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公开(公告)号:CN1364313A
公开(公告)日:2002-08-14
申请号:CN01800486.5
申请日:2001-02-07
Applicant: 塞姆特里克斯公司 , 松下电器产业株式会社
Inventor: 内山洁 , 有田浩二 , 纳拉杨·索拉亚鹏 , 卡罗斯·A·帕兹德阿罗
CPC classification number: H01L21/28291 , C30B7/00 , C30B7/005 , C30B29/68
Abstract: 一种用于形成层状超晶格材料的液态母体被涂覆(324)在集成电路衬底(122,224,508)。利用递变率为每秒50℃的快速递变退火(“RRA”)技术(328),在650℃之维持温度下对该母体涂层在氧气中进行时间为30分钟之维持时间的退火。