电层的天线和连接芯片和天线的导电层。另外，无线芯片包括具有场效应晶体管的晶体管、包括夹在导电层之间的介电层的天线、传感器装置、连接芯片和天线的导电层、以及连接芯片和传感器装置的导电层。另外，无线芯片包括具有场效应晶体管的晶体管、包括夹在导电层之间的介电层的天线、电池、连接芯片和天线的导电层以及连接芯片和电池的导电层。

公开(公告)号：CN101136330B

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN200710147138.4

申请日：2007-08-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 荒井康行 ,  田中幸一郎 ,  铃木幸惠

IPC: H01L27/12

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214

Abstract: 本发明提供一种不使用光掩模或抗蚀剂而利用简单工艺形成开口部的方法。此外，本发明提供一种以低成本制造半导体装置的方法。在衬底上形成多个光吸收层，在该多个光吸收层上形成层间绝缘层，从层间绝缘层侧将直线形或矩形激光束照射到多个光吸收层，至少去掉多个光吸收层上的层间绝缘膜来形成开口部，由此，去掉多个光吸收层以及形成在该多个光吸收层上的绝缘层，而可以形成多个开口部。

公开(公告)号：CN101369587B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200810131294.6

申请日：2008-08-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  荒井康行 ,  铃木幸惠 ,  黑川义元

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/12 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1233 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/04 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的目的在于提供一种显示装置及生产率高地制造其的方法，所述显示装置具有电特性优越且可靠性高的p沟道型薄膜晶体管及n沟道型薄膜晶体管。本发明之一是一种显示装置，包括：反交错型p沟道型薄膜晶体管和n沟道型薄膜晶体管，该p沟道型薄膜晶体管和n沟道型薄膜晶体管在栅电极上顺序层叠有栅极绝缘膜、微晶半导体膜、以及非晶半导体膜，并且还包括形成在非晶半导体膜上的一对n型半导体膜或p型半导体膜、以及形成在一对n型半导体膜或p型半导体膜上的一对布线，其中微晶半导体膜包含1×1016atoms/cm3以下的氧。此外，n沟道型薄膜晶体管的迁移率为10cm2/V·s以上且45cm2/V·s以下，而p沟道型薄膜晶体管的迁移率为0.3cm2/V·s以下。

公开(公告)号：CN101083216B

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN200710108777.X

申请日：2007-05-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 伊藤恭介 ,  中村理 ,  铃木幸惠

IPC: H01L21/60 ,  G06K19/077 ,  H05K13/04

CPC classification number: H01L23/4985 ,  G06K19/07718 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/49855 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够缩短节拍时间的粘合具有不同配置密度或配置间隔的多个零部件的粘合方法以及粘合装置。此外，本发明的目的在于提供一种低成本的半导体器件的制造方法以及一种能够以低成本制造半导体器件的制造装置。其中，在改变第一零部件的在x方向上的配置间隔的同时使第一零部件临时固定在第一柔性衬底上后，在改变第一零部件的在y方向上的配置间隔的同时使第一零部件连接到第二柔性衬底上的第二零部件，而将具有不同配置密度的多个组的零部件同时互相粘合在一起。

公开(公告)号：CN101339960A

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200810137904.3

申请日：2008-07-03

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  铃木幸惠 ,  桑原秀明

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/417 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明的目的在于提出批量生产性高地制造包括电特性良好且可靠性高的薄膜晶体管的发光装置的方法。本发明的要旨在于：在包括反交错型薄膜晶体管的发光装置的反交错型薄膜晶体管中，在栅电极上形成栅极绝缘膜，在栅极绝缘膜上形成用作沟道形成区域的微晶半导体膜，在微晶半导体膜上形成缓冲层，在缓冲层上形成一对源区域及漏区域，以使源区域及漏区域的一部分露出的方式形成与源区域及漏区域接触的一对源电极及漏电极。

公开(公告)号：CN101156162A

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200680011098.4

申请日：2006-03-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 铃木幸惠 ,  荒井康行 ,  山崎舜平

IPC: G06K19/00 ,  H01Q23/00 ,  B42D15/10 ,  H05K1/18

CPC classification number: H01Q9/0407 ,  G06K19/07745 ,  G06K19/07749 ,  G06K19/07786 ,  H01L23/66 ,  H01L24/17 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L27/088 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16265 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32265 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/3011 ,  H01M10/0436 ,  H01M10/465 ,  H01M2220/30 ,  H01Q1/2208 ,  H01Q1/2283 ,  H01Q23/00 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

Abstract: 目的是提供一种能够增加机械强度的无线芯片，和一种具有高耐用性的无线芯片。无线芯片包括具有场效应晶体管的晶体管、包括夹在导电层之间的介电层的天线和连接芯片和天线的导电层。另外，无线芯片包括具有场效应晶体管的晶体管、包括夹在导电层之间的介电层的天线、传感器装置、连接芯片和天线的导电层、以及连接芯片和传感器装置的导电层。另外，无线芯片包括具有场效应晶体管的晶体管、包括夹在导电层之间的介电层的天线、电池、连接芯片和天线的导电层以及连接芯片和电池的导电层。

公开(公告)号：CN101083216A

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN200710108777.X

申请日：2007-05-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 伊藤恭介 ,  中村理 ,  铃木幸惠

IPC: H01L21/60 ,  G06K19/077 ,  H05K13/04

CPC classification number: H01L23/4985 ,  G06K19/07718 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/49855 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够缩短节拍时间的粘合具有不同配置密度或配置间隔的多个零部件的粘合方法以及粘合装置。此外，本发明的目的在于提供一种低成本的半导体器件的制造方法以及一种能够以低成本制造半导体器件的制造装置。其中，在改变第一零部件的在x方向上的配置间隔的同时使第一零部件临时固定在第一柔性衬底上后，在改变第一零部件的在y方向上的配置间隔的同时使第一零部件连接到第二柔性衬底上的第二零部件，而将具有不同配置密度的多个组的零部件同时互相粘合在一起。