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公开(公告)号：CN103098252A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201180044244.4
申请日：2011-09-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L49/02 , H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L45/16 , H01L21/768 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2418 , H01L45/00 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供一种电流控制元件（100），其为以覆盖形成于层间绝缘层（102）的导通孔（104）的下部开口（105）的方式形成的电流控制元件，该电流控制元件包括：腐蚀抑制层（106），其在导通孔的下部开口的下部以覆盖全部的下部开口的方式形成；第二电极层（108），其形成在腐蚀抑制层之下，并由与腐蚀抑制层不同的材料构成；电流控制层（110），其形成在第二电极层之下，并与第二电极层物理接触；和第一电极层（112），其形成在电流控制层之下，并与电流控制层物理接触，其中，由第一电极层、电流控制层和第二电极层构成MSM二极管和MIM二极管中的任一个。
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公开(公告)号：CN102656689A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201080056694.0
申请日：2010-11-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L27/10 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C2213/79 , H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1675
Abstract: 具备多个存储器单元和引出布线（12），该引出布线（12）对多个存储器单元共通地设置，多个存储器单元中的各个存储器单元具备形成在基板（1）上的晶体管（6）、以及电阻变化元件（10），该电阻变化元件（10）具有：下部电极（7）；上部电极（9），含有贵金属；以及电阻变化层（8），夹持在下部电极（7）和上部电极（9）之间；电阻变化层（8）的电阻值根据经由晶体管（6）施加在下部电极（7）和上部电极（9）之间的电脉冲而可逆地变化；引出布线（12）与多个存储器单元的上部电极（9）直接相接。
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公开(公告)号：CN102292814A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201080005463.7
申请日：2010-02-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L45/146 , H01L27/2418 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1273
Abstract: 本发明的非易失性存储元件包括：第一电极(103)；第二电极(105)；和电阻变化层(104)，其位于第一电极(103)与第二电极(105)之间，电阻值根据施加在两个电极(103、105)之间的电信号可逆地变化，该电阻变化层(104)由含有第一钽氧化物的第一钽氧化物层(107)和含有含氧率与第一钽氧化物不同的第二钽氧化物的第二钽氧化物层(108)层叠构成，并且当将第一钽氧化物表示为TaOx时满足0＜x＜2.5，当将第二钽氧化物表示为TaOy时满足x＜y≤2.5，第二电极(105)与第二钽氧化物层(108)接触，并且第二电极(105)由铂和钽构成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101636841B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200780052299.3
申请日：2007-11-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/33 , G11C2213/34 , G11C2213/76 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/147
Abstract: 本发明提供存储元件和存储装置。以矩阵状配置于存储装置(21)的存储元件(3)包括：通过施加极性为正或负的电脉冲，其电阻值变化，并且维持该变化后的电阻值的电阻变化元件(1)；和抑制在对上述电阻变化元件施加上述电脉冲时流动的电流的电流抑制元件(2)，上述电流抑制元件具有：第一电极、第二电极、和配置在上述第一电极与上述第二电极之间的电流抑制层，上述电流抑制层由SiNx(x为正实数)构成。
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公开(公告)号：CN101542727B
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200780038564.2
申请日：2007-10-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/10
CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/124 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1625 , H01L45/1683
Abstract: 本发明提供非易失性存储元件阵列及其制造方法。在半导体芯片的基板(26)上形成有下部电极(22)，下部电极(22)的上部被第一层间绝缘膜(27)覆盖。在该下部电极(22)上构成有贯通第一层间绝缘膜(27)而形成的第一接触孔(28)，构成可变电阻膜(24)的低电阻层(29)被埋入第一接触孔(28)中。进一步，在第一层间绝缘膜(27)和低电阻层(29)之上形成有高电阻层(30)，可变电阻膜(24)构成为包括各一层该高电阻层(30)和低电阻层(29)的多层的电阻层。进一步，构成存储部(25)的低电阻层(29)至少与邻接的存储部(25)分离。
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公开(公告)号：CN1627501A
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN200410078515.X
申请日：1996-06-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L21/8239
CPC classification number: H01L28/40
Abstract: 本发明揭示一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括下列工序：在半导体基片上形成绝缘膜的工序；在所述绝缘膜上形成由上电极、电容绝缘膜、以及下电极所组成的电容元件的工序，形成所述电容元件的工序包括下列工序：在所述绝缘膜上形成下电极膜的工序；通过蚀刻所述下电极膜形成所述下电极的工序；在所述下电极上形成由强电介质材料制成的电容绝缘膜的工序；在所述电容绝缘膜上形成上电极膜的工序；通过利用上电极形成用掩模对所述上电极膜进行蚀刻，形成所述上电极的工序；以及利用所述电容绝缘膜的端部比所述上电极端部大0.1μm以上的电容绝缘膜用掩模对所述电容绝缘膜进行干式蚀刻的工序。
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公开(公告)号：CN1364313A
公开(公告)日：2002-08-14
申请号：CN01800486.5
申请日：2001-02-07
Applicant: 塞姆特里克斯公司 , 松下电器产业株式会社
Inventor： 内山洁 , 有田浩二 , 纳拉杨·索拉亚鹏 , 卡罗斯·A·帕兹德阿罗
CPC classification number: H01L21/28291 , C30B7/00 , C30B7/005 , C30B29/68
Abstract: 一种用于形成层状超晶格材料的液态母体被涂覆(324)在集成电路衬底(122,224,508)。利用递变率为每秒50℃的快速递变退火(“RRA”)技术(328),在650℃之维持温度下对该母体涂层在氧气中进行时间为30分钟之维持时间的退火。
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公开(公告)号：CN1345088A
公开(公告)日：2002-04-17
申请号：CN01117608.3
申请日：1995-11-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/70 , H01L21/283 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L28/40 , H01L28/56
Abstract: 本发明揭示一种集成电路用电容元件的其制造方法。该方法包括:在基片上形成钛膜的粘接层,在该粘接层表面形成氧化钛和扩散阻挡层,以及在该扩散阻挡层上依次形成下电极、强介质膜和上电极等工序。
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