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公开(公告)号：CN114301289B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202111001159.1
申请日：2021-08-30
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明的一个方式涉及电气设备以及电力变换装置。提供不妨碍小型化就能够抑制浪涌、阻尼振荡的电气设备以及电力变换装置。电气设备具备初级侧环形电路，具有以环形状使电流流过的主电路；以及次级侧环形电路，与所述初级侧环形电路对置地隔开预定的距离而配置，使基于在所述初级侧环形电路中产生的磁场的感应电流以环形状流过。
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公开(公告)号：CN110932582B
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN201910130842.1
申请日：2019-02-22
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 高尾和人
IPC: H02M7/5387 , H02M7/5395 , H02P27/08
Abstract: 本发明涉及开关装置、电力转换装置、控制装置以及记录介质。通过简易的结构将栅极电阻设定为适当的电阻值。实施方式的开关装置具备开关晶体管、电阻部、切换控制部、目标值取得部、计算部和电阻值设定部。栅极电阻部包含电阻值能够变更的第一电阻以及第二电阻。切换控制部在作为关断期间的前一半的第一期间使第一电阻连接于输入端子与栅极之间，在作为关断期间的后一半的第二期间使第二电阻连接于输入端子与栅极之间。计算部基于目标电压上升速度以及第一运算式来计算第一栅极电阻值，基于允许最大电压值以及第二运算式来计算第二栅极电阻值。电阻值设定部基于第一栅极电阻值以及第二栅极电阻值来设定第一电阻以及第二电阻的电阻值。
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公开(公告)号：CN112713790A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202010939013.0
申请日：2020-09-09
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本公开的实施方式涉及电力切换器以及电力整流器。电力切换器具备：常关的第1晶体管，根据输入到第1控制电极的驱动电压，切换是否切断第1电极以及第2电极之间的电流路径；常开的第2晶体管，与第1晶体管以共发共基或共源共栅的方式连接，具有第2控制电极，该第2控制电极连接第1晶体管的第2电极；控制电压生成器，根据第1晶体管的第1电极以及第2电极之间的电压来生成控制电压；以及驱动电压生成器，根据控制电压，生成第1晶体管的耐压以下的驱动电压。
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公开(公告)号：CN111834980A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010156175.7
申请日：2020-03-09
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 目的是提供一种电流断路装置及晶体管选定方法。本发明的实施方式涉及电流断路装置及晶体管选定方法。电流断路装置具备：常闭的第1晶体管，切换是否将电流路径断路；以及控制器，控制上述第1晶体管的栅极电压，以使得在上述电流路径中没有流过过电流的情况下使上述第1晶体管在放大区域中动作，在上述电流路径中流过过电流的情况下使上述第1晶体管在饱和区域中动作，将上述电流路径断路。
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公开(公告)号：CN106024782B
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201610119874.8
申请日：2016-03-03
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明提供半导体装置、逆变电路、驱动装置、车辆以及升降机。实施方式的半导体装置具备多个电路单元，该电路单元具有：基板；基板的第1侧的第1电极；在基板的第1侧与第1电极并列的第2电极；基板的第2侧的第3电极；以及第1开关元件和第2开关元件，在第1电极以及第2电极与第3电极之间的基板上并列，串联地电连接在第1电极与第2电极之间，在第1开关元件和第2开关元件之间电连接有第3电极，在邻接的两个电路单元中，一方的第1侧与另一方的第1侧邻接，一方的第2侧与另一方的第2侧邻接。
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公开(公告)号：CN107612293A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710085966.3
申请日：2017-02-17
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H02M1/088
Abstract: 实施方式涉及半导体模块、车辆、以及升降机。提供一种能够高速开关的半导体模块、车辆、以及升降机。实施方式的半导体模块具有：第1开关元件；第1栅极驱动电路，控制第1开关元件的接通、断开；第2开关元件，与第1开关元件以并联或串联的方式连接；第2栅极驱动电路，控制第2开关元件的接通、断开；以及控制电路，通过使第1栅极驱动电路与第2栅极驱动电路同步，由此控制从第1栅极驱动电路输出的栅极驱动信号与从第2栅极驱动电路输出的栅极驱动信号的时机。
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公开(公告)号：CN104425616A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410427850.X
申请日：2014-08-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/41
CPC classification number: H01L29/1608 , H01L21/049 , H01L29/42368 , H01L29/66068 , H01L29/7802
Abstract: 根据一个实施例，半导体器件包括第一半导体区、第二半导体区、第三半导体区、第一电极、第一绝缘部和第二绝缘部。该第一半导体区包括碳化硅，它是第一导电类型，并且包括第一部分和第二部分。该第二半导体区包括碳化硅，它是第二导电类型，并设于所述第二部分上。所述第三半导体区包括碳化硅，它是第一导电类型，并被设置在所述第二半导体区上。所述第一电极设置在所述第一部分和所述第三半导体区上。所述第一绝缘部设置在第三半导体区上，并与所述第一电极并列。该第二绝缘部设置在所述第一电极与所述第一部分之间以及所述第一电极和所述第一绝缘部之间。
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